中國 3D NAND 領軍企業長江儲存已在加州北區對美光提起訴訟，指控這家美國公司侵犯了其 11 項專利，涉及 3D NAND 操作的各個方面。長江儲存請求法院下令美光停止在美國銷售其記憶體，並向其支付專利使用費。 

長江儲存表示，美光的 96 層（B27A）、128 層（B37R）、176 層（B47R）和 232 層（B58R）3D NAND 儲存器以及美光的部分 DDR5 SDRAM 產品（Y2BM 系列）侵犯了其在美國提交的 11 項專利或專利申請。從相關作者收集的專利申請列表表明，它們涵蓋了 3D NAND 和 DRAM 功能的一般方面，這可能意味著長江儲存正試圖讓美光的生活變得更加艱難，以獲得對美國政府的籌碼。 

美國商務部 於 2022 年底將長江儲存列入黑名單，這大大增加了該公司從美國公司獲得先進晶圓廠裝置以製造其市場領先的 3D NAND 裝置的難度。去年，該公司面臨更大的問題，因為美國商務部禁止銷售可用於製造具有超過 128 個活動層的 3D NAND 的晶圓廠工具和技術，這對該公司來說是又一次打擊。 

儘管美國政府設定了嚴格的限制，長江儲存仍在繼續發展其 3D NAND 儲存器。該公司的 Xtacking 3.0 快閃記憶體已投入量產（其中一些裝置甚至不違反美國製裁），現在該公司正在開發採用其 Xtacking 4.0 架構的 3D NAND  。此外，今年早些時候，該公司表示已成功將 3D QLC NAND 的耐用性大幅提高 到 3D TLC NAND 的水平（達到 4,000 次程式設計/擦除週期），這顯著改善了廉價 SSD 的特性。 

其實早在去年，長江儲存科技 (YMTC) 就在加州一家法院對美光科技提起專利侵權訴訟 。這場法律戰涉及八項與 3D NAND 技術相關的美國專利，涵蓋了現代快閃記憶體工作和製造的多個基本方面。

與所有專利糾紛一樣，長江儲存和美光之間的法律糾紛可能需要數年時間才能在法庭上解決。長江儲存的專利涵蓋了廣泛的基本 NAND 技術，但西部資料、SK 海力士、三星和鎧俠等多家公司也使用類似的架構。這可能會使這些專利難以在法庭上辯護。