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受關稅擔憂影響，記憶體市場規模有望在 2025 年連續第二次創下 2000 億美元紀錄
2024年伊始，資料中心AI訓練工作負載需求激增，帶動行業迎來新一輪增長勢頭。這標誌著行業從2022-2023年嚴重的週期性低迷中強勁反彈，此前的低迷曾引發DRAM和NAND行業歷史性的運營虧損。AI驅動的需求引發了整個儲存器行業的爆炸式增長，並推動高頻寬儲存器（HBM）佔據主導地位，遠遠超過了整體DRAM市場。預計2024年至2030年間，全球HBM收入將以驚人的33%的複合年增長率增長，到2030年，其在DRAM市場的份額將達到前所未有的50%。
相比之下，NAND 行業持續面臨逆風，受消費需求弱於預期以及整個供應鏈庫存水平上升的拖累。為了應對這些壓力，領先的供應商已實施積極的供應側調整，包括降低晶圓廠利用率和多次減產，以期恢復市場平衡，併為更可持續的復甦奠定基礎。
與此同時，NOR 快閃記憶體市場在 2024 年也經歷了健康反彈（同比增長約 15%），這得益於出貨量增長和價格環境改善，尤其是在消費領域。
隨著頂級記憶體供應商加倍投入尖端技術，中國競相主導記憶體生產
為了應對預計2025年將出現的缺貨局面，SK海力士、三星和美光都在積極提升良率並擴大生產規模，高容量記憶體 (HBM) 市場競爭日益激烈。與此同時，中國正在加大記憶體製造的本土化力度，縮小與全球領先企業的技術差距。這一戰略舉措現已延伸至個人電腦和消費電子領域，進一步加劇了全球記憶體供需格局的壓力。
CMOS鍵合、新單元設計和3D架構將重新定義超越平面縮放的記憶體創新
在眾多先進封裝方法中，CMOS鍵合已成為實現更高密度、更高效能儲存器件的最有前景的解決方案之一。在3D NAND領域，長江儲存憑藉其Xtacking™架構率先實現了晶圓間混合鍵合，鎧俠(Kioxia)和閃迪(SanDisk)也在其218層CMOS鍵合陣列(CBA)設計中緊隨其後。三星和SK海力士預計將在即將到來的4xx層節點中採用類似方法，據報道三星已獲得長江儲存的IP授權。展望未來，未來的3D NAND器件可能需要鍵合三個不同的晶圓（邏輯晶片+雙儲存陣列），以實現超過500層的擴充套件。
在DRAM領域，預計平面設計將透過0c/0d節點（2033-2034年）不斷發展，這得益於持續的架構和工藝創新。目前業界標準的6F² DRAM單元預計將最終被基於CMOS鍵合佈局中垂直電晶體（VT）的4F²單元架構所取代。在此之後，人們普遍認為向3D DRAM架構的過渡是不可避免的。截至2025年，所有主要的DRAM供應商都在積極探索多種3D整合途徑。領先的概念包括帶有水平電容器的1T-1C單元，以及無電容器結構，例如增益單元（2T0C）和基於浮體的1T DRAM。與此同時，包括應用材料公司、泛林集團和東京電子在內的半導體裝置領導者正在加大對先進工具解決方案的投資，以應對3D DRAM製造的獨特工藝挑戰。
參考連結
https://www.yolegroup.com/product/report/status-of-the-memory-industry-2025/?utm_source=PR&utm_medium=email&utm_campaign=PR_Status-of-the-Memory-Industry_June2025
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