本月，皓宇電子自主研發的12英寸多腔多工位CVD裝置與8英寸多腔多工位CVD裝置量產。這一里程碑不僅標誌著公司完成了從架構設計、樣機驗證到系統交付的技術閉環，更實現了國內在該裝置架構類別的首次工程化部署，填補了國產細分領域空白。
對標先進技術路線，構建原創技術體系
皓宇電子自2020年起專注於“多腔多Station”CVD裝置的自主研發，該架構已成為全球主流廠商佈局的下一代CVD技術核心方向。不同於市場上仍普遍採用的“twinchamber”架構，皓宇電子選擇了技術門檻更高的“多工藝腔-多Station”模式，以提升沉積路徑一致性和厚膜工藝效率，在工藝穩定性、裝置相容性、產線產能提升與成本控制等關鍵維度，形成顯著競爭優勢。
區別於傳統的“外觀對標+引數拼接”策略，皓宇電子自主構建了完整的國產化CVD裝置體系，涵蓋從結構設計到控制平臺的全鏈路創新：
工藝腔最佳化——提升膜層均勻性與沉積速率；
氣路系統自主設計——實現精準流量與成分控制；
溫控系統增強——保障沉積穩定性與工藝一致性；
搬運平臺最佳化——提高裝置相容性與節拍控制精度；
射頻功率控制+智慧排程演算法——確保複雜工藝精度與一致性。
12英寸多腔多工位CVD
智慧財產權護航，構建可持續演進能力
皓宇電子自2021年起建立自主智慧財產權體系，目前已累計百餘項專利佈局，覆蓋多工藝腔-多Station架構、加熱系統、功率系統、傳輸機構、智慧演算法及核心零部件等多個關鍵技術領域。這些專利不僅形成了核心模組的技術護城河，更為整機的獨立演進與橫向拓展奠定了基礎，使裝置能夠靈活適配更多先進製程和新材料應用。
工程落地前移，國產化競爭力凸顯
皓宇電子的CVD裝置在量產部署階段展現出多項市場化優勢：
緊湊設計——佔地最佳化，適配晶圓廠廠房佈局；
高核心部件國產化率——遠超主流Fab標準，提升供應鏈安全性；
相容多種材料工藝——適配邏輯、儲存、功率器件等應用場景；
自研控制系統——提供溫控精度、氣路排程與功率管理的閉環最佳化；
成熟供應鏈體系——具備批次交付與快速響應能力；
降本增效方案支援 ——透過結構最佳化與核心部件自研，打造“低成本、高效率”的整機體系，幫助客戶在降低採購成本的同時提升生產效率；
按需配置靈活選型 —— 核心部件支援國產替代與進口靈活選擇，滿足不同客戶多層次需求與策略部署。
8英寸多腔多工位CVD
作為國內首家完成“多腔多Station”CVD裝置量產的企業，皓宇電子不僅填補了該技術路線的國產空白，更為國產半導體裝置邁向“高階可用、廣域適配”提供了可借鑑的創新樣本。
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