3 月 25 日，美光推出了採用全新1γ (1-gamma) 製造工藝製造的 16Gb DDR5 裝置，該工藝採用 EUV 光刻技術，這是美光的首創。新 IC 不僅比其前代產品效能更高，而且功耗更低，製造成本也更低。該公司還表示，其 1γ 製造技術（第 6 代 10nm 級節點）最終將用於其他 DRAM 產品。

美光的 1γ 主打產品是該公司的 16Gb (2GB) DDR5 IC，其額定資料傳輸率為 9200 MT/s，行業標準電壓為 1.1V。與其前代產品（採用 1β 製造工藝製造的 16Gb DDR5 IC）相比，新器件功耗降低了 20%，位密度提高了 30%，一旦新晶片的產量達到與 1β 16Gb DRAM 器件相當的水平，這可能意味著生產成本也會相應降低。

雖然美光將其最新的 16Gb DDR5 IC 的速度定為 9200 MT/s，但這一速度等級明顯高於最新版本的 DDR5 規範中的任何速度等級。該公司強調，該晶片可以很好地以符合 JEDEC 的速度等級執行，而更高的速度等級將實現一定的未來防護和與下一代 CPU 的相容性。美光還表示，基於 CUDIMM 或 CXL 的記憶體模組可以利用高於 JEDEC 的速度。發燒友的 DIMM 也可能將新的 DRAM 用於其 10,000 MT/s 後的模組。

美光目前正在向筆記型電腦和伺服器製造商提供基於 1γ 技術製造的 16Gb DDR5 IC 及其基礎上的產品（即晶片和模組）樣品，並預計它們的認證將在一到兩個季度內完成。這意味著我們應該會在 2025 年中期開始在零售產品中看到美光最新的記憶體裝置。該公司預計，桌上型電腦、筆記型電腦和伺服器的所有型別的記憶體模組都將採用其新記憶體晶片。

考慮到美光基於 1γ 的 DRAM 為所有細分市場提供了一系列有價值的品質——桌上型電腦的增強效能以及筆記型電腦和伺服器的低功耗——我們確實預計該公司最新的 16 Gb DDR5 IC 在上市時會非常受歡迎。

隨著時間的推移，美光將使用其 1γ 製造技術來製造其他型別的記憶體產品，包括 GDDR7、LPDDR5X（高達 9600 MT/s）和資料中心級產品，因此該節點將成為公司的主力。

美光的 1γ 製造工藝是該公司首款採用極紫外光刻 (EUV) 的技術，其他領先的記憶體製造商多年前就已採用該技術。這項技術已經問世一段時間，並且有望為現有產品線帶來顯著優勢。

美光並未透露新生產節點使用了多少個 EUV 層，但我們可以推測該公司將 EUV 用於關鍵層，否則這些層將需要使用多重圖案化，這會延長生產週期並影響產量。美光確實表示 1γ 將 EUV 與多重圖案化 DUV 技術結合使用。此外，美光的 1γ DRAM 工藝技術採用了下一代高 K 金屬柵極技術和全新的後端 (BEOL) 電路。

“除了在 1γ 中採用 EUV 之外，我們還推出了下一代高 K 金屬柵極 CMOS 和先進的後端工藝，它們共同實現了 9200 MT/s [資料傳輸率]，效能比 1β DRAM 提高了 15% […] 同時功耗比 1β 降低了約 20%”，美光 DRAM 技術開發高階副總裁 Shigeru Shiratake 表示。

目前，美光在日本的晶圓廠生產 1γ DRAM，該公司的第一臺 EUV 工具於 2024 年在日本安裝。隨著該公司 1γ 記憶體產量的提高，它將在日本和臺灣的晶圓廠增加更多 EUV 系統。

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