DRAM，史上首次！

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根據市場研究公司Counterpoint Research週三釋出的一項新分析報告，SK海力士史上首次奪得全球DRAM市場冠軍，超越了長期以來的行業領導者三星電子。

報告指出，今年第一季度，SK海力士佔據了全球DRAM市場36%的份額，略高於三星電子的34%和美光的25%。該公司強勁增長的關鍵驅動力在於其在高頻寬記憶體（HBM）領域的主導地位，據報道，該公司在該領域佔據了70%的市場份額。

這是 SK 海力士自 1983 年成立以來首次在全球儲存器市場佔據主導地位。

三星電子曾是儲存器領域的霸主，統治市場長達 30 多年，如今卻被擠到第二位，市場份額為 34%，美光科技 (Micron Technology Inc.) 緊隨其後，市場份額為 25%。

SK海力士之所以能反超三星，主要原因是人工智慧蓬勃發展，對 HBM 晶片的需求強勁。

HBM，助SK海力士登頂

“這一里程碑歸功於SK海力士能夠滿足DRAM領域，尤其是HBM領域的強勁需求，”Counterpoint Research高階分析師崔正九（Choi Jeong-gu）表示。“這對公司來說意義非凡。”

這家韓國晶片巨頭的成功源於其過去10年來對HBM研發的不懈投入。

2013年，SK海力士在全球首次研發出HBM晶片時，市場對這種高效能晶片的需求並不高。

SK海力士在官方部落格中也承認，起初，HBM 的複雜性和利基應用令業界心存疑慮。儘管如此，SK 海力士仍憑藉對未來計算的大膽願景，持續投入資金推進HBM技術，因此在AI熱潮來臨時，憑藉其領先地位，SK海力士輕鬆佔領了HBM市場。最新資料顯示，SK海力士憑藉其最新推出的12層HBM3E晶片，獨家供應給全球市值最高的AI公司英偉達的AI加速器，在1-3月季度佔據了全球HBM銷售額的70%以上。

根據SK海力士3月4日提交的檔案，其美國銷售子公司SK海力士美國公司去年的銷售額為33.49萬億韓元（約合230億美元），淨利潤為1049億韓元（約合7190萬美元），較上一年的12.54萬億韓元（約合85.9億美元）增長了2.6倍。去年，SK海力士業績創歷史新高，總銷售額達66.19萬億韓元，營業利潤達23.47萬億韓元。HBM產品表現尤為強勁，佔第四季度DRAM總銷售額的40%以上。

SK 海力士預計，在人工智慧的推動下，該公司預計，到 2027 年，HBM 記憶體晶片的需求將以每年 82% 的速度增長。

Counterpoint分析師也表示：“SK海力士已經做好了充分的準備，以應對HBM需求的激增。”這和韓國時報的報道一致。因為後者表示，SK 海力士預計其 HBM 銷量將在 2025 年翻一番。

SK海力士管理層在電話會議上表示，今年上半年，HBM3E將佔我們HBM的一半以上。此外，我們相信12層HBM4將成為我們2026年的旗艦產品，並將在今年完成12層HBM4的開發和量產，以便我們能夠按時交付給客戶。

“我們的目標是在今年下半年完成HBM4的開發和量產準備，並開始供應。HBM4的供應將從12層晶片開始，然後是16層。預計16層晶片將根據客戶需求在2026年下半年交付。”SK海力士管理層強調。該公司認為，配備人工智慧的智慧手機和個人電腦的銷量將會擴大，從而在 2025 年下半年推動其消費市場的銷售額增長。

作為對比，三星則更依賴於傳統DRAM。相關報道指出，該公司約80%至90%的晶片銷售額依賴於傳統晶片。然而，由於中國廠商憑藉更便宜的替代品迅速崛起，傳統記憶體晶片的需求正在減弱，價格也在下降，這也是推動擁有HBM領先優勢的SK海力士更上一層樓的原因之一。。

由於HBM需求預計將保持強勁，分析師認為SK海力士很可能在第二季度保持領先地位。儘管人們對美國加徵關稅的擔憂日益加劇，但預計其對HBM市場的影響有限。

Counterpoint分析師表示：“短期內，強勁的人工智慧需求將使HBM市場免受貿易相關衝擊的影響。HBM主要用於人工智慧伺服器，該伺服器本質上是一個無國界的產品類別，受貿易壁壘的影響較小。”然而，他警告稱，長期風險依然存在，尤其是如果貿易緊張局勢持續導致整體經濟狀況惡化的話。全球經濟放緩最終可能會對HBM市場的擴張造成壓力。

DRAM製程，也在反超？

如果說HBM的領先是SK海力士能夠領先的果，因就是他們在技術上持之以恆的投入。

據韓國媒體 Hanhooki 的一篇新文章中透露，SK 海力士新的 1c DRAM 良率已達到 80%， 2024 年 8 月宣佈，SK 海力士宣佈已成功開發出全球首款基於 1c 工藝的 16GB DDR5 DRAM。根據電路線寬的不同，DRAM 的開發順序依次為 1x、1y、1z、1a、1b、1c 和 1d，其中 1c 是最先進的技術。1c 大約等於 11奈米到12 奈米。

考慮到該公司在 2024 年下半年的良率僅為 60%，這在短時間內可謂是一個巨大的進步。由於該公司目前專注於 HBM4 的生產，我們預計“基於 1c”的 DDR5 記憶體解決方案不會很快上市。不過，我們可以看到 DRAM 技術在 HBM4 上的實際應用，很可能是效能更強大的 HBM4E。

憑藉這一成就，可以肯定地說，SK海力士已經超越三星，暫時佔據DRAM領域的技術領先地位。儘管三星自主研發1c DRAM模組已有相當一段時間，但早前，有媒體報道，他們正在重新評估1c DRAM模組，以提高良率，該公司仍難以掌控局面。

韓媒Zdnet在二月表示，自去年下半年以來，三星一直在重新設計其尖端 DRAM，以增加晶片尺寸。這是一種比生產力和效能更注重“良品率（良品與投入品的比例）”的戰略，被解讀為將能力集中於HBM（高頻寬儲存器）等高附加值儲存器的穩定量產的戰略。

根據最初規劃，三星電子計劃優先將1c DRAM應用於下一代HBM4（第6代HBM）。目的是快速提高 HBM 與 DRAM 的競爭力，使其領先主要競爭對手一代。 SK Hynix、美光等已決定為HBM4採用1b DRAM。

然而，三星電子的1c DRAM自開發初期以來就一直難以提高成品率。據悉，該系列產品於去年下半年產出首批優質產品，但良率並未達到令人滿意的水平。現在，SK海力士將成為首家開始量產HBM4的公司，遙遙領先於競爭對手，而且看起來，這種差距還將繼續擴大。

據Techinsights在最新的報告中指出，三星和 SK 海力士已將 D1a 和 D1b 單元設計產品商業化，包括 DDR5、LPDDR4X、LPDDR5 和 LPDDR5X。同時，他們也完成了最小的 12nm 級 DRAM 單元設計。

Techinsights表示，兩家公司在採用 EUV 光刻技術方面均處於領先地位，而美光則在其 1α 和 1β 代中繼續使用基於 ArF 和 ArFi 的圖案化技術，並計劃在其 1γ 代中引入 EUV。三星在 D1a 和 D1b 代中將 EUV 光刻擴充套件到五個或更多掩模。SK 海力士遵循類似的 EUVL 策略，已將其用於 D1a 和 D1b 代，並計劃在未來幾代中增加 EUVL 步驟。

與此同時，高 K 金屬柵極 (HKMG) 技術正日益普及。三星率先將 HKMG 用於D1x GDDR6 晶片的外圍結構，並將其擴充套件到 D1y DDR5 晶片。美光已在 D1z 圖形 DRAM 中實現了 HKMG，並將從 D1β 代開始將其擴充套件到所有 DRAM 型別。SK 海力士在 D1y 和 D1a GDDR6 中集成了 HKMG，最近又在 D1b DDR5 器件中集成了 HKMG。

“明年初，各大廠商將推出D1c工藝的量產DRAM，隨後到2026年或2027年，最終的10奈米級DRAM器件（D1d或D1δ節點）將問世。到2030年，DRAM技術預計將縮小到個位數奈米節點，包括0a、0b、0c或0α、0β和0γ代。三星正在開發VS-CAT和VCT 3D DRAM，而SK海力士和美光則專注於垂直堆疊DRAM。DRAM技術的未來前景光明，有望滿足高效能應用和新興技術日益增長的需求。Techinsights強調。

寫在最後

回看過去今年的儲存市場，除了三星、SK海力士和美光等高手過招以外，中國的長鑫儲存、長江儲存，中國臺灣的華邦、南亞和力晶也在“猥瑣發育”。最初，大家可能聚焦的產品替代。但隨著廠商技術的進步，無論是先進，還是後來者，都在產品和技術路線圖策略上發生了變化。

尤其是在地緣政治成為既定事實，人工智慧也高速崛起之際，這些廠商的競爭尤為激烈，機會也大增。再加上現在DRAM正在技術變革的關鍵期。

未來，是否會冒出又一個DRAM新巨頭，尚未可知。但可以肯定的是，中國DRAM產業，任重而道遠。

參考連結

https://koreajoongangdaily.joins.com/news/2025-04-09/business/industry/SK-hynix-claims-top-spot-in-global-DRAM-market-for-first-time/2281302

https://www.kedglobal.com/korean-chipmakers/newsView/ked202504090006

https://eng.sk.com/perspectives/hbm-technology-the-silent-catalyst-of-the-ai-revolution

https://www.tweaktown.com/news/104512/sk-hynix-has-phenomenal-yield-rate-increase-of-its-1c-dram-modules-for-consumer-hbm-memory/index.html

https://zdnet.co.kr/view/?no=20250210164808

https://www.techinsights.com/blog/dram-memory-technology-roadmap-update-q2-2024

END