“第三代半導體”成為當前科技主要議題，同時成為敏感話題。而且，隨著美中半導體大戰進入深水區，華裔科學家首當其衝被美國政府打壓。不少華裔科學家不堪忍受這種打壓，紛紛回到中國創業。其中包括前波士頓大學研究員廖翊韜。
廖翊韜，華裔美籍科學家，麻省光子創始人兼執行長。他2011年在波士頓大學光學中心攻讀博士學位，師從藍光 LED（Blue LED) 發明者之一 Theodore Moustakas， 並主攻深紫外 LED 技術。博士畢業後，他先是進入飛利浦公司擔任高階科學家，後來成為矽谷RayViO公司創始人，發明了LED晶片殺菌技術，研發出了一種新的半導體材料和製程工藝，使得用這種方法生產的深紫外LED 晶片得以功率更大，成本更低。
再後來，他成為中國戰略晶片生產線的主導人。今年7月30日，香港科技園公司聯合麻省光子技術（MassPhoton）舉行香港首條超高真空“第三代半導體氮化鎵（GaN）外延片中試線啟動禮”。廖翊韜表示，將在香港投資2億港元，與香港政府資助的香港科技園（HKSTP）合作建立一條8英寸氮化鎵外延片中試生產線，這是香港建設的首條第三代半導體材料氮化鎵（GaN）晶圓生產線，目標是到2027年實現年產能10000片。
同時，麻省光子將在科學園建立香港首個第三代半導體氮化鎵外延工藝全球研發中心。
廖翊韜表示，麻省光子的目標是將其氮化鎵晶圓應用於顯示技術、汽車和資料中心等領域。另外，他們還計劃在今年年底前再籌集1億港元的資金。
去年10月份，香港科技園公司與微電子企業傑平方半導體（上海）有限公司簽署合作備忘錄，在科學園設立以第三代半導體為主的全球研發中心，並投資開設香港首間碳化矽（SiC）8寸先進垂直整合晶圓廠。傑平方向該專案投資69億港元，並計劃到2028年達到年產240000片晶圓的產能。旨在共同推進香港微電子生態圈及第三代半導體晶片產業的發展。
香港創新科技及工業局局長孫東在7月30日的啟動禮上表示，第三代半導體就是香港近年來重點發展的科技領域。他表示，麻省光子技術落戶香港也將助力香港壯大創科人才庫。廖翊韜帶領的團隊由世界各地的專家組成，除了為香港帶來全球領先的前沿技術之外，更能匯聚環球微電子專業人才，促進技術交流。這也正好回應了三中全會提到支援香港打造國際高階人才集聚高地。
與此同時，美國緊緊盯著中國發展半導體產業的一舉一動。
廖翊韜與香港合作建立第三代半導體氮化鎵外延工藝全球研發中心觸碰到美國的敏感神經。這一舉動捅了美國的馬蜂窩。美國認為，這是巨大的國家安全漏洞。
美國國防智庫“詹姆斯敦基金會”日前報告指出，曾為美國軍方開發光子技術的華裔美籍科學家廖翊韜（Liao Yitao），被挑選作為中國戰略晶片生產線的主導人。此事態顯示，北京持續利用美國政策，迴避美國的技術管制，已對美國國家安全構成威脅。
報告說，中國上月底宣佈在香港成立其第三代半導體氮化鎵生產線，此重大行動突顯北京在半導體產業上的企圖心，該新產線由知名科學家廖翊韜率領，而他之前曾與美國軍方合作開發類似技術，在美中關係持續對立之際，該事件引發對美國安全政策，及對軍民兩用技術研究的監管之質疑。
報告說，這條新成立的晶片產線座落於香港元朗微電子中心（MEC）內，預定今年營運。該計劃由廖翊韜成立的公司“麻省光子技術”（MassPhoton
HK）推動，主要重點是開發8吋氮化鎵（GaN）外延片和相關的發光二極體技術（LED），這對第三代半導體技術的進展至關重要。該公司中文版網站提到，他們在波士頓大學成立光學技術實驗室，但英文版則沒有提到此點。
HK）推動，主要重點是開發8吋氮化鎵（GaN）外延片和相關的發光二極體技術（LED），這對第三代半導體技術的進展至關重要。該公司中文版網站提到，他們在波士頓大學成立光學技術實驗室，但英文版則沒有提到此點。
麻省光子技術網站顯示，該公司是由資深海歸技術團隊創立，總部位於深圳，在香港建立分支機構，並在徐州建立生產基地。該公司在香港投資至少2億港元，希望3年內生產1萬片氮化鎵晶圓，這些晶圓在電動車、高壓輸電與人工智慧（AI）等高科技領域的應用至關重要。
美國智庫的報告說，廖翊韜2005年起在波士頓大學的光子學中心擔任研究員，從事軍民兩用紫外光專利技術的研發，而在成立麻省光子技術公司之前，他還獲得美國陸軍研究實驗室的撥款，為各種國防應用，開發高效、高功率深紫外光（DUV）的LED。
詹姆斯敦基金會研究院張崑陽警告說，“目前研究安全方面的落差，已對國家安全構成重大威脅，美國軍方與學術界之間的計劃，到底有多少缺乏適當監督，進而使外國科學家得以自由取得資金，並開發最終或許讓美國敵國獲益的創新，值得美國政府關注”。