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來源：內容編譯自tomshardware。
美光公司本月宣佈了新的美國擴張戰略， 將投資計劃擴大至 1.5 億美元，計劃在弗吉尼亞州建造一座 HBM 封裝工廠，並投資約 500 億美元用於研發。美光公司本月透露，該公司多年來在美國的首座新晶圓廠將於 2027 年下半年投入運營。
繼2022年8月《晶片與科學法案》頒佈後，美光科技公佈了重大計劃，將在愛達荷州和紐約州投資超過1150億美元建設新晶圓廠，目標是未來十年在美國生產40%的DRAM產品。根據新計劃，美光科技計劃在美國政府的支援下，在未來20多年內投資2000億美元用於美國的記憶體生產和研發。
其中包括1500億美元用於製造，500億美元用於研發，目標是創造約9萬個直接和間接就業崗位。新計劃設想在愛達荷州建設兩座尖端的DRAM晶圓廠，在紐約州建設一座包含四座晶圓廠的工廠，並在弗吉尼亞州建設一座HBM封裝工廠。讓我們仔細看看美光科技的這些計劃。
2000億美元的計劃
最初計劃的第一部分是在愛達荷州博伊西附近建造全球規模最大、最先進的 DRAM 生產設施之一，即現在的 Fab ID1。一旦生產裝置全部配備完畢，ID1 的潔淨室面積將達到 600,000 平方英尺（約 55,700 平方米）。這大約是格芯 Fab 8 潔淨室容量的兩倍，與競爭對手三星和 SK 海力士在韓國運營的大型晶圓廠相當。
美光公司本週宣佈，其位於愛達荷州的首座新晶圓廠（ID1）於2025年6月達到關鍵的建設里程碑，預計將於2027年下半年開始產出晶圓，隨後將進行客戶資格認證。位於愛達荷州的第二座晶圓廠（ID2）將建在ID1附近，受益於共享基礎設施和研發中心共址。美光公司預計ID2將在紐約晶圓廠之前投產，但該公司並未透露具體時間。
然而，儘管美光公司在愛達荷州的新工廠破土動工，ID1 預計將在幾年後投入運營，但該公司在紐約州克萊附近開工建設仍舉步維艱。美光公司計劃在完成聯邦和州環境評估後，於 2025 年底開始其紐約工廠的建設工作。美光公司的紐約計劃比愛達荷州的計劃更加雄心勃勃，因為它涉及四個工廠階段，潔淨室面積約為 600,000 平方英尺（約 55,700 平方米）。雖然尚未公佈該工廠的具體投產時間表，但可以肯定的是，該工廠是美光公司長期戰略努力的一部分，旨在建立強大的國內製造基地，以滿足商業和國家計算需求。
除了新建晶圓廠外，美光公司還將擴建其位於弗吉尼亞州馬納薩斯的工廠。目前，該工廠生產用於汽車、航空航天、國防和工業應用的記憶體晶片。升級後，該工廠將獲得產能以及先進的封裝能力，可在美國組裝HBM記憶體堆疊。不過，美光公司只有在其位於愛達荷州博伊西的晶圓廠提高DRAM晶圓產量後，才會在其弗吉尼亞工廠增加HBM產能。儘管如此，預計美光公司將在美國生產HBM5或HBM6。
美光公司執行長兼董事長桑傑·梅赫羅特拉 (Sanjay Mehrotra) 表示：“作為這項 2000 億美元投資計劃的一部分，美光公司計劃在美國業務建立足夠的 DRAM 晶圓規模後，將先進的封裝能力引入美國，以支援我們長期的 HBM 增長計劃。”
“我們在愛達荷州的第一家晶圓廠 ID1 於六月實現了又一個重要的建設里程碑。我們預計 ID1 將於 2027 年下半年開始產出首批 DRAM 晶圓，隨後將進行客戶資格審查。愛達荷州的第二家晶圓廠 ID2 將受益於 ID1 的規模化生產經濟效益，並結合研發共址優勢，實現更高的效率和更快的上市時間。為了滿足預期需求，ID2 將先於第一家紐約晶圓廠投產。我們預計將於今年晚些時候在紐約州完成州和聯邦政府的環境評估後，開始在紐約州進行土地準備工作。”他總結道。
未知數
儘管美光公司明確表示計劃在美國投資約 1500 億美元用於其在美國的製造能力建設，但該公司僅披露了即將竣工的 Fab ID1 工廠的竣工時間表，以及第一家紐約工廠的奠基工作。美光公司並未提及其他專案的時間表，只是表示計劃在未來 20 年或更長時間內，向其美國業務投資 1500 億美元。
但美光公司公告中最大的未知數或許是其 500 億美元的研發專案。2022 年至 2024 年，該公司將其收入的 10% 至 20% 用於研發（從 31 億美元增至 34.3 億美元）。去年，該公司在研發上投資了 34.3 億美元（佔收入的 14%），因此 500 億美元是美光公司約 14 年的研發預算。然而，該公司不僅在美國開展研發業務，還在日本、臺灣和新加坡開展研發業務。因此，目前尚不清楚 500 億美元是否意味著以犧牲其他地點為代價增加在美國的研發業務，還是在未來 20 多年內在常規支出（每年不到 25 億美元）的基礎上在美國額外投入 500 億美元用於研發，這將是一項重大的補充。
梅赫羅特拉表示：“美光在美國的記憶體製造和研發計劃彰顯了我們致力於推動創新和加強國內半導體產業的承諾。這項約2000億美元的投資將鞏固美國的技術領先地位，在整個半導體生態系統中創造數以萬計的美國就業崗位，並確保國內半導體供應——這對經濟和國家安全至關重要。”
美光公司預計其所有美國專案都將符合先進製造業投資信貸 (AMIC) 的資格，並已獲得地方、州和聯邦政府的支援。其中包括為愛達荷州的兩家晶圓廠、紐約州的兩家晶圓廠以及弗吉尼亞州的工廠升級提供高達 64 億美元的《晶片法案》資金。
總而言之
美光公司計劃在未來20多年內斥資約1500億美元在美國建造六座DRAM晶圓廠：兩座位於愛達荷州博伊西附近，四座位於紐約州克萊附近。此外，該公司還計劃同期在美國投資500億美元用於研發。
美光公司將繼續在美國以外運營和擴建其 DRAM 晶圓廠，因此該公司大部分易失性儲存器仍可能在日本、新加坡和臺灣等國家/地區生產，這並不奇怪。
值得注意的是，美光公司目前似乎沒有將NAND儲存器生產遷往美國的計劃，或許是因為它希望開發一種將DRAM的效能與NAND的非易失性相結合的儲存級儲存器技術，並在美國生產此類裝置。然而，由於這種儲存器在相當長的一段時間內不會取代NAND，因此快閃記憶體在未來許多年仍將得到廣泛應用。
由於美光公司的 DRAM 和 NAND 晶圓廠位於美國境外，因此，即使其在美國投資 1500 億美元建設產能的宏偉計劃完成後，該公司最大份額的生產似乎也將在美國境外。
參考連結
https://www.tomshardware.com/pc-components/dram/micron-details-new-u-s-fab-projects-idaho-fab-1-comes-online-in-2h-2027-new-york-fabs-come-later-hbm-assembly-in-the-u-s
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