奸商!傳三星/海力士/美光停止生產DDR3/4轉向利潤更高的DDR5/HBM記憶體

#科技資訊 訊息稱三星電子、SK 海力士和美光將在 2025 年停止生產 DDR4/DDR3 記憶體晶片,全面轉向利潤更高的 DDR5 和 HBM 高頻寬記憶體晶片。這種轉變可能會打斷當前 DDR4/DDR3 產品價格穩步下降的局面,產能減少後這些產品價格可能會上漲,或者逼迫使用者購買價格更高的 DDR5 記憶體。檢視全文:https://ourl.co/107984
DRAM 行業目前似乎正在進行著重大變革,有訊息人士稱隨著主要記憶體製造商幾乎完全將重點轉向高效能晶片後,成熟的 DRAM 解決方案的產能可能會逐漸減少。
涉及的製造商包括三星電子、SK 海力士和美光,這些韓國製造商將在可預見的未來將重點轉向利潤更高的 DDR5 和 HBM 高頻寬記憶體產品。
停止生產 DDR4/DDR3 等記憶體可能會對下游市場和終端使用者產生重大影響,當成熟產品縮小供應時價格會上漲,如果 OEM 和使用者採用 DDR5 記憶體那同樣需要付出更高的價格。
本質上說這算是人為介入的市場炒作,對三星電子這類快閃記憶體晶片製造商來說,適用於伺服器尤其是人工智慧相關的 HBM 高頻寬記憶體產品需求量更高、利潤率也更高。
三星電子、SK 海力士和美光提供的快閃記憶體晶片佔據著大部分市場,這些調整勢必會對價格產生影響,不過其他製造商可能會在 2025 年年底填補這些空白。
南亞科技表示,定價策略需要適應不斷變化的市場條件。DRAM 市場預計將在 2025 年上半年繼續萎縮,但需求還在增長,因此可能很快就會恢復正常。
在 DDR5 記憶體問世後,DDR4 和 DDR3 這類成熟產品的價格正在穩步下降中,但韓國這些製造商將重點轉向 DDR5 和 HBM 記憶體後可能會推動 DDR4、DDR3 記憶體價格上漲,inSpectrum 的分析師稱儘管 DDR5 記憶體需求疲軟但其價格仍然在上漲中。
華邦電子的計劃是在 2025 年下半年過渡到新的 16nm 工藝用於生產 8Gb DDR 晶片,現階段華邦電子使用的 20nm 工藝主要用於生產 DDR3 和 DDR4 中的 4Gb DDR 晶片。

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