據 ZDNET (韓國) 釋出的訊息，儲存器製造商三星電子已經決定從中國 NAND 製造商長江儲存 (Yangtze Memory) 租用混合鍵合專利，該專利屬於新型尖端封裝技術。
混合鍵合 (Hybrid Bonding) 主要用於晶片的垂直或 3D 堆疊，其顯著特點在於無凸塊，從基於焊料的凸塊技術轉向直接銅對銅連線，頂部 die 和底部 die 齊平，這種封裝技術有助於整合多個半導體元件以創造高密度和高效能裝置。
三星電子目前已經解決開發下一代 NAND 的關鍵挑戰，而三星電子與長江儲存簽署 3D NAND 混合鍵合專利許可協議很可能是用來規避潛在的專利許可風險。
單純從專利角度來說無論是三星電子、SK 海力士還是美光，只要這些專利是長江儲存持有的，未來這些儲存器製造商就繞不開長江儲存的專利，畢竟這份專利牽涉高密度儲存的封裝方式，而市場肯定要向高密度和高效能過渡。
三星電子從自己的第 10 代 NAND 開始引入了多項新技術，例如 W2W 晶圓到晶圓鍵合混合至關重要，混合鍵合省略的凸塊可以縮短電氣路徑並提高效能和散熱特性，尤其是 W2W 的鍵合是整塊晶圓而不是晶片。
中國使用者或許對混合鍵合比較熟悉，不熟悉？那應該聽過長江儲存的晶棧 (Xtacking)吧？長江儲存從大約 4 年前就在積極應用 3D NAND 混合鍵合技術，長江儲存將其命名為晶棧。
長江儲存還在初期透過許可協議持有美國科技公司 Xperi 涉及混合鍵合相關的原始專利，之後長江電子積累了大量與 NAND 鍵合相關的技術專利，這也是為什麼說儲存器製造商都繞不開長江儲存的原因。
目前混合鍵合相關的大部分專利都在 Xperi、長江儲存和臺積電手裡，所以未來韓國這些儲存器製造商想要製造高密度和高效能的 NAND，都需要購買這些專利許可。
預計 SK 海力士很快也會與長江儲存簽署類似的專利許可協議，因為 SK 海力士正在積極開發 400 級 NAND 產品並在該產品中適合混合鍵合技術提高成本效率和產能。