鉛筆道作者 | 華泰詩
近日：來自山東青島的思銳智慧與國泰君安證券簽署輔導協議，正式衝刺IPO。
這是一家專注關鍵半導體前道工藝裝置研發、生成和銷售的公司，這些裝置廣泛應用於積體電路、第三代半導體、新能源、光學、零部件鍍膜等眾多高精尖領域。
思銳智慧的“殺手鐧”是8MeV高能離子注入機，其能量等級達國際先進水平，填補國內空白。該裝置重達38噸，可實現微米級深度摻雜，應用於影像感測器、5G射頻晶片等高附加值領域
融資方面，思銳智慧完成 B + 輪融資後，其估值達 41 億元。2024 年，思銳智慧被評為“中國隱形獨角獸 500 強” 稱號。
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青島思銳智慧科技股份有限公司（思銳智慧）前身為青島四方思銳智慧技術有限公司。
自2018年1月22日成立以來，便紮根於中國（山東）自由貿易試驗區青島片區，專注於關鍵半導體前道工藝裝置的研發、生產和銷售。
目前該公司已形成了 “雙主業” 佈局，包括：原子層沉積（ALD）裝置及離子注入（IMP）裝置成為其兩大核心產品。
氣裝置廣泛應用於積體電路、第三代半導體、新能源、光學、零部件鍍膜等眾多高精尖領域。
在思銳智慧的眾多產品中，ALD裝置是其明星產品。
ALD能夠在原子層面上精確地沉積薄膜，就如同用最精細的畫筆在晶片上繪製圖案，這種特性使其在第三代半導體材料（如碳化矽SiC和氮化鎵GaN）的製造中表現出色。
透過ALD技術，思銳智慧成功提升了器件的電學特性，改善介面態、提高擊穿特性、降低漏電等效果顯著。
2024年，ALD裝置訂單同比增長40%。
思銳智慧的高能離子注入機（如SRII-4.5M和SRII-8M）採用先進的射頻加速技術，能量解析度高達±1%，能夠滿足從28nm到更先進製程的工藝需求。
針對碳化矽（SiC）的特殊需求，思銳智慧的離子注入機採用了Al離子源設計，離子源壽命可達300小時，同時透過預加熱平臺和高溫靶盤解決了SiC退火啟用的難題。
其中，氣離子注入裝置更是打破國外技術封鎖，填補國內高階離子注入機的空白，逐步實現國產化替代。
這兩類裝置均屬於晶片製造四大核心裝置，技術難度僅次於光刻機。
客戶方面，該公司客戶群體涵蓋全球40個國家及地區的500多家半導體制造企業和科研機構。
透過國產化替代，思銳智慧為客戶提供了高性價比的解決方案，裝置採購成本降低20%-30%。
財務方面，2023年，該公司營業收入為46767.11萬元，但利潤總額為 -23948.29萬元。2024年截至7月31日，營業收入為21499.75萬元，利潤總額為 -14196.02萬元。
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思銳智慧創始人聶翔博士在半導體裝置領域深耕超20年。
2018年，他帶領團隊全資收購芬蘭Beneq公司，藉此獲得近40年的成熟ALD技術積累，實現從科研市場向工業市場的轉型，整合全球研發資源，順利切入高階鍍膜裝置市場，正式融入全球半導體產業鏈。
在資本的助力下，思銳智慧發展迅猛。
資料顯示，思銳智慧已完成多輪融資，包括數億元的B輪融資及B+輪融資。
完成B+輪融資後，思銳智慧估值達到41億元，背後投資方不乏上汽集團、尚頎資本、鼎暉投資、招商局創投、上海金浦、新鼎資本、創新工場等知名機構。
據行業資料顯示，2024年全球半導體裝置市場規模達到700億美元，預計未來5年將以10%的年複合增長率持續增長。
在市場競爭方面，國際巨頭如ASML、Applied Materials，國內企業如北方華創、中微公司等，都是其強勁對手。其中，ASML在全球市場佔據絕對優勢。
隨著半導體制造技術不斷進步，ALD裝置在3D NAND、先進邏輯晶片等領域的應用將更加廣泛。
資料顯示，薄膜沉積裝置市場規模約為175億美元，ALD裝置作為薄膜沉積的核心裝置，佔據約30%的市場份額。
在國內市場，隨著國產化率提升，ALD裝置需求增速高達20%，成為行業增長的主要驅動力。
本文內容僅供參考，不構成任何投資建議。本文還參考了觀海新聞、全球半導體觀察 、湖州產業集團、青島市情網、北京產權交易所交易系統等相關內容，一併致謝。文中圖片源自公司官網圖片。
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