2nm，要來了！

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在此之前，我們討論了很多2nm，當中涵蓋了各大廠商的技術佈局，個人的時間進度，以及可能潛在的市場顛覆力量。但現在，圍繞著2nm，又將跨進了一個新的階段。因為現在無論是英特爾、臺積電還是三星，都公佈他們2nm的最新訊息。

而且，關於哪些廠商將會是臺積電的首批客戶，在市場也有了很多的新進展。現在，請跟隨我們的腳步，去了解一下2nm的最新現狀。

臺積電2nm，重大突破

據臺媒報道，晶圓代工龍頭臺積電將於今天（3月31日）於高雄楠梓科學園區舉行“2奈米擴產典禮”，此計劃將見證臺積電在先進製程技術上的重大突破，並凸顯深耕臺灣、擴大投資的決心。

典禮將由臺積電共同營運長暨執行副總經理秦永沛主持。法人預估，臺積電2納米制程將於2025年下半年量產，並首次採用奈米片（Nanosheet）電晶體結構。

臺積電目前2奈米生產基地已規劃竹科寶山與高雄廠區，竹科寶山可擴充四期四個廠，高雄廠區面積則可達五期五個廠以上，並外傳南科廠區也可動態升級產線匯入2奈米乃至A16等製程，進而因應客戶群強勁的需求。

臺積電董事長魏哲家之前於法說會上透露，2奈米需求更勝同時期的3奈米。供應鏈透露，2奈米設計難度更高，因此在尚未量產前，已有眾多客戶開始與其接洽，包括蘋果、AMD、英特爾等客戶在內，預計在消費型產品上將陸續匯入。

報道指出，臺積電針對寶山與高雄廠2奈米訂單分配也早有定案，寶山廠首批產能早已被蘋果全數包下，主攻蘋果使用；高雄廠則用來支援非蘋客戶群。另外，也傳出英特爾也將爭取2奈米於今年內投片，現在客戶群排隊已至2027年以後，等於2奈米尚未量產，就已獲得超乎預期的市場需求。

從之前的報道可以看到，臺積電2奈米（N2）採用第一代Nanosheet奈米片技術的環繞柵極電晶體（GAAFET）架構；相較N3E，在相同功耗下，速度增加10~15%；而在相同速度下，功耗降低25~30%，新品啊密度則相對增加15%以上

2奈米搭配NanoFlex技術，透過靈活的元件寬度調節，進行效能、功耗和麵積的最大化（PPA）。短單元可節省面積並提高能源效率，高單元則可提升效能，提高客戶在設計組合上的靈活性，可提升15%的速度，同時在面積與能源效率間取得最佳平衡。 2奈米將如期在2025年下半年進入量產。

臺積電在官網中也指出，N2技術採用第一代奈米片（Nanosheet）電晶體技術，提供全製程節點的效能及功耗進步，預計於202年開始量產。

臺積電指出，公司主要客戶已完成2奈米矽IP設計，並開始進行驗證。臺積公司並發展低阻值重置導線層、超高效能金屬層間電容以持續進行2納米制程技術效能提升。

臺積電重申，公司的N2技術於2025開始量產時，將成為業界在密度和能源效率上最為先進的半導體技術。臺積公司N2技術採用領先的奈米片電晶體結構，其效能及功耗效率皆提升一個世代，以滿足節能運算日益增加的需求。 N2及其衍生技術將因我們持續強化的策略，進一步擴大臺積公司的技術領先優勢。

之前訊息顯示，臺積電2奈米家族延伸出N2P製程技術，具備更佳的效能及功耗優勢，為智慧手機和HPC應用提供支援，N2P計劃於2026年下半年量產。

英特爾1.8nm，即將量產

在最近向股東提交的年度報告中，英特爾執行長陳立武 (Lip-Bu Tan) 發表了一封信，信中他表示：“今年下半年，我們將推出英特爾 18A 上的主打產品 Panther Lake，進一步增強我們的地位，隨後在 2026 年推出 Nova Lake。”

據披露，我們還處於早期英特爾 18A 外部客戶專案的最終設計階段，預計將在今年年中完成首次向晶圓廠製造的釋出。“在重建工藝領導地位的同時，我們還將繼續推進未來節點的路線圖。”Intel CEO重申。相關訊息顯示，英特爾首批次產產品包括面向消費端的Panther Lake處理器及2026年釋出的伺服器晶片Clearwater Forest。

據英特爾CEO所說，英特爾今年晚些時候在亞利桑那州最新的晶圓廠開始大批次生產英特爾 18A。

據分析師稱，博通和英偉達這兩家人工智慧晶片巨頭正在考慮在其產品中使用英特爾的 18A（1.8 奈米級）工藝技術。然而，Arcuri 聲稱，與博通相比，英偉達“更接近”採用英特爾作為其第二（或第三？）供應商。AMD 也表現出對這種製造工藝的興趣，儘管其在該節點上的進展尚不清楚。

瑞銀分析師 Timothy Arcuri 更是直言，如果英特爾獲得最大的無晶圓廠晶片設計公司之一 Nvidia 的訂單，這將是一次重大勝利，或許也是英特爾代工廠的一個轉折點。

在官網中，英特爾表示：“英特爾 18A 現已準備好用於客戶專案，預計將於 2025 年上半年開始投產。”據介紹，該節點擁有以下幾點優勢：

與Intel 3 工藝節點相比，每瓦效能提高 15%，晶片密度提高 30% ；
北美製造的最早可用的2奈米以下先進節點，為客戶提供有彈性的供應替代方案；
業界首創的 PowerVia 背面供電技術，可將密度和單元利用率提高 5% 至 10%，並降低電阻供電下降，從而使 ISO 功率效能提高高達 4%，並且與正面功率設計相比，固有電阻 (IR) 下降大大降低；
RibbonFET 環柵 (GAA) 電晶體技術，可實現電流的精確控制。RibbonFET 可進一步縮小晶片元件體積，同時減少漏電，這對於日益密集的晶片而言是一個關鍵問題；
HD MIM 電容器可顯著降低電感功率下降，增強晶片的穩定執行。此功能對於生成式 AI 等需要突然且高強度計算能力的現代工作負載至關重要；
全面支援行業標準 EDA 工具和參考流程，從而實現從其他技術節點的平穩過渡。藉助 EDA 合作伙伴提供的參考流程，我們的客戶可以先於其他背面電源解決方案開始使用 PowerVia 進行設計。
由 35 多個行業領先的生態系統合作伙伴組成的強大團隊，涵蓋 EDA、IP、設計服務、雲服務以及航空航天和國防領域，有助於確保廣泛的客戶支援，從而進一步簡化採用；

從工藝組合上看，如下圖所示，除了 18A，英特爾還在準備其效能增強型 18A-P 製造技術，該技術有望在相同功率下提高效能，或在相同效能下降低功率。分析師認為，這個生產節點可能對希望在最小化功耗的同時最大化效能的外部客戶更有吸引力。

三星2nm，艱難中前行

作為最早投入GAA量產的廠商，因為良率原因，三星在先進的3nm GAA工藝中一直艱難前行，這同樣體現在其2nm產品上。這也就是為何三星晶圓代工負責人在上任之初就表示——我們將專注於大幅提高 2 納米制造工藝良率的原因。

早在去年7月，全三星電子宣佈，將向日本領先的人工智慧公司 Preferred Networks 提供採用 2 奈米 (nm) 代工工藝和先進的 2.5D 封裝技術 Interposer-Cube S (I-Cube S) 的交鑰匙半導體解決方案。

據介紹，透過利用三星領先的代工和先進的封裝產品，Preferred Networks 旨在開發強大的 AI 加速器，以滿足生成式 AI 驅動的計算能力不斷增長的需求。

三星表示，自從開始量產業界首個採用全柵（GAA）電晶體架構的3nm工藝節點以來，公司成功贏得了2nm工藝的訂單，效能和能效得到了進一步提升，從而鞏固了其GAA技術領先地位。在三星看看來，此次與Preferred Networks的合作，是日本企業在大尺寸異質整合封裝技術領域的首戰告捷，三星也計劃趁此加速其在全球領先先進封裝市場的攻勢。

日前，有報道指出，隨著其在 2nm GAA 工藝上試產的 Exynos 2600 已達到 30% 的良率，三星可能即將開始全面晶圓生產，但這一切都取決於它能否將這些良率擴大到可接受的水平。

報道強調，自從報道三星試製成功率達到 30% 以來，三星 2nm GAA 的良率提升了多少還不得而知，但據報道，採用上述技術製造的 Exynos 2600 原型機將於今年 5 月投入生產。這一先機將為三星提供必要的喘息空間，以確保其能夠緩慢提高良率並實現量產。2nm GAA 節點至少需要達到 70% 的良率才能開始接受其他客戶的訂單。

天風國際分析師郭明淇此前曾評論說，由於這個數字是在大約三個月前公佈的，這可能意味著這些良率將遠高於 60%，而製造工藝將用於蘋果的 A20 SoC，該 SoC 將於2026 年下半年在 iPhone 18 系列中使用。憑藉臺積電目前的進展，該公司有能力在2025 年底前達到每月 50,000 片晶圓的產量，因此即使三星處於領先地位，其競爭對手也將遠遠超過它。但是，如前所述，如果 2nm GAA 良率回升，沒有什麼能阻止三星重新獲得失去的市場份額。

報道透露，高通和蘋果可能在2nm晶片上採用三星的工藝，但必須強調的是，這僅僅是猜測。

具體到技術方面，三星表示，透過對 SF3P 進行了改進，形成了我們現在所說的 SF2。這個增強節點採用了各種工藝設計改進，帶來了顯著的功率、效能和麵積 (PPA) 優勢。

展望2026 年，三星將推出 SF2P，這是 SF2 的進一步改進，採用了“速度更快”但密度更低的電晶體。2027 年，三星將推出 SF2Z，增加背面供電，以實現更好、更高質量的供電。特別是，三星瞄準的是電壓降（又稱 IR Drop），這是晶片設計中一直關注的問題。

三星強調，公司已經優化了 BSPDN，並首次將其納入我們今天宣佈的 SF2Z 節點中。

寫在最後

在三大巨頭在推進2nm之際，日本的Rapidus也更新了公司的2nm進展。

據報道，目前Rapidus正在北海道千歲市建設2nm晶圓工廠，試產產線計劃在2025年4月啟用，目標是2027年開始量產2nm。

日前，Rapidus 宣佈，將與Quest Global Services PTE簽署合作備忘錄。作為Quest Global 的新半導體代工合作伙伴，能為客戶提供廣泛的解決方案。Rapidus 指出，Quest Global 客戶將能夠利用 Rapidus 的 2nm 全柵極 (GAA) 製造工藝來開發工程設計和製造解決方案，以支援行業對低功耗人工智慧 (AI) 半導體日益增長的需求。據透露，兩家公司將共同為無晶圓廠公司提供虛擬整合裝置製造商 (IDM) 模式的變革性矽解決方案。

但毫無疑問，這家新貴，舉例前面三個老法師，還有不少的差距。

在2nm到來之際，圍繞著下一代的工藝的競爭也已經如火如荼上演。

據臺媒引述臺積電供應鏈透露，臺積電在1.4nm製程推進獲得重大突破，臺積電近期已通知供應商備妥1.4nm所需裝置，預定今年先進新竹寶山第二廠裝設試產線（Mini-line），同時也計劃將原訂採用2nm製程的寶山晶圓20廠的三廠和四廠，作為1.4nm的生產據點。

三星在此前也透露，1.4nm 級節點 SF1.4 也有望在 2027 年問世。但有趣的是，它似乎沒有背面供電。根據目前的路線圖，三星將是唯一一家在其首個 1.4nm/14 A級節點中未使用 BSPDN 的代工廠。

至於Intel將會使用High-NA EUV光刻機生產14A（也就是1.4nm級工藝產品）及其變體英特爾 14A-E ，則有望將在 2027 年或之前某個時候推出。據介紹，這個新的製造節點都力求比前一個節點的效能提升 15%。

圍繞著這些工藝，一場新的技術攻堅戰，也正在激烈上演。

END

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