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全球頂級高頻寬記憶體晶片製造商計劃採用 HBM5 晶片的垂直記憶體堆疊技術。
全球最大的 DRAM 記憶體晶片製造商SK 海力士公司計劃從其第五代高頻寬記憶體（HBM5）中引入真正的 3D HBM，旨在重新定義人工智慧記憶體晶片的競爭格局。
SK海力士的一位高管在週四的技術研討會上表示，這家韓國晶片製造商正在積極研究 3D HBM 的實現，一種變革性的架構，其中 DRAM 晶片位於圖形（GPU）的頂部，而不是放在其旁邊。
SK海力士副總裁兼封裝開發部門負責人李康旭
海力士副總裁兼封裝開發部門負責人李康旭在電子和資訊工程師協會年會上的主題演講中表示：“在GPU上垂直檢視DRAM可能會遊戲規則。”
他表示，架構上的飛躍將顯著減少資料傳輸延遲，同時提高頻寬和功率效率，這其實是效能要求高的人工智慧行業的關鍵指標。該公司的HBM路線圖，將從3D HBM推出，HBM5開始——該產品仍然領先幾代。
SK海力士目前在HBM開發方面處於行業領先地位，其 HBM3E 晶片已投入量產，HBM4 預計將於今年晚些時候推出，HBM4E 將於 2026 年推出。他表示，HBM5 中可能會引入 3D，預示著該公司將採取長期戰略，確保在生成 AI 模型所需的儲存晶片式技術優勢。
炙手可熱的 AI 晶片市場
隨著晶片微型化變得更加困難，3D晶片封裝技術的競爭也愈演愈烈。SK海力士的同城競爭對手三星電子同時研發3D晶片封裝技術，以努力追趕代工或晶片代工領域的領先者臺灣半導體制造公司（TSMC）。SAINT（三星先進互連技術）計劃將GPU晶片（包括AI晶片）所需的記憶體和處理器整合到更小的尺寸中。
首爾晶片峰會SEDEX 2024上SK海力士展位上展示的AI影片
封裝是半導體制造的最後步驟之一，將晶片裝入保護殼中以防止腐蝕，並提供介面來組合和連線已製成的晶片。 臺積電、三星和英特爾等領先的晶片製造商正在爭相競爭先進的封裝技術，這種技術可以整合不同的半導體或垂直互連多個晶片。先進的封裝可以將多個器件封裝並封裝為單個電子裝置。半導體封裝 技術可以提高效能，而進而透過超精細加工縮小到奈米級，這在技術上已具備，而且需要更多時間。
鍵合
SK海力士引進混合李健熙表示，該公司還計劃從HBM4E代開始引入混合鍵合技術，該技術將用於20層以上的DRAM晶片。 在16層的第六代HBM（HBM4），該公司使用MR-MUF技術，該技術涉及用微凸塊連線DRAM層之前，並用液體材料填充透明。 不過，他表示，20層以上開始，鍵合至關重要。
按鍵合通過銅對銅接觸直接混合連線半導體層，覆蓋微凸塊，可實現晶片更薄、筆記本效能更好。
該公司預計，新的關鍵合方法將在效能和能效方面帶來進一步優勢。除了硬體創新之外，SK海力士還在積極爭取其先進的2奈米工藝節點的客戶。
韓國人工智慧晶片公司DeepX就是其中之一，該公司最近簽約成為其2奈米工藝節點之一，這一里程碑凸顯了SK海力士在韓國人工智慧半導體生態系統中迫切增長的作用。DeepX專注於嵌入在物理安全、機器人、家用電器、智慧移動和智慧相機等應用中的人工智慧半導體。潛在正值全球人工智慧晶片供應鏈競爭激烈的競爭之際，英偉達、臺積電、三星和美光科技等行業競相在對大型語言模型和高效能計算重要的記憶體技術方面獲得性能和規模優勢。
參考連結
https://www.kedglobal.com/us/korean-chipmakers/newsView/ked202504180004
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