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來源：內容編譯自chosun。
受中東人工智慧投資和全球關稅擔憂的推動，DRAM 價格飆升，HBM 需求旺盛，預計將提振三星電子和 SK 海力士的盈利。主要客戶正爭相在美國可能加徵關稅之前囤積 DRAM，而美國晶片製造商英偉達與沙烏地阿拉伯達成的大規模人工智慧晶片交易，也為韓國領先的記憶體晶片製造商帶來了新的發展動力。
據業內人士5月19日透露，三星電子本月初將傳統DDR4和新型DDR5 DRAM的價格均上調了兩位數百分比。SK海力士也將消費級DRAM價格上調了約12%。在美國晶片製造商美光公司上個月通知客戶計劃漲價後，整體漲勢獲得了動力。
DRAM 的平均銷售價格 (ASP) 在經歷了五個月的低迷之後，於 4 月份開始攀升。據市場研究公司 DRAMeXchange 的資料，標準 PC DRAM (DDR4 8Gb 1Gx8) 的固定合同價格環比上漲 22.2%，達到 1.65 美元。
分析師將近期價格飆升歸因於主要客戶在美國關稅即將生效前囤貨。美國企業正在謹慎採購以避免關稅影響，而中國的“以舊換新”補貼計劃正在提振國內個人電腦和智慧手機制造商的需求。長期供過於求的舊款DRAM晶片，目前的價格漲幅超過了新款DDR5產品。
三星電子記憶體部門執行副總裁金在俊（Kim Jae-june）在4月30日舉行的公司第一季度財報電話會議上表示：“由於全球關稅擔憂加劇，客戶加快了成品預產，導致零部件庫存消耗速度快於預期。”對於業績與DRAM定價密切相關的三星而言，這一趨勢為第二季度的反彈提供了潛在的跳板。
儘管半導體市場充滿不確定性，但高價值記憶體產品預計將會上漲。隨著 DRAM 價格普遍上漲，高頻寬記憶體 (HBM) 的價格也在飆升。英偉達近期與沙烏地阿拉伯達成的協議，進一步激發了人們對第二波 AI 記憶體熱潮的預期。
5月13日，英偉達宣佈與沙烏地阿拉伯公共投資基金（PIF）支援的人工智慧初創公司Humain簽署協議，將建設一個500兆瓦的人工智慧資料中心。未來五年，英偉達將提供約18,000個配備其最新Blackwell Ultra晶片的GB300 GPU。
業內訊息人士稱，Nvidia 購買 SK Hynix 12 層 HBM3E 晶片的價格比 8 層晶片高出 60% 以上，這反映出該公司迫切希望在今年上半年 Blackwell Ultra 加速上市之前確保供應。
SK海力士為英偉達提供八層和十二層HBM3E，預計其第二季度盈利將創下紀錄。“SK海力士今年的HBM總出貨量預計將達到137億千兆位，其中英偉達佔比超過70%，”韓華投資證券分析師金光鎮表示。“該公司在HBM市場的主導地位很可能將持續到明年。”
5大原廠同步減產，NAND將反彈
全球五大NAND Flash原廠同步實施減產，加上美中之間的新關稅政策，帶動買賣雙方在90天寬限期內加速交易與出貨，致使2025年第二季記憶體價格，出現優於預期的反彈走勢。
五大NAND原廠同步減產，供給面收縮，助攻記憶體市場行情，根據調查，全球市佔前五大NAND Flash製造商，包括三星、SK海力士、美光、鎧俠與西部資料，皆在2025年上半年啟動減產計劃，幅度在10％～15％，以調節供過於求的市場結構。
此輪原廠同步減產，對記憶體價格止跌回升形成支撐，加上中美貿易政策變數升高，促使業者加快在政策寬限期內完成交易，激勵市場短期備貨潮湧現。
且在備貨潮驅動下，第二季的DRAM與NAND Flash合約價格漲幅，明顯超出先前預期。
根據TrendForce最新報告顯示，記憶體價格第一季呈現下跌，第二季已出現回升，2025年上半年記憶體價格，將呈現「先跌後漲」的走勢。
在DRAM合約價部分，第一季傳統DRAM價格下跌8％～13％，高頻寬記憶體（HBM）則僅小幅回落0％～5％。
第二季傳統DRAM預估反彈3～8％，HBM則受惠於AI與HPC應用需求，同步上漲3％～8％。
NAND Flash合約價部分，第一季價格跌幅達15％～20％，為主要產品中最大跌幅。
第二季預估回升3～8％，顯示市場逐漸恢復供需平衡。
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