功率晶片，還要熬一年

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富士經濟於2025年4月3日對全球功率半導體市場進行了調查，並宣佈到2035年將達到7.771萬億日元，市場規模將是2024年的2.3倍。雖然2024年會因電動汽車（EV）需求放緩而出現庫存積壓，但該公司預測，從長遠來看，由於電動汽車的普及等因素，功率半導體市場將大幅增長。

本次調查涵蓋肖特基勢壘二極體（SBD）、MOSFET、智慧功率模組等17個功率半導體專案；矽/氮化鎵（GaN）/碳化矽（SiC）晶片、光刻膠、封裝材料等20個元件；以及曝光裝置、濺射裝置、IC測試儀等20臺製造裝置。調查期為2024年10月至2025年2月。

由於電動汽車需求放緩、工廠自動化投資下降以及中國經濟衰退等因素，功率半導體市場在 2024 年受到庫存積壓的打擊。需求預計將從2024年下半年開始復甦，庫存預計將在2025年下半年恢復正常。

預計2025年功率半導體市場規模將達到3.5285萬億日元，其中矽功率半導體規模為3.147萬億日元。由於庫存調整，增幅會很小，但隨著庫存恢復正常，市場將從 2026 年開始擴大。預計到2035年將達到4.5729萬億日元。

下一代功率半導體的市場規模預計在2025年達到5138億日元。與增長率較小的SiC功率半導體相比，GaN功率半導體由於替代了矽半導體而實現了大幅增長。未來對這些下一代功率半導體的需求將持續擴大。預計可處理更高電壓和電流的氧化鎵功率半導體將在2026年左右投入實際使用，從而推動市場擴張。預計2035年下一代功率半導體市場規模將達到3.1981萬億日元。

在本研究報告中，將“SiC功率半導體”、“GaN功率半導體”和“氧化鎵功率半導體”列為下一代功率半導體中特別受關注的產品。

預計2035年SiC功率半導體（SiC-SBD、SiC-FET、SiC功率模組）的市場規模將達到2.9034萬億日元，而2025年則為4558億日元。預計2035年電動汽車中SiC功率半導體的採用率將超過50%，而2024年僅為10%多一點。我們預計，該技術也將在汽車和電氣裝置領域以外的領域得到廣泛採用，例如太陽能發電的電源調節器。

GaN功率半導體市場規模預計2035年將達到2787億日元，而2025年預計為580億日元。受量產效應影響，價格下降，2024年將越來越多地搭載於AC-DC介面卡中。伺服器電源對矽的替代也取得了進展。展望未來，我們預計該技術在車載充電器、雷射雷達、太陽能調節器和其他應用中的應用將會增加。

氧化鎵功率半導體的市場規模目前較小，但預計到2035年將增長到149億日元。其特殊之處在於，與SiC和GaN功率半導體相比，可以處理更高的電壓和電流。預計用於消費裝置和伺服器電源的 SBD 將於 2026 年左右開始全面生產。預計用於高壓應用的 FET 將於 2030 年左右開始生產。

2024年SiC晶圓將超越矽晶圓市場

功率半導體零部件方面，按照“晶圓”“前段加工材料”“後段加工材料”分類公佈了市場規模。預計 2023 年綜合市場規模將達到 1.7408 萬億日元，而 2025 年預計為 6152 億日元。

預計2025年功率半導體晶圓市場規模將達到3009億日元，而2035年將達到9118億日元。到目前為止，矽晶圓一直是關注的焦點。不過，得益於中國企業增加產量，SiC晶圓市場將在2024年超越矽晶圓市場。GaN晶圓也呈現強勁增長。

此外，前端處理材料預計到2035年將達到305億日元，而2025年預計為204億日元。至於後處理材料，預計到2035年將擴大到7985億日元，而2025年預計為2939億日元。

8英寸SiC功率半導體產線投資預期

功率半導體制造裝置市場規模預計2035年將達到1.3234萬億日元，而2025年預計為7393億日元。由於2024年下半年起汽車相關資本投資減少，預計2025年的市場規模將比上一年減少5%。不過，中國市場仍在繼續增長，部分原因是功率半導體制造商正在建設新工廠。未來還計劃投資SiC功率半導體的8英寸生產線，預計2027年起市場將再次擴大。我們也期待對GaN功率半導體的量產進行投資。

參考連結

https://eetimes.itmedia.co.jp/ee/articles/2504/07/news056_2.html

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