一種顛覆性發明，重新定義DRAM

👆如果您希望可以時常見面，歡迎標星🌟收藏哦~

來源：內容編譯自tomshardware，謝謝。

鐵電儲存器公司(FMC) 已與Neumonda聯手在德國重新建立所謂的 DRAM+ 生產。英飛凌和奇夢達在德國開發和生產動態隨機存取儲存器已有一段時間了，因為在歐洲生產商品儲存器變得特別無利可圖。然而，新的 FMC 和 Neumonda 合資企業將專注於針對特定應用的非易失性 FeRAM。

FMC 專注於儲存器，該儲存器使用鐵電氧化鉿 (HfO₂) 來建立無需電源即可保留資料的 DRAM+。該技術用非易失性電容器取代了 DRAM 中的典型電容器，在保持高效能的同時提高了能效和資料保留率。FMC 認為其儲存器可用於廣泛的應用，包括人工智慧、汽車、消費、工業和醫療。

較舊的 FeRAM 技術（通常使用鋯鈦酸鉛 (PZT) 作為鐵電層）容量有限。大多數商用產品最多隻有幾兆位元組，4MB 或 8MB 相當常見。PZT 無法隨著工藝節點的縮小而很好地擴充套件，並且與標準 CMOS 工藝的整合既困難又昂貴。因此，像 1T1C（一個電晶體，一個電容器）這樣的單元結構比 DRAM 或 NAND 佔用更多的面積。

轉向氧化鉿將改變遊戲規則。HfO₂ 與 CMOS 相容，可遠低於 10nm，並可與現有的半導體制造工藝整合。因此，使用氧化鉿可實現更高的密度和效能，可能達到千兆位到千兆位元組的範圍，使其更接近 DRAM。

FMC 執行長 Thomas Rueckes 解釋道：“FMC 成立的目的是利用 HfO2 鐵電效應這一顛覆性發明來開發半導體儲存器。應用於 DRAM 後，DRAM 電容器會變成低功耗、非易失性儲存裝置，同時保持高 DRAM 效能，從而生產出適用於 AI 計算的顛覆性非易失性 DRAM 儲存器。由於我們的技術在市場上獨一無二，因此對我們的儲存器產品進行經濟高效的測試對於我們的產品供應至關重要。藉助 Neumonda 及其全新的測試方法，我們找到了可以幫助我們加快產品開發的合作伙伴。我們也很高興與 Neumonda 合作，因為我們有著共同的願景，那就是讓儲存器重返歐洲。”

Neumonda 將透過諮詢和提供其先進測試系統 Rhinoe、Octopus 和 Raptor 的使用權來支援 FMC。這些平臺專為低成本、節能和獨立的記憶體測試而設計。Neumonda 的系統提供傳統裝置無法實現的詳細分析，並且成本顯著降低。

兩家公司攜手合作，共同開發一款新型記憶體產品，併為歐洲半導體產能的全面復甦奠定基礎。雙方共同努力旨在重建本地先進記憶體設計和測試生態系統。

參考連結

https://www.tomshardware.com/pc-components/dram/dram-memory-designed-to-provide-dram-performance-with-ssd-like-storage-capabilities-uses-feram-tech

END

👇半導體精品公眾號推薦👇

▲點選上方名片即可關注

專注半導體領域更多原創內容

▲點選上方名片即可關注

關注全球半導體產業動向與趨勢

*免責宣告：本文由作者原創。文章內容系作者個人觀點，半導體行業觀察轉載僅為了傳達一種不同的觀點，不代表半導體行業觀察對該觀點贊同或支援，如果有任何異議，歡迎聯絡半導體行業觀察。