GaN，風雲驟變

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近日，氮化鎵（GaN）市場風雲再起：臺積電正式宣佈將在兩年內全面退出GaN代工業務；力積電趁勢接下Navitas的訂單，填補臺積電撤退後的產能缺口；英飛凌則全力推進12英寸GaN產線程序；瑞薩電子暫停碳化矽（SiC）專案、轉而加碼GaN；與此同時，ST與英諾賽科透過戰略投資與“鎖倉”延長禁售期，進一步深化繫結關係。這一連串動作，正將GaN推向新一輪的內卷。

GaN憑藉更高的開關速度、更低的損耗與更小的尺寸，被視為傳統矽器件的“潛在繼任者”。在全球能源轉型與高能效驅動的背景下，GaN半導體市場正步入加速成長期。尤其是在亞太、北美、歐洲等核心市場，相關企業正密集佈局，爭奪未來制高點。

但在這一輪熱度背後，GaN的真正考驗正在醞釀——GaN能否從快充、消費電源等邊緣應用，邁向電動汽車主驅系統等高壓核心場景？

臺積電抽身，力積電接棒

臺積電在7月3日發表宣告稱，決定在兩年內逐步淘汰其GaN半導體代工業務，分析師表示，此舉是由於來自中國的競爭侵蝕了該產品的利潤率。由於對GaN低利潤前景感到擔憂，臺積電已決定逐步淘汰其GaN業務，並停止200毫米晶圓生產的研發。報道稱，該決定是在業務發展高階副總裁張建軍的建議下，由董事長兼執行長魏哲家於6月中旬最終確定的。

此前臺積電對GaN的押注也很大，例如先後將6英寸和8英寸廠改為GaN產品線。不少廠商還與臺積電建立了戰略合作，例如羅姆（ROHM）、Navitas Semiconductor（耐能半導體），2024年12月，ROHM還宣佈與臺積電建立車載GaN功率器件的開發與量產戰略合作關係。但是架不住近幾年大陸廠商的攻勢。臺積電表示，正與客戶密切合作，確保過渡期順利進行，並盡力滿足客戶未來兩年的需求，逐步退出GaN市場不太可能影響其今年的銷售預期。

在此決定影響下，原本委託臺積電代工的Navitas宣佈，未來將逐步將生產從臺積電轉移至力積電（PSMC）。Navitas 表示，PSMC 預計將在位於竹南的工廠生產額定電壓為 100V 至 650V 的 GaN 產品組合，並將於 2026 年上半年首先生產 100V 系列。Navitas的GaN業務增長不錯，在2024年同比增長超過50%，在移動和消費領域，Navitas在2024年已獲得超過180個GaN充電器設計訂單，目前為全球十大智慧手機制造商供貨。

另一邊ROHM（羅姆）表示：“為了維持並深化合作體制，我們將繼續融合雙方的優勢，以適當應對市場和客戶需求。作為這一合作的一部分，關於未來（2027年以後）的開發與生產體制，我們計劃探討和協商多種可能性。”

英飛凌，12英寸GaN量產邁出關鍵一步

儘管臺積電正在退出GaN代工，但是另一邊英飛凌卻正在加大投入。據英飛凌新聞稿稱，憑藉其強大的IDM模式，英飛凌正在推進其在300毫米晶圓上的可擴充套件GaN生產，首批客戶樣品計劃於2025年第四季度釋出。

英飛凌已成為首家在其現有量產基礎設施內成功開發300毫米GaN功率晶圓技術的半導體制造商。在300毫米晶圓上生產晶片在技術上比在 200 毫米晶圓上生產晶片更先進，而且效率更高，因為更大的尺寸使每個晶圓的晶片產量增加 2.3 倍。

英飛凌堅信GaN市場依然強勁。該公司在新聞稿中表示，GaN 具有更高的功率密度、更快的開關速度和更低的能量損耗，可實現緊湊、節能的設計，非常適合從智慧手機充電器到工業機器人和太陽能逆變器等各種應用。

瑞薩放棄SiC，投身GaN

在SiC大潮下，瑞薩電子曾計劃投身SiC賽道，但最新訊息顯示，瑞薩已暫停SiC開發。據《日本經濟新聞》的報道，這一決定的背後，是電動汽車市場增長放緩以及中國廠商引發的SiC晶片供應過剩。

另外一個很重要的因素與合作伙伴Wolfspeed的破產重組脫不了干係。早在2023年7月，瑞薩宣佈透過與Wolfspeed達成為期10年的合作協議，正式進軍碳化矽功率晶片市場。協議內容包括瑞薩預付20億美元，鎖定150 mm與200 mm碳化矽晶圓的長期供應。

原計劃在2025年初，於群馬縣高崎市的工廠開始電動汽車用功率晶片的生產。但據《日經新聞》透露，該工廠的SiC專案團隊已被解散。目前瑞薩電子正準備出售其位於群馬縣高崎工廠的全新碳化矽裝置，而其群馬縣高崎工廠或改回做傳統的矽基市場、部分SiC設計小產線，以及為其未來氮化鎵器件研發和生產做準備。

瑞薩的GaN產品主要基於去年6月瑞薩電子所收購的GaN企業Transphorm。最近其推出的三款全新的第四代高壓 650V GaN FET——TP65H030G4PRS、TP65H030G4PWS 和 TP65H030G4PQS 器件採用強大的 SuperGaN平臺，該平臺是 Transphorm 公司首創的、經過現場驗證的耗盡型 (d-mode) 常關型架構，

第四代Plus產品採用比上一代第四代平臺小14%的晶片，實現了30毫歐姆(mΩ)的更低導通電阻(RDS(on))，導通電阻降低了14%，導通電阻輸出電容乘積品質因數(FOM)提升了20%。更小的晶片尺寸降低了系統成本並降低了輸出電容，從而提高了效率和功率密度。這些優勢使第四代Plus器件非常適合注重成本、散熱要求高的應用，這些應用對高效能、高效率和小尺寸至關重要。它們與現有設計完全相容，可輕鬆升級，同時保留現有的工程投資。

ST與英諾賽科“鎖倉”合作，

加碼產業資本護航

氮化鎵（GaN）賽道風起雲湧，背後不乏產業資本深度博弈。近日，GaN功率器件的國內公司英諾賽科（Innoscience）釋出公告，確認其基石投資者意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST）已主動延長其持有H股的禁售期一年。這一“鎖倉”行為，不僅體現出ST對英諾賽科未來發展的持續看好，也釋放出國際巨頭深度參與中國第三代半導體產業鏈的強烈訊號。

早在英諾賽科計劃赴港上市期間，ST就以基石投資者身份加入了這場資本盛宴。ST作為最大基石投資者之一，與江蘇國資背景的混改基金、高階裝備產業基金等共同組成了產業資本聯盟根據2024年12月釋出的招股章程與配售結果公告，ST認購了12,592,100股H股，約佔公司已發行H股總數的2.56%，並承諾在上市後六個月內不減持，即初始禁售期至2025年6月29日結束。

而2025年6月30日，在合同即將終止前夕，英諾賽科公告稱，ST已正式書面通知公司，將自願將禁售期延長12個月，至2026年6月29日（含當日）。這意味著ST在未來一年內，不會透過任何方式減持相關股份。

通常而言，基石投資者在禁售期結束後會選擇部分減持以鎖定收益，而ST此番“反常”操作，更像是一種長期價值押注，顯示其對英諾賽科技術路線與成長性的高度認可。

資本層面的繫結，其實只是ST與英諾賽科合作關係的“冰山一角”。早在2025年3月，雙方就已簽署聯合開發和製造協議，攜手推進GaN功率器件的全球化量產。根據協議：英諾賽科可藉助ST在中國以外的前端晶圓製造能力，生產其GaN產品；ST則可使用英諾賽科在中國大陸的8英寸GaN產線，進行自家產品的本地製造。

從認購H股、簽署技術合作協議，到延長禁售承諾，ST對英諾賽科的“真金白銀”背後，是其對氮化鎵技術趨勢的堅定判斷。

中國玩家迅速崛起

在這輪GaN洗牌中，中國企業的位置格外關鍵。尤其是英諾賽科，英諾賽科是全球首家實現8英寸矽基氮化鎵（GaN）晶圓大規模量產的IDM企業，去年年底成功登陸香港聯交所主機板上市。

2024年英諾賽科實現營收人民幣 8.285 億元，同比增長 39.8%。截止2024年，英諾賽科的晶圓產能達1.3萬片/月，並計劃未來提高到2萬片/月。而且英諾賽科在海外的市場競爭力也不小，2024年來自海外的營收金額為1.26億元人民幣，佔總收入的15.3%，同比大增118%。

從政策支援角度看，GaN與SiC並列列入“第三代半導體”重點扶持方向，也獲得了相當規模的政府基金注入。但不同於SiC幾乎成為新能源車的“標配”，GaN的定位仍模糊。

內卷困局：從“快充神話”到“主驅焦慮”

從2018年首款GaN快充問世以來，GaN迅速成為消費電子圈的寵兒。但過度依賴“充電器”這一單一場景，也讓產業陷入了“卷價格不卷價值”的死迴圈。如今，市場對GaN最大的期待，是它能否真正進入主驅電源——也就是從“邊緣”進入“核心”，從“配角”變成“主角”。

Frost & Sullivan 預測，隨著 2024 年至 2028 年期間 GaN 功率半導體市場複合年增長率高達 98.5%，到 2028 年，隨著各領域應用的多樣化，市場規模預計將超過 68 億美元。屆時，GaN 功率半導體將佔據全球功率半導體行業的 10.1%。

而推動GaN市場發展的兩大主要力量除了消費電子，另外一個就是電動汽車。Yole預計，GaN在快速充電器和介面卡中的應用將不斷增長，複合年增長率高達71.1%，到2028年，消費電子產品市場規模將達到29億美元。電動汽車領域滲透率和單車價值的提升，將助力GaN市場規模到2028年達到34億美元，複合年增長率高達216.4%。

但要邁進主驅，並不容易。首先是可靠性要求的質變。主驅電源通常服務於汽車主逆變器、大功率工業電機、電動壓縮機等場景，對溫升、EMI、浪湧承受能力都有極高要求；GaN雖然效率高、開關快，但在熱管理、封裝、電流能力上仍需提升。

其次，是生態成熟度。GaN器件的“駕馭”難度遠高於矽，意味著系統設計廠商要投入更多的時間去適配柵極驅動、電磁相容、散熱管理等問題。在供應鏈還不穩定、EDA支援不完全、測試體系不完備的當下，敢“all in”的企業仍是少數。

但也不是沒有希望。Navitas、英飛凌、Transphorm、英諾賽科等企業正在積極推進高功率GaN的商業化驗證，特斯拉、豐田、大眾等主流車企正將GaN用於車載充電器、牽引逆變器和電池管理系統。例如，2025年3月28日，馬自達與ROHM聯合開發採用GaN的汽車零部件，兩家公司將合作打造一套涵蓋整車的方案，並在減重和設計方面進行創新。雙方計劃在2025財年推出一款演示車型，並計劃在2027財年實現實際應用。

結語

當下，GaN表面看似“百花齊放”，實則已邁入關鍵分水嶺。一場從“內卷競爭”走向“結構突破”的進化賽，正在悄然展開。未來兩年，不僅是GaN廠商們的策略考驗，也是GaN市場能否向主驅領域破局的關鍵視窗期。

*免責宣告：本文由作者原創。文章內容系作者個人觀點，半導體行業觀察轉載僅為了傳達一種不同的觀點，不代表半導體行業觀察對該觀點贊同或支援，如果有任何異議，歡迎聯絡半導體行業觀察。

END

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