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來源：內容編譯自businesskorea。
三星電子第二季度業績下滑主要源於其半導體業務的糟糕表現，該業務佔其整體利潤的50-60%。高頻寬儲存器（HBM）等高容量、高附加值儲存器產品由於持續存在的技術問題，未能從蓬勃發展的人工智慧（AI）領域中獲益。晶圓代工（代工晶片製造）和系統LSI業務也因未能獲得主要客戶而持續大幅虧損。然而，隨著英偉達HBM在第三季度獲得量產批准的可能性增加，以及上半年積累的儲存器庫存得以清理，業績反彈的預期正在增強。
據業內人士7月8日透露，三星電子裝置解決方案部門（DS）預計第二季度銷售額將達到27萬億韓元，營業利潤約為1萬億韓元。一些金融投資業內人士認為，DS部門的營業利潤可能會降至4000億韓元。
最痛點在於HBM需求未能得到滿足。去年，三星電子未能向全球最大的AI晶片公司英偉達供應第五代HBM（HBM3E），今年又未能按時交付12層產品，導致效能沒有顯著提升。
本季度存貨估價損失準備的反映也是業績下滑的主要原因。業界估計，DS部門的存貨估價損失準備約為1萬億韓元。存貨估價損失準備是一種成本概念，反映的是產品價格（庫存價值）下降且預計無法恢復其原始市場價格時預期價值的下降。其目的是透過將那些被認為難以銷售或可能難以銷售的產品反映在存貨估價損失準備中，預先應對潛在的危機因素。為了及時供應而提前生產的HBM3E 12層產品被認為屬於此類。
預計晶圓代工和系統LSI業務部門本季度也將錄得約2萬億韓元的虧損。儘管晶圓代工部門採用8奈米（奈米，十億分之一米）工藝為任天堂Switch 2生產核心晶片，系統LSI業務部門也為新款摺疊屏手機Galaxy Z Flip7供應移動應用處理器（AP）Exynos 2500，但由於未能成功爭取到大客戶，這些部門已連續幾個季度虧損。
不過，業內觀察人士認為，三星電子可能在今年第二季度觸底，並從第三季度開始反彈。
由於DDR4等老款記憶體和高階記憶體價格上漲，市場對業務改善的預期日益增強，而下半年又被列為IT裝置和半導體需求的旺季。證券公司預測，DS部門第三季度和第四季度的營業利潤將分別達到3萬億至5萬億韓元。
近期，面向AMD、博通等全球大型科技公司的HBM出貨量有所增加，代工業務也已開始量產2nm晶片，大型科技公司訂單潛力增大。隨著系統LSI業務進入季節性旺季以及Exynos 2500銷量的增長，預計虧損將有所減少。
進入Nvidia供應鏈也值得關注。除了HBM3E 12層產品的供應外，還計劃加快HBM4（第六代）產品的量產。
在NAND領域，預計該公司將繼續推行供應調整政策，同時專注於企業級固態硬碟（SSD）等高價值產品。一位業內人士表示：“從下半年開始，庫存風險預計將下降，隨著對Nvidia以外客戶的HBM供應量擴大，業績有望改善。”
此外，最先進的DRAM——10nm級第六代DRAM的量產也備受期待。三星電子已完成內部生產許可（PRA），並準備從下半年開始進行大規模的裝置投資。
隨著IT旺季的全面到來，消費電子和顯示器業務預計將迎來業績復甦。預計消費電子業務第二季度銷售額將達到14-15萬億韓元，營業利潤約為3000億韓元。這歸因於第一季度關稅徵收和預購導致的需求下降。不過，預計電視和家電業務第三季度的營業利潤將達到6000億韓元左右，受益於旺季效應。美國唐納德·特朗普政府的關稅政策仍是一個變數。
三星電子旗下三星顯示器公司預計第二季度銷售額將達到6萬億韓元左右，營業利潤將達到5000億韓元左右。下半年，隨著主要客戶推出新產品，證券業預計營業利潤將突破1萬億韓元。
三星完成第六代 DRAM 的開發
三星電子已完成基於先進 10 奈米級工藝的第六代 DRAM 的開發，距離量產下一代 HBM4 記憶體更近一步。
據業內訊息人士此前透露，這家科技巨頭上月底完成了第六代 DRAM 的開發，並獲得了生產準備批准，這是一個重要的內部里程碑，表明該產品符合大規模生產準備的所有標準。
10 奈米級 DRAM 製程技術已逐代演進，從第一代發展到第六代。每一代技術都實現了更精細的電路，從而提升了效能和能效。
三星此前曾於2022年12月宣佈開發第五代DRAM，並於次年5月開始量產。這一最新里程碑標誌著其在工藝擴充套件方面取得了約兩年的進展。
三星的第六代 DRAM 開發因其高頻寬記憶體業務而備受關注。這家科技巨頭計劃在今年下半年實現基於第六代 DRAM 的 HBM4 的量產。HBM4 有望成為人工智慧時代的關鍵元件，顯著提升資料處理速度和能效。
三星的同城競爭對手SK海力士目前在HBM市場處於領先地位，目前正在開發採用第五代DRAM的HBM4。據報道，該公司早在3月份就已向主要客戶提供了HBM4樣品，並計劃在今年下半年實現量產。
隨著三星完成第六代 DRAM 的開發，市場關注點轉向該公司是否會很快交付 HBM4 樣品並透過 Nvidia 的資格測試，這是獲得大批次訂單的關鍵基準。
三星還在等待其 12 層 HBM3E 的認證。
隨著 HBM 領導地位之爭愈演愈烈，第六代 HBM4 的成功商業化可能成為三星在高階記憶體市場重獲動力的關鍵。
最近，三星開始向 AMD 供應其 12 層 HBM3E，據報道，該公司也在尋求與英偉達達成供應協議。該公司還與多家客戶合作開發定製的 HBM4 產品，預計該產品將從明年開始為公司帶來收入。
三星押注 Nvidia 重奪 HBM 領先地位
負責三星電子半導體業務的副董事長此前全永鉉已前往美國與 Nvidia 會面，這引發了人們對三星可能縮小與競爭對手的差距並贏得高頻寬記憶體晶片新訂單的預期。
據業內人士透露，Jun早前訪問了英偉達，商討三星第五代HBM3E 12層產品如何為這家GPU製造商的Blackwell Ultra GB300供貨，以及雙方的代工合作關係。此次訪問矽谷距離他五月初的類似訪問不到兩個月。
HBM 晶片是提升 AI 處理器效能的關鍵元件。SK 海力士和美國美光科技等規模較小的競爭對手已經向英偉達（其先進記憶體產品的最大客戶）供應了最新的 HBM3E 12 層晶片，並在此過程中實現了盈利增長，而三星卻一直難以透過認證測試，因此落後了。
經過一年的延遲，三星於第二季度重新設計了其最新晶片，目前正在努力供應更新版本。這家晶片製造商最近為AMD的下一代MI350X AI加速器交付了HBM3E 12層晶片，緩解了市場對其產品質量的疑慮。這引發了人們對三星可能在今年下半年獲得英偉達認證的預期。
據報道，訪問期間，Jun還與Nvidia討論了其下一代HBM4晶片，預計該晶片將於明年上市。
對於第六代 HBM4，三星計劃成為業界首家採用 1c DRAM 技術的公司，以期獲得競爭優勢。SK 海力士和美光科技已分別於 3 月和 6 月向主要客戶交付了各自的 HBM4 樣品。據報道，他們的產品使用的是基於較舊的 1b 工藝製造的 DRAM 晶片。
Jun 在 3 月份的公司股東大會上表示：“對於 HBM4 和定製 HBM 晶片等新市場，我們將按照計劃進行開發和量產，不會重蹈去年的覆轍。”
除了記憶體晶片，三星還在尋求獲得英偉達的代工訂單。目前，這家韓國晶片巨頭正在為任天堂的下一代 Switch 2 遊戲機生產英偉達 Tegra T239 晶片，該晶片採用英偉達的 8 奈米工藝。
Switch 2 取得了商業上的成功，自 6 月份推出以來僅四天就售出了 350 多萬臺，預計這將有助於提高三星代工業務的盈利能力。
三星目前正尋求贏得英偉達下一代圖形處理單元的訂單，該單元採用其尖端的 2nm 環繞柵極工藝，計劃於今年年底實現量產。
GAA工藝是三星首次開發的電晶體架構，比廣泛使用的FinFET設計具有更好的功率效率和效能。
三星於 2022 年開始量產其 3nm GAA 工藝，但初期良率一直不佳，難以吸引客戶。此後，該公司已提高 3nm 工藝的良率，目前正致力於提高即將推出的 2nm 工藝的良率。
如果三星能夠贏得英偉達的大批次 GPU 訂單，它將能夠顯著改善其財務業績並增強其在 AI 晶片市場的競爭力。
一位業內人士表示：“獲得英偉達作為客戶對於引領下一代HBM市場至關重要。隨著三星在克服半導體行業低迷方面不斷取得進展，其與主要科技公司擴大合作的機會也越來越大。”
*免責宣告：本文由作者原創。文章內容系作者個人觀點，半導體行業觀察轉載僅為了傳達一種不同的觀點，不代表半導體行業觀察對該觀點贊同或支援，如果有任何異議，歡迎聯絡半導體行業觀察。
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