三星晶圓代工,簽下1183億元大單

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來源:內容來自半導體行業觀察綜合
據三星電子28日釋出的訊息,公司近日與一家國際巨頭簽訂了半導體代工(晶圓代工)生產合同,合同金額達22.7648萬億韓元(約合人民幣1183億元),合同期截至2033年12月31日。三星電子稱,遵從商業保密原則,無法公開合同方以及合同詳情。
三星晶圓代工, 一季度表現不佳
根據TrendForce的報告,三星晶圓代工在2025年第一季度的營收為28.9億美元,較上一季度下降11.3%。該公司在全球晶圓代工市場的份額也從2024年第四季度的8.1%小幅下降至7.7%。這表明三星未能獲得大客戶,原因可能是尖端節點良率低、與系統大規模積體電路(LSI)部門存在資料共享風險以及其他原因。
TrendForce的研究結果指出,2025年前三個月三星晶圓代工業務下滑的主要原因有兩個。第一,該公司對中國消費者補貼計劃的敞口有限;第二,美國對先進節點的限制。
不出所料,臺灣的臺積電在2025年第一季度以67.6%的市場份額和255億美元的營收領跑全球晶圓代工市場。同樣,中國大陸的中芯國際營收增長了1.8%,達到22.5億美元,市場份額從上一季度的5.5%增長至6%。這些資料鞏固了中芯國際在晶圓代工市場第三名的位置。
更重要的是,這對三星來說是一個警示,因為它一直在探索不同的策略,以在晶圓代工領域站穩腳跟。如果這家韓國公司在未來幾個月內未能改善其晶圓代工業務,中芯國際很有可能超越它。理想情況下,三星希望趕上臺積電,但現在它面臨著被中芯國際奪走第二名的風險。
然而,三星仍然樂觀地認為,隨著 2nm 製程時代的到來,其市場地位將有所回升。該公司計劃將其 2nm Exynos 2600 晶片整合到即將推出的 Galaxy S26 系列中。如果成功,這將有助於重拾高通和英偉達等主要代工客戶的信任。
三星晶片業務有望透過新工藝反彈
三星電子的晶片製造裝置解決方案 (DS) 部門將採用更精細的製造工藝,以實現更快、更強大的計算能力,旨在獲得全球大型科技公司的訂單,這提高了人們對其從長期盈利低迷中反彈的預期。
據業內官員本月初透露,三星電子副董事長兼 DS 部門負責人全永鉉此前訪問了美國,並會見了包括英偉達在內的全球大型科技公司的同行。
他的會議細節尚不清楚,但據報道,他討論了三星為人工智慧 (AI) 處理器提供高頻寬記憶體 (HBM) 的潛在供應以及該公司的代工能力。
此次會議召開之際,該公司近期獲得了採用10奈米1c級工藝生產的DRAM的生產準備批准。該批准適用於已準備好量產的產品。
1c 製程指的是 10 奈米級的第六代製造工藝,分為六個階段:1x、1y、1z、1a、1b 和 1c。這一進步體現了更精細的節點尺寸,從而帶來了更強大的計算能力和更高的能效。1c 製程大約相當於 11 奈米。
據悉,三星計劃採用其1c工藝生產的DRAM作為HBM4的核心晶片,HBM4是三星、SK海力士和美光正在準備在今年下半年量產的最新、最先進的HBM晶片。
SK海力士和美光已將其下一代HBM4晶片樣品傳送給主要客戶進行認證測試,但據報道,已傳送的晶片採用1b工藝製造。三星計劃透過使用1c工藝來突出其HBM4的差異化特性。
作為該計劃的一部分,該公司將恢復位於京畿道平澤市的4號工廠的擴建。4號工廠最初計劃為其代工業務增加生產線,但該公司已決定安裝1c工藝的生產線。
該公司虧損的代工業務也在尋求反彈。
三星代工廠目前正在採用其 8 奈米工藝生產英偉達的 T239 晶片組。T239 是任天堂 Switch 2 的主處理器,這款遊戲機是任天堂有史以來銷售最快的遊戲機,上市四天全球銷量就達 350 萬臺。科技媒體預計,這款遊戲機將為三星帶來超過 12 億美元的銷售額。
人們對三星更精細的製造工藝的期望也越來越高。三星代工廠已開始採用其 3 奈米工藝為 Galaxy Z Flip 7 量產 Exynos 2500 應用處理器,該處理器將於 7 月 9 日的釋出會上亮相。
由於 Exynos 2500 未被三星旗艦產品 Galaxy S25 系列採用,因此人們對該處理器產生了懷疑,但該公司最近提高了其生產良率,並在其網站上宣佈該處理器現已“量產”。
今年下半年,該公司還將為 Galaxy S26 系列生產採用 2 奈米工藝的 Exynos 2600。
據悉,三星晶圓代工廠還正利用2奈米級和Gate-All-Around技術,爭取高通下一代應用處理器和Nvidia圖形處理器的訂單。
因此,分析師對三星第三季度盈利前景的預測更加樂觀。IM證券分析師宋明燮(Song Myung-sub)預計,三星DS部門今年第三季度的營業利潤將達到4.61萬億韓元,同比增長19.43%。
宋先生表示:“三星最近已開始全面生產其1b DDR5,並正在提高其1c工藝的良率。這些進展表明其在傳統DRAM領域的競爭力可能有所恢復。然而,其針對Nvidia的12位高HBM3E的認證似乎被推遲了,而其基於1c工藝的HBM4能否成功仍存在不確定性。”
*免責宣告:本文由作者原創。文章內容系作者個人觀點,半導體行業觀察轉載僅為了傳達一種不同的觀點,不代表半導體行業觀察對該觀點贊同或支援,如果有任何異議,歡迎聯絡半導體行業觀察。
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