臺媒：DRAM巨頭，HBM有變

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來源：內容編譯自digitimes。

據digitimes報道，三星電子將其下一代高頻寬記憶體 (HBM) 晶片的量產推遲至 2026 年，這表明在正在進行的 DRAM 重新設計工作中，三星電子將採取更加謹慎的推出方式。

該公司最初計劃在 2025 年下半年開始量產基於 10nm 級第六代 1c DRAM 的 12 英寸 HBM4 模組。不過，據韓國出版物Deal Site報道，三星打算在 2025 年第三季度向主要客戶交付早期樣品，預計在第四季度全面投入生產。

此次延期正值三星致力於提升其重新設計的1c DRAM晶片的效能和良率之際。據報道，內部測試已取得進展，截至7月初，少量晶圓的良率已達到約65%。然而，這些樣品並非專門為HBM應用設計，量產後的實際良率可能會有所不同。

修改1c DRAM的兩種策略

通常，記憶體製造商會先開發用於計算用途的 DRAM 晶片，然後再將該技術應用於移動或 HBM 產品。三星此前在第一季度財報電話會議上重申，HBM4 的開發仍與客戶路線圖保持一致，目標是在 2025 年底實現量產。然而，最新的內部訊號表明，這一時間可能會推遲到 2026 年。

儘管有所延遲，三星重新設計的1c DRAM似乎正在取得進展。據業內人士透露，該公司正在推行兩種策略來改進1c DRAM：一種是修改之前的1a和1b設計，另一種是徹底重新設計以打造新一代晶片。徹底重新設計可以擴大晶片尺寸，從而提高產量，但由於晶圓使用量和開發工作量增加，成本也隨之增加。

三星HBM4的成功取決於其能否維持從試生產到量產的良率。業內人士警告稱，目前仍需進行額外的測試，且PRA審批並非成功的最終指標。良率挑戰通常在全面量產過程中出現，穩定產量和質量還需要更多時間。

SK海力士第二季度盈利創紀錄

7月24日， SK海力士公佈了創紀錄的季度業績，這得益於HBM（高頻寬儲存器）和AI相關記憶體產品的強勁需求。該公司第二季度營業利潤同比增長68%，達到9.21萬億韓元（約合67億美元），銷售額增長35%，達到22.23萬億韓元（約合161.6億美元）。淨利潤達到6.99萬億韓元（約合50.8億美元）。HBM及相關DRAM產品佔總營收的77%，為記憶體部門帶來了迄今為止最強勁的業績。

SK海力士公佈的營業利潤資料遠超三星電子同期4.6萬億韓元（約合33.4億美元）的初步集團營業利潤。該公司的營業利潤率升至41%，現金儲備增至17萬億韓元（約合123.6億美元）。此外，淨債務較上一季度減少了4.1萬億韓元（約合29.8億美元）。

SK Hynix 大膽擴充套件 HBM，乘上 AI 浪潮

SK 海力士大力押注人工智慧熱潮，希望推動其在 2025 年下半年持續增長。這家韓國晶片製造商預計，在大規模人工智慧模型訓練、自主人工智慧專案和新產品釋出的推動下，強勁的需求將持續下去。

SK海力士計劃在2025年將HBM的銷量翻一番，這得益於其已投入量產的HBM3E晶片的強勁需求。該公司還在為下一代產品HBM4做準備，目標是在今年3月分發早期樣品後，於2026年實現商業化上市。

除了HBM之外，SK海力士還計劃在今年晚些時候開始出貨基於LPDDR的伺服器模組，並透過推出一款新的24Gb晶片來擴充套件其用於AI顯示卡的GDDR7產品線。在NAND記憶體方面，該公司將保持謹慎的投資策略，優先考慮盈利能力和基於QLC的企業級固態硬碟(SSD)的擴充套件。

SK海力士已確認其M15X製造工廠將於第四季度按計劃投產，包括HBM在內的生產預計將於明年開始。龍仁Cluster 1製造工廠預計將於2027年第二季度竣工。該公司還表示，其2025年的資本支出預計將超過此前的預測。

參考連結

https://www.digitimes.com/news/a20250724PD223/samsung-hbm4-production-2026-sk-hynix.html

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