根據工信部規劃，到2025年，我國將實現電動汽車與充電樁設施數量的車樁比2:1，2030年實現車樁比1:1^[2]。由此可見，在新能源電動汽車使用者需求高速增長的前提下，我國充電基礎設施建設也已經進入快速發展階段，並且將不斷提速。而“光儲充”一體化充電站，作為新能源汽車與可再生能源產業深入融合的切入點，也成為了發展迅速的產業新興賽道。

“光儲充”一體化是透過配置光伏、儲能系統實現“削峰填谷”，維持電網穩定，最後透過充電樁為新能源車提供清潔電能，能有效解決傳統充電樁用電對局域電網的衝擊。與此同時，傳統充電樁消耗的電能始於發電廠，而發電廠產生的電能大多來源於化石燃料的燃燒，與光伏充電樁相比，其能源並非是清潔無汙染的。光伏充電樁的大規模建設，不僅能夠滿足國內電動汽車充電業務的需要，也能促進我國的經濟能源轉型，保護我們賴以生存的環境，在可持續發展上具有深遠的意義。

光儲充一體站的工作執行原理就是根據車輛的充電行為和光伏出力，制定日前執行策略。在一體化充電站內，光伏發電系統所發電能首先滿足充電站需求，當不滿足負荷需求時，儲能系統放電，若仍不能滿足，則從電網購電（一般是在夜間使用波谷電價）；當光伏出力過剩時，可將過剩的電能給儲能系統充電，也可以向電網售電，從而獲得一定的收益。儲能隨著光伏發電及電價情況靈活調整充放電方式，減少充電樁的峰谷差，實現耦合增效，提高系統的經濟性和清潔性。“光儲充”的電站應用場景大致可以分為三類：城市充電站、高速服務區、工業園區。

光儲充一體化充電站在市場需求方面可以說是“應運而生”。國家在政策端對“光儲充”一體化充電站建設同樣一直保持在高度關注和鼓勵態勢，並且近年來在政策推動的力度上，可謂“層層加碼”：

伴隨著在市場規模和使用者需求方面的持續上升，更多的“光儲充”一體化系統投入使用，使得相應設施的能源轉換和利用效率不斷提高。而在光伏等可再生能源領域，半導體功率器件和IC晶片是可再生能源轉換、儲存和管理的關鍵部件，這些器件對於提高可再生能源系統的效率、可靠性和效能至關重要，尤其是新型寬禁帶半導體材料，如：碳化矽（SiC）和氮化鎵（GaN）的開發，為可再生能源應用開闢了新的可能性。這些材料比傳統的矽基半導體具有更加優越的效能，能夠在更高的溫度、電壓和頻率下工作。這一進步助力更緊湊、高效和穩健的能源系統得以實現，有利於滿足“光儲充”一體化充電站這類可再生能源基礎設施規模不斷增長的需求。

“光儲充”系統主要構成的三大部分是光伏發電系統、儲能整合系統和充電樁，其中光伏發電系統的轉換效率、儲能的電池迴圈效能和充電樁的系統效率，直接決定了“光儲充”系統的整體效能和效率。

針對於“光儲充”系統這種典型的可再生能源應用場景，安世半導體所提供的解決方案可用於光伏逆變器、儲能變流器和EV充電樁三大板塊，其中主功率變換、輔助電源、柵極驅動和保護、訊號處理和傳輸等環節，安世半導體均能提供多樣化選擇，滿足不同應用需求。

近期，安世半導體成功推出了多款半導體IC晶片，進一步豐富了其光儲充一體化系統的解決方案，鞏固了其方案解決商的能力。

安世半導體的NGD4300 120 V半橋柵極驅動器系列產品，可以用於包括逆變器/使用者儲能系統/充電樁等應用場景，控制器支援更短的傳輸延時，為提高系統的魯棒性，提供了包括SOI層等在內的改善設計。在具體效能方面，NGD4300的輸入電平瞬態耐負壓可達-10 V，為電路提供了高可靠性；並且能夠實現13 ns通道延遲、1 ns通道間延遲誤差水平的快速瞬態響應能力；同時因為其能夠以4 A驅動提升開關速度和0.7 mA的IDDbbO/IHBO工作電流，從而使電路擁有更高效率。

安世半導體的NEX80806 AC/DC反激式控制器適用於光儲電源系統的輔助供電模組，例如逆變器多個位置的反激輔助電源設計。NEX80806針對工業應用進行了多項晶片設計最佳化，其中有工業版本可以向客戶提供線電壓過壓保護功能，即時的監控輸入電壓，使輔助電源免受電壓波動的損傷；NEX80806還使用了先進的倒封（Flip Chip）封裝工藝，有效的降低了晶片熱阻，為工業應用提供了熱冗餘。與競品相比，在相同的IC OTP保護閾值下，NEX80806系列產品將可以容忍的系統環境溫度提高了20 ℃以上。

安世半導體的NXF650x驅動器變壓器非常適合於需要高效率和低EMI干擾應用場景。該產品具備低R_ON和高輸出（例如NXF6501可實現1.2 A電流，市面上同類產品一般為350 mA）驅動，可實現系統高效率；其具備其他競品不具備的故障安全輸入保護能力，能夠防止反向供電，並允許任何階次上電；能將EMI干擾降至更低超低輻射水平，達到或超過CISPR25 5級和CISPR32 B級。

除此之外，安世半導體還針對邏輯器件推出了最新的SOT8065封裝技術，幫助器件實現高效的邏輯控制和訊號轉換能力。與含鉛封裝相比，SOT8065封裝透過減少PCB面積來最大限度地節省應用成本；該封裝提供側邊可溼焊盤(SWF)，可實現自動光學檢測；該封裝提供所有流行的電壓系列，可用於緩衝器、逆變器、閘電路、開關、觸發器和轉換器等。

從功率器件來看，安世半導體在“光儲充”系統解決方案中採用的業界領先產品，包括GaN HEMT高電子遷移率電晶體、SiC MOSFET、SiC二極體、IGBT和中低壓MOSFET等功率半導體器件，極大地促進了“光儲充”系統實現更高的效能水平。

其中，GaN FETs器件具有高臨界電場強度、高電子飽和速度與極高的電子遷移率的特點，能夠在電源轉換拓撲中，實現最高的轉化能效和功率密度，最低的功耗/開關損失和系統成本，非常適合於在光伏逆變器、儲能系統等高效能功率變換方面的應用。

目前，安世半導體是業內唯一可同時提供級聯型（D-mode，Cascode）和增強型（E-mode）兩種型別GaN FETs器件的供應商，並且獨家提供擁有最佳散熱效能CCPAK封裝的650 V GaN FETs產品，可直接將“光儲充”整個系統的轉化能效提高至99%以上，開關頻率的理想值可提升至1 Mhz以上，同時其CCPAK封裝相較於競品的GaN FETs產品擁有更高的可靠性。此外，安世半導體的GaN FETs器件還具備較低的反向恢復電荷（Q_rr）、卓越的溫度穩定性和優異的反向續流能力等多個技術領先優勢，進一步鞏固了其市場競爭力。

當下，為了克服電車續航里程和充電速度上的兩大短板，電動汽車行業正加速從400 V轉向800 V的電池系統，在這樣的轉變下，SiC幾乎是唯一且完美的選擇。而800 V電壓系統就需要1200 V的耐壓功率晶片，所以1200 V的SiC功率器件是業界共同的發力方向。目前安世半導體已成功研發出具有效能優異的1200 V SiC MOSFET，主要分為兩大類：一類是採用3引腳和4引腳TO-247封裝的SiC MOSFET，另一類是採用越來越受歡迎的D²PAK-7表面貼裝器件(SMD)封裝的NSF0xx120D7A0系列SiC MOSFET產品。

安世半導體的SiC MOSFET器件具有優異的導通電阻隨結溫上升的穩定性、綜合品質因數FoM和閾值電壓穩定性，並且相比於競品能實現較低的體二極體正向壓降，其更小的門極電荷比可以降低器件由於噪聲導致的錯誤開通的機率。安世半導體的SiC MOSFET器件由於具備更高的開關頻率，因此可以選擇使用更小的磁性器件（比如電感器），降低磁性器件的成本和體積，還可以使得開關損耗更小，從而降低系統發熱。在一些高母線電壓的應用如光伏逆變器中，採用擁有更高耐壓的SiC MOSFET可以簡化拓撲，提高效率，減少器件數量和系統成本。憑藉這些卓越的工作引數和特性優勢，安世半導體的SiC MOSFET大大提高了光伏、工業電源開關及汽車應用的安全性、穩健性和可靠性標準，從而可以滿足電動汽車OBC、充電樁、不間斷電源以及太陽能和儲能系統等多個汽車和工業應用市場。

工業應用往往伴隨著大電流，當然可以採用功率模組的方式進行對應。但因為功率模組價格高昂，大部分情況下，仍然採用多管並聯的方案。V_GS(th)是在進行多管並聯時影響動態均流重要的引數之一。安世半導體的SiC MOSFET具有業界領先的V_GS(th)穩定性，減少由於V_GS(th)不一致所造成的電流變化不均勻從而導致單個器件承受較大的電流應力，以及後續潛在的壽命和失效問題。

安世半導體的650 V IGBT產品能夠實現低V_CESAT以及開關損耗，引數穩定誤差小，易於並聯使用。該產品同樣具有優秀的反向恢復能力，並能夠在工作溫度下達到更低的正向壓降，同時擁有優異的電流能力，滿足業界的RoHS和無鉛標準。

和競品相比，安世半導體的650 V IGBT具備最佳化的E_OFF特性和更溫和的電磁干擾，在尖峰電壓方面可以提供更大的安全裕量，並具有優異的熱效能和系統效率。

安世半導體的SiC二極體產品具備超低正向壓降和優秀的反向恢復能力，其開關特性受溫度影響小，並能夠保持基於混合式PIN-SiC二極體（MPS）的高魯棒性。

中低壓MOSFET

此外，安世MOSFET產品廣泛採用LFPAK銅夾片封裝，不僅具備175 °C的結溫特性（相較業內普遍的150 °C更具優勢），還在焊接可靠性和抗PCB板彎曲能力方面表現出色。同時，該封裝能夠有效降低R_DS(ON)導通電阻，並提供更高的I_D(max)漏極電流，顯著提升產品的整體競爭力。

最新推出的NextPower 80/100 V MOSFET系列採用CCPAK1212封裝，具備最高持續505 A，峰值3558 A的I_D(max)電流能力，0.67 mΩ的超低R_DS(ON)，以及優異的散熱效能。本系列器件還提供頂部和底部散熱選項，工程師可以靈活選擇散熱途徑。該產品的釋出進一步豐富了安世半導體的MOSFET組合，為高功率密度應用提供了更強的解決方案。

安世半導體致力於透過創新的前沿技術，為“光儲充”系統的光伏逆變器、儲能變流器、EV充電樁提供更高效的解決方案。隨著“光儲充”系統部署規模的擴大和產業效應的提升，不斷更新迭代的半導體產品與解決方案，尤其是WBG寬禁帶半導體技術的突破，將在以光伏為代表的可再生能源系統實施和最佳化方面發揮越來越重要的作用。這種持續的演變，不僅有望滿足不斷增長的能源需求，而且將以可持續、高效和環保的方式來實現。