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芯東西2月21日報道，中國證監局官網顯示，國內半導體前道工藝裝置研發商青島思銳智慧科技股份有限公司（簡稱“思銳智慧”）已在青島證監局辦理輔導備案登記，正式啟動A股上市程序，輔導機構為國泰君安。
思銳智慧成立於2018年1月，註冊資本為11.21億元，法定代表人是聶翔，公司無控股股東、無實際控制人，第一大股東為中車青島四方車輛研究所有限公司，持股比例為19.48%。
企業資訊查詢平臺企查查顯示，歌爾股份、上汽投資均曾參投思銳智慧。
▲思銳智慧融資歷程（來源：企查查）
根據官網介紹，思銳智慧總部位於中國青島，並在北京、上海設有研發中心，主要聚焦關鍵半導體前道工藝裝置。其產品包括原子層沉積（ALD）裝置及離子注入（IMP）裝置，廣泛應用於積體電路、第三代半導體、新能源、光學、零部件鍍膜等諸多高精尖領域。
薄膜沉積是晶圓製造的三大核心步驟之一，薄膜的技術引數直接影響晶片效能。半導體器件的不斷縮小對薄膜沉積工藝提出了更高要求，而ALD技術憑藉沉積薄膜厚度的高度可控性、優異的均勻性和三維保形性，在半導體領域尤其是先進製程中具有廣泛的應用潛力。
思銳智慧提供了原位等離子體處理、原位生長高質量的PEALD膜層、熱法ALD的一套三步解決方案，可改善GaN器件的動態效能，降低器件的回滯，已透過國內外GaN領域知名企業的量產驗證。
離子注入是積體電路製造工藝中十分重要的環節。IMP離子注入技術為半導體應用提供精確控制的摻雜、電平修復、聚焦注入、定製化加工和溫度控制的解決方案。
2023年9月，思銳智慧成功推出的國內首臺能量達到8MeV的高能離子注入機交付到國內頭部企業，填補了國內空白。
思銳智慧已構建了系列化、平臺化的離子注入機產品線，以高能離子注入機和大束流離子注入機為基礎，並不斷擴充套件覆蓋包括碳化矽（SiC）在內的功率半導體領域，滿足多樣化的應用需求。
2018年，思銳智慧完成對ALD技術發源地——芬蘭倍耐克公司100%股權的收購工作。思銳智慧整合倍耐克海外前沿技術研發資源，開展ALD技術國內外聯合研發與國內產業化落地工作，建立了完善的ALD產品體系，覆蓋全球眾多頭部客戶，並在眾多細分領域取得領先的市場競爭地位。
目前思銳智慧及其子公司擁有300餘項相關專利，在ALD技術及應用方面技術積累豐富。該公司在推進ALD業務轉型升級後，佈局離子注入裝置業務並取得突破，以高能離子注入機為切入點開展研發，解決國內高階離子注入機“卡脖子”問題，逐步完成矽基及化合物半導體領域全系列機型的佈局。
思銳智慧獲評了國家級專精特新“小巨人”稱號，並承擔多項省市級重點研發計劃和國際合作專案。依託半導體先進裝備研發製造中心，該公司已成為擁有全球客戶拓展能力的中高階半導體裝備生產製造商，業務範圍覆蓋全球40個國家及地區，累計超過500個全球客戶。