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全球記憶體市場進入劇烈變動期！據業界訊息指出，三星電子已正式通知客戶，將於2025年4月終止1z製程8Gb LPDDR4記憶體生產（EOL，End of Life），並要求客戶在6月前完成最後買進訂單（Last Buy Order,LBO），預計最遲於10月前完成出貨。
業者分析，主要是因為因為中國大陸低階手機採用的LPDDR4，已被陸廠拿走訂單，三星未來將會更聚焦LPDDR5以上的高階產品。
此舉也宣告DRAM產品結構再度洗牌，並反映韓系原廠正加速將產能轉向高階產品，如高頻寬記憶體（HBM）與DDR5。
臺系記憶體廠因主力產品放在DDR4，法人預期，有望受惠於三星停產DDR4的動作。
業界人士指出，早在數月前，已傳出三星有意停產部分DDR4產品，主要原因包括：一、為集中資源於獲利能力更高的HBM與DDR5產品線；二、陸廠持續擴張DDR4產能，並採取低價搶市策略，導致市場競爭加劇與利潤壓縮。
此外，全球市場亦受到地緣政治因素干擾，美國總統川普於4月9日啟動對等關稅機制，擬對臺灣出口至美國的記憶體模組與SSD等產品課徵32％關稅。
雖然晶圓與裸晶型態HBM、DDR與NAND不在此波課稅清單中，但終端模組產品需求恐將受到壓抑，進一步拖累全球消費性記憶體市場表現。
根據研究機構最新預測，在中立情境下，2025年全球記憶體位元需求年增率，將自原先預估的12.8％下修至4.8％；而熊市情境更下探至3.5％。
NAND市場方面，儘管目前現貨價格已逼近製造成本，好在原廠啟動10％～20％的產能調節計劃，仍能維持獲利與價格穩定。
另一方面，陸廠積極進軍高階記憶體市場，給傳統巨頭帶來挑戰。
目前全球DRAM與NAND資本支出維持保守，整體供應鏈將面對來自中國大陸廠商的激烈競爭與美國對等關稅政策風險升溫。
整體而言，業者認為，記憶體市場短期價格將由備貨與供給收縮支撐，但中長期仍需關注中國大陸擴產進度、美國關稅政策走向及原廠資本支出策略。
此前報道：兩大廠將停產
此前，報道指出，受到中國製造商的影響，動態隨機存取記憶體（DRAM）的製造商美光、三星和SK海力士，可能會在今年年底前停止生產DDR3和DDR4記憶體，部分消費性電子的供應可能受到衝擊，而臺廠則可望受惠。
報導說，中國DRAM製造商不斷擴增DDR4產量，同時大幅降低價格。去年年底，這兩家公司DDR4晶片的售價僅為韓國競爭對手同類產品的一半。
報導說，美光、三星和SK 海力士等記憶體制造商將調整製造結構，可能不再透過銷售DDR4來賺取利潤，並且逐漸淘汰DDR4，轉向專注製造更有利可圖的DDR5和HBM。
不過，報導說，DDR4的需求相當強勁，中國製造商雖然銷量巨大，但他們的產能可能無法滿足市場，一旦美光、三星和SK海力士停止為現貨市場生產DDR3和DDR4，預期在2025年中，部分入門級PC和消費性電子產品的供應，可能因DDR4短缺而受到影響。
報導說，臺灣廠商可望受惠，因為部分客戶不會選擇中國製造的DRAM，可能轉而向臺廠購買專用記憶體。
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