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來源：內容編譯自zdnet。
據悉，三星電子已於第二季度末減少了12層HBM3E（第五代高頻寬儲存器）的產量。三星電子原本計劃在今年年中向英偉達供應該產品，但隨著談判的拖延，下半年需求的不確定性加劇。因此，據悉該公司已恢復保守的經營政策，以降低庫存突然激增的風險。
據業內人士2日透露，三星電子近日被查明已將其HBM3E 12層量產線的開工率降至之前的一半。
HBM3E 12層是目前商業化HBM中最先進的產品，三星電子已在位於平澤的P1和P3生產線上量產HBM3E 12層。
尤其是三星電子，自第一季度末以來大幅提高了其HBM3E 12層儲存器的產量。這是一種預先確保庫存的策略，預計與英偉達的質量測試計劃將在6月左右完成。AMD最新AI加速器（例如MI325X和MI350X）的HBM3E 12層儲存器的供應也產生了影響。
因此，三星電子今年第二季度HBM3E 12層矽片的產量預計平均每月7萬至8萬片。 然而，據悉三星電子在第二季度末大幅減少了晶圓投入，目前的產量為每月3萬至4萬片。
主要原因分析為，向NVIDIA供應HBM3E 12層儲存器的不確定性增加。三星電子最初的目標是在6月份完成測試，但最近，測試最遲將在9月份完成的預期已成主流。業內人士表示，發熱問題仍在討論中。
一位知情人士表示， “如果由於對 Nvidia 的供應延遲導致HBM3E 12 層庫存迅速增加，這可能會給三星電子的財務帶來負擔”，並補充道， “由於HBM4市場預計將於明年上半年正式啟動，三星電子可能會嘗試保持保守的生產立場”。
因此，預計三星電子HBM業務的反彈將受到非NVIDIA ASIC（專用積體電路）需求擴張的影響。目前，谷歌、Meta和AWS（亞馬遜網路服務）等全球大型科技公司正專注於開發用於資料中心的AI半導體。HBM也大量應用於這些晶片中。
及時實現HBM4（第六代高頻寬儲存器）的商業化也是一項重要任務。目前，三星電子正專注於HBM4的核心晶片——1c（第六代10奈米級）DRAM的開發，並已開展修改部分電路以提高穩定性等工作。預計HBM用1c DRAM將於今年第三季度獲得PRA（內部量產批准）。
三星完成第六代DRAM開發
三星電子已完成基於先進 10 奈米級工藝的第六代 DRAM 的開發，距離量產下一代 HBM4 記憶體更近一步。
據業內訊息人士週二透露，這家科技巨頭週一完成了第六代 DRAM 的開發，並獲得了生產準備批准，這是一個重要的內部里程碑，表明該產品符合大規模生產準備的所有標準。
10 奈米級 DRAM 製程技術已逐代演進，從第一代發展到第六代。每一代技術都實現了更精細的電路，從而提升了效能和能效。
三星此前曾於2022年12月宣佈開發第五代DRAM，並於次年5月開始量產。這一最新里程碑標誌著其在工藝擴充套件方面取得了約兩年的進展。
三星的第六代 DRAM 開發因其高頻寬記憶體業務而備受關注。這家科技巨頭計劃在今年下半年實現基於第六代 DRAM 的 HBM4 的量產。HBM4 有望成為人工智慧時代的關鍵元件，顯著提升資料處理速度和能效。
三星的同城競爭對手SK海力士目前在HBM市場處於領先地位，目前正在開發採用第五代DRAM的HBM4。據報道，該公司早在3月份就已向主要客戶提供了HBM4樣品，並計劃在今年下半年實現量產。
隨著三星完成第六代 DRAM 的開發，市場關注點轉向該公司是否會很快交付 HBM4 樣品並透過 Nvidia 的資格測試，這是獲得大批次訂單的關鍵基準。
三星還在等待其 12 層 HBM3E 的認證。
隨著 HBM 領導地位之爭愈演愈烈，第六代 HBM4 的成功商業化可能成為三星在高階記憶體市場重獲動力的關鍵。
最近，三星開始向 AMD 供應其 12 層 HBM3E，據報道，該公司也在尋求與英偉達達成供應協議。該公司還與多家客戶合作開發定製的 HBM4 產品，預計該產品將從明年開始為公司帶來收入。
參考連結
https://zdnet.co.kr/view/?no=20250702094402
*免責宣告：本文由作者原創。文章內容系作者個人觀點，半導體行業觀察轉載僅為了傳達一種不同的觀點，不代表半導體行業觀察對該觀點贊同或支援，如果有任何異議，歡迎聯絡半導體行業觀察。
END
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