美光此次推出的1γ DRAM，在效能方面實現了全方位的突破，每一項提升都直擊當下科技發展的痛點與需求。

據瞭解，美光1γ DRAM節點的這一新里程碑將推動從雲端、工業、消費應用到端側AI裝置（如AI PC、智慧手機和汽車）等未來計算平臺的創新發展。美光1γ DRAM節點將首先應用於其16Gb DDR5 DRAM產品，並計劃逐步整合至美光記憶體產品組合中，以滿足AI產業對高效能、高能效記憶體解決方案日益增長的需求。

美光基於1γ節點的16Gb DDR5產品DDR5記憶體速度可達9200MT/s，較上一代提升15%，可滿足資料中心、端側AI裝置對高效能計算的需求。同時，美光的1γ節點採用了新一代高K金屬柵極CMOS技術，結合設計最佳化，功耗降低超20%，並顯著改善熱管理效能。此外，新一代記憶體透過極紫外光刻（EUV）與工藝創新，使位元密度提升超30%，有效提升記憶體供應效率。

美光聲稱，它是第一個出貨第六代1γ DRAM節點的公司，該節點最小几何尺寸在19nm和10nm之間。隨著DRAM製造商開始生產10nm級DRAM，他們放棄了納米測量，轉而採用1x、1y、1z，現在又採用1α、1β和1γ。三星和SK海力士將該序列標記為1x、1y、1z，然後是1a、1b和1c。

據美光訊息透露，AMD和英特爾已經開始在其伺服器和消費處理器上驗證1γ DRAM的使用。這是認證過程中的關鍵步驟，可能會帶來大規模生產訂單。美光在DRAM技術方面的進步與高效能計算和AI應用日益增長的需求在戰略上保持一致，高頻寬記憶體在其中發揮著關鍵作用。

不難看到，美光在經過多代驗證的DRAM技術和製造策略的基礎上，成功打造出最佳化的1γ節點。1γ DRAM節點的創新得益於CMOS技術的進步，包括下一代高K金屬柵極技術，它提升了電晶體效能，實現了更高的速率、更最佳化的設計以及更小的特徵尺寸，從而帶來功耗降低和效能擴充套件的雙重優勢。

此外，透過採EUV光刻技術，1γ節點利用極短波長在矽晶圓上刻畫出更精細的特徵，從而獲得了業界領先的容量密度優勢。同時，透過在全球各製造基地開發1γ節點，美光可為行業提供更先進的技術和更強的供應韌性。

美光的率先突圍，讓DRAM市場的原有格局，迎來新衝擊。

據業內人士1月17日透露，SK海力士近日完成了10nm級第六代1c DDR5的量產認證（MS Qual，Mass product certification）。量產認證又稱批次資格認證，是指連續幾個批次的生產結果全部滿足質量及良率要求，可以進行全面量產時，頒發的認證證書。

SK海力士CTO兼未來技術中心副總裁車善勇在1月15日舉行的全體會議上也表示，“一旦將1c DDR5管理從開發部門轉移到製造部門的過程完成，預計將於2月初開始全面量產。”

此前一直就有訊息傳出，SK海力士將於今年2月份在全球率先採用10nm級第六代（1c）精細工藝量產DRAM（目前SK官網仍未正式宣佈該產品量產的相關訊息）。這使得SK海力士自去年8月開發出全球首款採用1c的16Gb DDR5 DRAM以來，直至量產，始終保持全球第一的頭銜。

在業界最先進工藝第六代10nm級DRAM的開發和量產方面，美光的量產時間基本可以視為與SK海力士持平，均領先於競爭對手三星電子。

三星電子歷來是儲存技術的領導者，但其10nm級第六代DRAM如今尚未完成。最初，三星宣稱其第六代10nm級1c DRAM製程於2024年年底完成開發並計劃量產。但後續生產良率未提升，致使開發時間延遲了約半年，推至2025年6月。

在這六個月期間，三星預計將良率提升到70%左右。按照業界過往經驗，每一代製程的開發週期通常在18個月左右。不過，三星自2022年12月開發出第五代10nm級1b DRAM製程，2023年5月宣佈量產後，就再也沒有1c DRAM的訊息傳來。

最近，又有訊息指出，三星電子正決定重新設計尖端的1c DRAM晶片。這一決定無疑增加了三星電子在搶佔尖端DRAM業務市場方面面臨挑戰的可能性。從頭開始重新設計DRAM需要花費大量時間，需要徹底重新設計電路，並且必須對量產所需的掩模和元件進行額外的重新設計。

整體來看，在DRAM市場的長期競爭中，三星和SK海力士一直是美光強有力的競爭對手。在DRAM市場排名第三的美光科技，在技術上實現了飛躍，搶先於競爭對手三星電子，甚至SK海力士出貨了10nm級第六代1γ DRAM產品，為其市場份額的提升帶來了巨大推動力。

從市場資料來看，美光在DRAM市場的份額呈現出顯著的增長趨勢。據TrendForce資料顯示，2024年第三季度，美光的DRAM市場份額從上一季度的19.6%升至22.2%。與此同時，三星和SK海力士的份額分別小幅下降至41.1%和34.4%。

另一方面，三星此次第六代1c DRAM製程的延遲不僅影響了其核心產品DDR5記憶體的量產時間，也波及了其高頻寬記憶體（HBM）的開發。

通常DRAM製程從開發完成到量產的時間為6個月，如果三星今年6月完成第六代10nm級1c DRAM的開發，那麼實際量產的時間大概在2025年底。而這樣的情況，幾乎會影響到三星目前正處於關鍵時期的HBM產品的發展，意味著三星原計劃於2025年下半年量產的第六代HBM4將面臨非常大的不確定性。

與SK海力士選擇穩定方法，將第五代10nm級1b DRAM製程用於HBM4的方式有些許不同，三星展現出躍進的決心，打算將第六代新工藝1c DRAM首先用於HBM4，以快速提高效能和能效。但要達成目標，最重要的就是儘快量產，1c工藝DRAM的量產將影響三星HBM4的工作進度。

因此，三星先前宣佈在2025年下半年將1c DRAM製程用於HBM4並量產的規劃或將落空，給三星在HBM市場的競爭力帶來影響。

反觀美光，美光目前已向英偉達的AI晶片供應8層HBM3E晶片，儘管其市場份額仍遠低於12層HBM3E晶片的領導者SK海力士，但領先於三星電子的HBM產品和市場進度。

近日還有訊息指出，美光即將開始量產其12層堆疊的HBM，並將其供應給領先的AI半導體公司英偉達。

美光表示：“我們繼續收到主要客戶對美光HBM3E 12-Hi堆疊的積極反饋，儘管功耗比競爭對手的HBM3E 8-Hi低20%，美光的產品依然提供50%更高的記憶體容量和行業領先的效能。”

12層HBM3E堆疊預計將用於AMD的Instinct MI325X和MI355X加速器，以及Nvidia的Blackwell B300系列計算GPU，服務於AI和HPC應用。

而相比之下，三星電子最近才進入8疊層HBM產品的小規模量產階段，尚未透過12疊層產品的測試。三星計劃在近期向英偉達傳送12層堆疊 HBM 樣品產品，但最終交付仍需獲得批准。

然而，美光在趕超了三星電子之後，如今還正努力在今年晚些時候幾乎與SK海力士同步量產16層HBM3E。

一位業內人士透露，“美光正在對量產裝置進行最後評估，並在關鍵製造裝置上進行了大量投資”。有分析人士預測，美光去年仍為個位數的HBM市場份額，將有望在2025年達到兩位數。

實際上，美光傳統上在HBM領域處於弱勢。但在2022年大膽放棄了HBM3的量產，美光將精力集中在了HBM3E記憶體的研發和改進上。這一決策收穫了豐碩的成果，使美光獲得了HBM最大需求方英偉達的訂單，並開始向英偉達出貨HBM3E記憶體。

目前HBM需求處於頂峰，而美光自己也透露，2025年生產線已被預訂一空。

毫無疑問，HBM是過去一年多時間裡最熱門的DRAM技術和產品，三星、SK海力士和美光圍繞著它展開了一場“三國大戰”。

SK海力士成為了這一行業的領頭羊，正在不斷鞏固自己在這個利基市場的領導地位。據悉，SK海力士正在加快開發HBM4以滿足英偉達的要求，目標是在年內完成，並計劃於2026年實現量產。

美光首席財務官Mark Murphy預計，美光下一代HBM4將在2026年量產，同時還在推進HBM4E的開發。

而三星明顯落後於上述兩家廠商，其向英偉達供應HBM3E的程序出現了延遲，押注10nm第六代1c DRAM和HBM4的進展，也無疑使三星陷入困境。

值得注意的是，三星在為其第六代1c DRAM量產做準備的同時，一場圍繞著DRAM的新角逐，正在隆重上演。

據Business Korea報道，三星電子已開始建設一條新型試驗線，該測試線被稱為“one path”線，以提高公司在10nm級別上的第七代DRAM的產量，預計將於2025年第一季度完工。

也就是說，三星在第六代DRAM還沒進入量產階段前，就已經開始為第七代DRAM建置廠房。外界認為，三星此舉是為明年重奪優勢而提前進行投資。由於三星在包括DRAM以及HBM在內諸多儲存領域逐漸失去領導地位，提前開始下一代試產線的建設可能是公司迫切希望重新獲得競爭力的舉措。

與此同時，美光還在低功耗DRAM領域嶄露頭角，這一領域也是半導體行業的關鍵競爭戰場。

據報道，美光將為三星Galaxy S25提供大部分初期批次的記憶體晶片，其LPDDR5X晶片在功耗效率和效能上據稱優於三星自家產品，同時也解決了三星記憶體晶片發熱量過大的問題。這也是三星Galaxy系列首次由非三星的公司成為主要記憶體供應商，而三星半導體將僅作為第二記憶體晶片供應商。

美光作為全球領先的獨立記憶體晶片製造商，在LPDDR市場已經取得了顯著成就：

儘管如此，這一訊息還是引發了業內的廣泛關注，因為美光作為三星的競爭對手，在過去十多年裡一直充當三星的第二大記憶體供應商，而這次卻被提升為主要供應商。這一決定顯然是基於價格、效能、功耗等多方面的考慮，尤其是在DRAM晶片領域，三星的競爭力似乎正面臨挑戰。

一直以來，三星電子的半導體部門（特別是三星MX）在全球記憶體晶片市場中佔據了領先地位，尤其在高階手機市場，其記憶體晶片幾乎成為了智慧手機的標準配置。但近年來，三星在記憶體晶片的技術進步上似乎有所滯後，尤其是在低功耗DRAM和HBM的技術上，逐漸被美光、SK海力士等競爭對手迎頭趕超。

相比之下，美光近年來加大了對技術創新的投入，推出了一系列更高效、更穩定的DRAM晶片，成功彌補了在效能和功耗方面的差距。

此外，美國渴望擴大半導體自給自足率，在這一大背景下美光也獲得了美國政府大量資金支援，得以新建大型儲存晶圓廠。與韓國同行相比，在美國《晶片與科學法案》的推動下，使得美光擺脫了資金和生產能力有限的困境。

去年，美光從美國商務部獲得了61.65億美元的補貼，這是其在愛達荷州和紐約州1250億美元設施投資的一部分。

今年早些時候，美光宣佈將在新加坡裕廊建設一座價值70億美元的先進封裝設施，用於HBM生產，該設施將為英偉達和博通供貨。此外，美光計劃到2027年在日本廣島建立HBM生產設施，預計美光的HBM生產能力將從2024年底的每月2萬片晶圓增加到2025年底的每月6萬片晶圓，增長三倍。

與此同時，美光的美國身份也使其更容易接觸英偉達、英特爾、AMD等AI晶片企業，便於拿下更多的HBM訂單。

傳統上，美光在通用DRAM領域排名第三，如今在DRAM、HBM和低功耗記憶體等定製半導體領域取得了顯著突破。此前並未將美光視為重大威脅的韓國儲存器公司，正密切關注其進展。

美光的崛起或將對整個儲存市場格局產生了深遠影響，市場競爭變得更加激烈，各大廠商為了爭奪市場份額，會不斷提升產品效能、降低成本，這將推動整個行業的技術進步和產品升級。

然而，三星能否在記憶體晶片領域重新奪回市場份額，還需看其如何應對當前的技術困境和市場挑戰。除了在DRAM晶片的技術創新上進行投入，三星還需要在成本控制、製造能力、良率等諸多方面做出相應的調整，以確保在激烈的市場競爭中扭轉局勢。

在美光1γ DRAM的輝煌成就背後，EUV光刻技術的作用舉足輕重。

EUV光刻能夠實現更高的解析度，讓DRAM晶片中的電晶體尺寸進一步縮小，從而在相同的芯片面積上整合更多的電晶體，提高了晶片的效能和儲存容量。透過EUV光刻技術，美光成功地將1γ DRAM的容量密度產出較上一代提升30%以上。EUV光刻技術還減少了多重光刻步驟，相較於傳統光刻技術在製造先進晶片時需要多次曝光和圖案疊加，這不僅增加了生產成本，還容易引入誤差。而EUV光刻技術可以在一次曝光過程中完成更復雜的圖案刻畫，大大提高了生產效率和晶片的良品率。

目前，美光在日本的晶圓廠生產1γ DRAM，該公司的第一臺EUV工具於2024年在日本安裝。隨著美光1γ記憶體產量的提高，它將在日本和臺灣的晶圓廠增加更多EUV系統。

美光DRAM技術路線圖也顯示，1γ之後，美光也將在1δ工藝中採用EUV技術，同時美光在未來幾年將發展3D DRAM的架構，以及用於DRAM生產的High-NA EUV光刻技術。

AI浪潮下，儲存市場DRAM晶片正朝著更小、更快、更好的方向發展，EUV光刻機擔當重任。

早在多年前，三星和SK海力士就已引入EUV光刻機生產DRAM晶片。作為全球儲存器市場的主要玩家之一，美光在採用EUV光刻技術方面略顯保守，是業內最後一家採用該最先進技術的公司。

如今，隨著美光采用EUV光刻技術生產DRAM，宣告著DRAM晶片製造全面進入EUV時代，也使得DRAM市場對EUV光刻機的需求進一步攀升，促進EUV光刻機技術的研發和創新。

美光率先量產第六代DRAM晶片並在HBM領域取得的進展，不僅展示了其在技術創新和市場競爭中的強大實力，也為整個半導體行業的發展帶來了新的活力和調整。

尤其是在DRAM和HBM市場，美光的突破或將打破原有的市場格局，加劇市場競爭。美光計劃在2025年將其HBM市場佔有率提高到20%-25%之間 ，這一目標將對SK海力士和三星在HBM市場的主導地位構成挑戰。

過去幾年，曾經笑傲市場幾十年的霸主似乎不復往日輝煌，英特爾經歷了史上最大裁員和股價暴跌，三星在HBM上舉步維艱，連DRAM微縮技術也不復領先，而SK海力士則在潛心經營多年HBM後獲得了豐厚回報。

至於美光，在近年來頗為強勢的攻勢下，再給了韓國儲存晶片巨頭當頭一棒。