美光的EUV戰略，引發新擔憂

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美光科技最新的 DRAM 原型凸顯了它與三星電子和 SK 海力士在晶片製造領域的巨大分歧，這種差異可能會影響未來的行業競爭。

美光選擇儘量減少使用極紫外 (EUV) 光刻技術，轉而依靠成熟的氬氟浸沒 (ArFi) 光刻技術來加速生產。相比之下，三星和 SK 海力士計劃擴大對 EUV 層的使用，業內專家表示，此舉可能會影響長期產量、生產效率和晶片效能。

據業內人士透露，美光公司在 2 月份推出的 10 奈米級第六代 (D1c) DRAM 中，只在有限的幾個步驟中採用了 EUV。美光公司的一位發言人表示：“EUV 技術仍然缺乏完全的穩定性，因此我們只在絕對必要的情況下才使用它。我們認為，在評估了成本和生產力之後，這是正確的時機。”

三星是業內首家採用 EUV 進行記憶體晶片生產的公司，自 2020 年以來，該公司一直在穩步擴大 EUV 的使用範圍。該公司最初將 EUV 應用於第三代 10 奈米 (1z) DRAM 的單層，後來增加了 EUV 層的數量。其即將推出的 D1c DRAM 將具有五層以上的 EUV 層。

SK 海力士採取了更為謹慎的做法。該公司於 2021 年在 DRAM 製造中引入了 EUV，從其第四代 10 奈米 (D1a) DRAM 開始，其中僅使用了一個 EUV 層。SK 海力士現在計劃在其下一代 D1c DRAM 中應用五個或更多的 EUV 層，以符合三星的戰略。

美光歷來避免在 DRAM 生產中使用 EUV，並繼續採取保守的做法。其最近交付的 D1c DRAM 原型僅使用一個 EUV 層，嚴重依賴基於 ArFi 的多重圖案化。然而，行業分析師警告稱，隨著晶片設計變得越來越先進，僅依靠 ArFi 光刻可能會導致成品率下降和生產成本上升，這可能會使美光在獲得高效能 DRAM 訂單方面處於不利地位。

一位行業專家表示：“目前，用基於 ArFi 的多重圖案化技術取代單一 EUV 層是可行的，但隨著 EUV 層的數量超過三層，複雜性差距將擴大。”“在大規模生產中，三星和 SK 海力士擁有多年穩定 EUV 工藝的經驗，很可能在產量和產量方面佔據優勢。”

三星擁有超過 30 臺 EUV 機器，是三家記憶體製造商中最多的。在第四代和第五代 10 奈米 DRAM 遭遇挫折後，三星正在對其 EUV 工藝進行調整。該公司專注於改進光刻膠材料、改進光源和增強掩模技術，內部評估顯示產量和工藝效率有所進步。

參考連結

https://www.chosun.com/english/industry-en/2025/03/10/GZWB6BSEZRCK3LFSZR5CIW62YI/

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