三星豪賭下一代DRAM，儲存大廠預警：前景不妙

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來源：內容來自經濟日報，謝謝。

三星電子宣佈成立一個工作組，致力於推進第七代 DRAM 的量產。這一舉措被視為潛在的遊戲規則改變者，旨在顛覆高頻寬記憶體 (HBM) 領域及其他領域的當前動態。這一宣告是在業內競爭對手 SK Hynix 和美光的激烈競爭中釋出的，這兩家公司都在 DRAM 技術方面取得了重大進展。

去年，SK海力士完成了第六代DRAM（D1c）的開發，並於8月對D1d進行了工藝可靠性評估。該公司目前已確保該代產品的量產能力，並計劃從今年下半年開始將其應用於通用DRAM。在去年 1 月舉行的業績釋出會上，SK 海力士強調了其戰略投資，旨在提高產量，以應對未來的 HBM 供應形勢。 SK海力士相關人士表示：“未來我們將把1c奈米工藝應用於HBM4E，透過及時開發和供應來保持市場領先地位。”

與此同時，美光公司上個月也透過向潛在客戶運送基於“1γ”（伽馬）的 DDR5 樣品引起轟動，這與他們在 D1c 技術方面的進步相一致。儘管在第五代 DRAM 方面最初落後於三星電子，但 SK 海力士和美光去年都成功將 D1b 商業化。

三星決定停止生產較舊的 10 奈米 (1z) 工藝 LPDDR4 8 千兆位晶片，這突顯了三星重新關注第 7 代 DRAM。作為此次戰略改革的一部分，三星 DS 部門負責人 Jeon Young-hyun 已下令對 D1a（第 4 代）電路進行部分重新設計。該公司計劃於 2026 年開始量產 10 奈米級 D1d，並於 2027 年開始量產亞 10 奈米級第一代 DRAM（D0a）。

隨著三星電子踏上推進第七代 DRAM 技術的雄心勃勃的征程，行業觀察家將密切關注這些發展如何影響全球記憶體市場動態。隨著 SK 海力士今年專注於高頻寬記憶體投資，以及美光公司推進其 DDR5 產品，技術領先地位的競爭仍在繼續。其結果可能不僅會影響企業的命運，還會影響未來幾年半導體行業的更廣泛趨勢。

SK海力士預警：前景不妙

韓國記憶體大廠SK海力士昨日公佈上季財報優於市場預期，惟公司示警下半年記憶體狀況不妙，主因美國關稅政策未定，使得全球總體經濟不確定性大，可能導致需求波動。法人憂心，下半年記憶體市場飄來烏雲，恐不利南亞科、威剛、十銓等臺廠後市。

法人目前普遍對記憶體後市保守看待，預期下半年可能將再度出現「價量齊跌」慘況，須待美國關稅政策實施後，才有機會進一步明朗。

上半年記憶體市場有AI產品需求暢旺，以及業界趕在美國對電子產品加徵關稅前提前拉貨等助力，惟市場普遍憂心提前備貨的急單潮退去後，下半年旺季需求恐受影響，SK海力士昨天股價因此未隨上季亮眼財報起舞，終場下挫1.5%。

SK海力士首季淨利比去年同期大增322%、達8.11兆韓元，營業利益年比暴增157.8%、達7.44兆韓元（約52億美元），營收年增41.9%至17.64兆韓元，為歷來單季次高，這三個數字也都優於市場預期。不過，上季營業利益季比下滑7.9%，營收季減10.8%，反映傳統淡季影響。

展望後市，SK海力士警告，美國稅政策等總經不確定性已導致需求波動，將影響下半年記憶體市況。

SK海力士指出，雖然一些國家之間的對等關稅措施目前已經暫停，但對半導體產品可能遭課徵關稅的憂慮日漸升高，惟該公司預期關稅對其AI伺服器需求的影響有限，PC和智慧手機等消費電子產品的需求，也預料將受惠於業者今年陸續推出新款配備AI功能的新產品。

業界指出，當前非AI應用記憶體市況，大致可分為消費性及車用、工控等利基型市場。

其中，消費性市場DRAM、儲存型快閃記憶體（NAND Flash）隨著記憶體晶片大廠減產效應奏效，加上首季OEM／ODM回補庫存需求強勁，使得DDR4／DDR5標準型DRAM出現價量回升趨勢，NAND Flash同樣出現止跌回升商機。

至於車用、工控市場需求仍相對疲弱，但價格亦有升溫跡象。

由於美國加徵關稅政策可能在第2季全面到來，屆時OEM／ODM廠及終端通路拉貨成本都會大幅提升，因此，對消費性市場的衝擊可能延伸到至少今年底。