DRAM價格，飆升22％

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由於特朗普政府引發的關稅風險，IT裝置製造商紛紛採取措施確保晶片庫存，導致4月份DRAM和NAND的固定交易價格飆升。不僅高頻寬儲存器（HBM）等超高價位儲存器的價格上漲，通用DRAM的價格也隨之上漲，預計這將對三星電子和SK海力士第二季度的業績產生積極影響。

據市場調查公司DRAMeXchange 4月30日的資料顯示，用於個人電腦的通用DRAM DDR4 8Gb（千兆位元組）產品的固定交易價格為1.65美元，較3月份上漲22.22%。用於儲存卡和USB的128Gb MLC NAND快閃記憶體的固定交易價格也較3月份上漲11.06%，達到2.79美元。

固定交易價格是指三星電子和SK海力士等半導體公司向大客戶供貨的價格。此次價格上漲的原因是IT裝置製造商已經耗盡了記憶體庫存，並大規模採購半導體。業內專家認為，由於美國政府宣佈了互惠關稅和90天的寬限期，大型PC公司已採取行動提前確保記憶體庫存。

三星電子和SK海力士預計，這一趨勢可能為第二季度的銷售增長帶來機遇。SK海力士DRAM營銷主管金圭鉉(Kim Kyu-hyun)在4月24日舉行的第一季度財報釋出會上表示：“從最終消費者的角度來看，他們可能會在價格上漲（受關稅影響）之前搶購，這可能會刺激替換需求。”

DRAM 行業轉向先進節點

各大 DRAM 製造商正在加緊計劃，縮減使用舊工藝的產量。例如，三星計劃在 2025 年大力擴大其 1a/1b 奈米產能，逐步淘汰依賴 1y 和 1z 奈米 DRAM 晶片的模組。這一戰略轉變迅速推動了現貨市場的價格調整。

雖然其他 DRAM 製造商仍能提供類似的產品，但長期趨勢很明顯：行業巨頭正在將資源轉向 DDR5 和高頻寬記憶體 (HBM)，將曾經謹慎的市場轉變為日益活躍的市場。

隨著OEM廠商將新款筆記型電腦升級至DDR5，DDR4在注重價效比的產品領域依然需求強勁，這推動了訂單詢價激增，並推動了市場活動。一些分銷商已提前開始備貨，以確保庫存水平穩定。4月份現貨市場資料顯示，DDR5價格漲幅較3月份放緩至約8%，且近幾周漲幅有所放緩或略有下降。

這種疲軟主要是由於之前價格大幅上漲以及英偉達 H20 晶片對中國的出口限制造成的中斷，從而增加了市場的波動性。

相比之下，DDR4 價格強勁增長，其中 DDR4 16GB 模組漲幅最大。2Gx8 和 1Gx16 配置等產品的月度漲幅達 11% 至 14%，創下自 2024 年末價格長期停滯以來的最大單月漲幅。與此同時，DDR3 4GB 也接近其生命週期的末期，最早可能在今年夏天出現供應短缺。然而，高庫存水平以及終端應用向 DDR4 的持續轉移使其價格漲幅較為溫和，約為 4% 至 5%。

NAND面臨價格上限壓力

4月份快閃記憶體晶圓價格持續攀升，512GB TLC達到2.76美元左右，較3月份上漲6%。然而，1Tb QLC價格在4月初曾一度飆升至5美元，但月底回落至4.95美元。中國業內人士指出，手機品牌廠商與NAND廠商之間出現了僵持局面，加之終端備貨需求弱於預期，使得NAND價格上漲的持續性更加困難。

根據中國快閃記憶體市場 (CFM) 的研究，NAND 製造商的減產措施收效有限，供應仍然超過需求，尤其是在高容量通用快閃記憶體 (UFS) 領域。展望未來，NAND 生產商可能會進一步限制產量以維護利潤率，此舉可能會重塑未來幾個季度的供應格局。

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