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近日，半導體裝置大廠DISCO公佈的資料令人矚目。2025財年第一財季（2025年4-6月），其非合併出貨金額預計高達930億日元，同比增長8.5%，實現近6個季度以來的第五度增長，單季出貨金額更是超越2024年度第三季度的908億日元，創下歷史新高。
DISCO在公告中明確指出，精密加工裝置出貨增長，主要源於生成式AI需求的持續高漲，帶動了製造裝置銷售的增加。
在這一過程中，HBM（高頻寬儲存器）作為支撐生成式AI發展的關鍵技術，扮演了關鍵角色，HBM憑藉其高頻寬、低功耗的特性，成為滿足生成式AI對海量資料快速存取需求的核心元件，其產能擴充與技術迭代對半導體制造環節提出了更高要求。HBM的興起不僅助力英偉達、AMD 等AI晶片企業實現產品效能的飛躍，推動SK海力士、美光、三星等儲存巨頭的業績攀升，如今也在顯著拉動半導體裝置巨頭的營收增速。
DISCO作為在晶圓減薄、切割和研磨市場佔據重要地位的裝置大廠，此次出貨額提升便是有力證明，凸顯了生成式AI與HBM需求在半導體產業鏈中的強大帶動作用。
HBM的強勁需求並非僅讓DISCO一家半導體裝置大廠受益，在其掀起的產業浪潮中，眾多半導體後道裝置廠商都憑藉這一驅動力實現了業績的顯著提升，呈現出較大市場潛力。
靠HBM掙大發的裝置巨頭
DISCO：HBM推動下強勢增長
2023年，受先進封裝需求強勁的推動，日本裝置製造商Disco憑藉其在晶圓減薄、切割和研磨技術方面的優勢，以20%的市場份額領先。
上面剛介紹了DISCO 2025財年第一財季創紀錄的出貨金額。近日其業績預測再次上調，2025財年第一財季合併營收自此前（4月）預估的750億日元(年減9%)上修至899.14億日元(年增9%)，合併營益自238億日元(將年減29%)上修至344.8億日元(將年增3%)、合併純益也自原先預估的167億日元(將年減30%)上修至237.67億日元(將年增0.2%)，純益將創下歷史同期歷史新高紀錄。
DISCO修訂後的業務預測
由於DISCO的營收狀況和客戶裝置投資意願之間的直接連動性低，透過會在產品完成驗收後才將賣出的產品列入營收計算，因此營收易受驗收情況波動的影響。因而要觀察客戶投資意願參考公司的出貨額動向相對比較準確。
但無論從那個資料來看，在HBM市場帶動下，DISCO業績都將迎來強勢增長。
從其具體業務來看，DISCO長期以來致力於提供最前沿的精密加工裝置，廣泛應用於晶圓切割、研磨、拋光和鍵合等環節。透過不斷的技術創新，DISCO在全球半導體制造領域保持了領導地位，併為推動人工智慧和HBM的進步提供了強有力的技術支援。
近年來，隨著AI和儲存技術的飛速發展，半導體制造商面臨著越來越複雜的技術挑戰，傳統的二維工藝正在逐漸被三維封裝技術所取代。透過三維封裝，晶片製造商能夠在有限的空間內提高計算和儲存能力，以滿足AI對更高效能和更低功耗的需求。DISCO憑藉其先進的DBG（切割+研磨）技術和SDBG技術，成功解決了在裸片製造過程中高精度和高效能的要求，實現了HBM等晶片的批次生產。
在HBM技術中，TSV（矽通孔）工藝是核心，透過三維堆疊晶片來提升連線效率。DISCO為TSV提供了全面的技術支援，包括晶圓切割、研磨和拋光等關鍵工藝，確保晶片在堆疊過程中能夠保持高精度和高效性。
在GMIF2024創新峰會上，DISCO展示了面對半導體行業技術挑戰時所提供的創新解決方案。透過高精度的邊緣修整、化學清洗、低損傷研磨、翹曲控制等技術，DISCO不僅提升了產品的良率和一致性，也大幅提高了生產效率。例如，在薄矽片處理過程中，DISCO開發的低損傷隱形切割技術，有效解決了低介電常數材料在加工中的難題。此外，DISCO的翹曲控制技術能夠應對高精度晶圓的生產需求，幫助客戶在大規模生產中保持一致的加工質量。
隨著晶片整合密度的不斷提升，混合鍵合技術成為未來封裝工藝的關鍵。對此，DISCO的W2W（晶圓對晶圓）和D2W（裸片對裸片）鍵合技術，透過無凸塊互連實現更高密度的整合和更低的能耗。這些技術特別適用於HBM和其他高效能封裝的生產，能夠大幅提升晶片的整體效能。
DISCO透過在極薄化處理、精密清潔和切割領域的技術突破，確保混合鍵合在先進封裝工藝中順利實施。這不僅推動了晶片效能的提升，也為未來的高密度晶片整合奠定了技術基礎。
能看到，DISCO的全流程支援涵蓋了從前端晶圓處理到後端封裝的多個環節，確保客戶能夠在高精度和高效能的生產中保持競爭優勢。例如，DISCO的研磨和拋光技術解決了晶圓翹曲和顆粒汙染等難題，為晶圓生產提供了全方位的技術保障。同時，DISCO的劃片技術為超薄晶圓的加工提供了低損耗、高精度的解決方案。
在面對封裝工藝的複雜挑戰時，DISCO還提供了針對性的解決方案，如凸塊模具的成型和研磨、TSV的鈍化等，為客戶的封裝技術開發提供了堅實的基礎，也推動了半導體產業向更高精度、更高效能的方向發展。
基於DISCO在先進封裝和HBM等領域的深耕，其業績持續實現突破。
在這樣的市場環境下，DISCO精密加工裝置的出貨量保持穩定，重點放在高附加值產品上，而精密加工工具(消耗品)的出貨量也因客戶設施高運轉率而保持在高水平。因此，DISCO年度出貨量和年度銷售額連續達到歷史新高。
DISCO預計將在7月17日公佈2025財年第一季財報，上季DISCO非合併營收較去年同期增長10.1%至754億日元。屆時也將公佈第二季度(2025年7-9月)財測預估。
BESI：以混合鍵合技術卡位HBM4
在半導體行業蓬勃發展的當下，HBM正引領著一場技術革新。隨著三星電子、SK海力士等儲存巨頭對下一代HBM記憶體技術的佈局推進，混合鍵合技術嶄露頭角，成為實現HBM效能飛躍的關鍵支撐。
據悉，三星電子預計最早將於明年的 HBM4 記憶體中採用混合鍵合，而 SK海力士可能會在稍晚的HBM4E 中匯入，美光和其它企業則計劃考慮匯入有凸塊鍵合的迭代版本：無助焊劑鍵合。
混合鍵合技術優勢顯著，它摒棄傳統鍵合工藝中在DRAM記憶體層間新增凸塊的步驟，透過直接銅對銅連線，極大提高訊號傳輸速率，滿足AI計算對高頻寬的迫切需求，同時降低DRAM層間距，縮減了HBM模組整體高度，能夠提升晶片整合度與效能。
在這場技術變革中，總部位於荷蘭的裝置公司Besi憑藉在混合鍵合裝置領域的深厚積澱，成為行業的領軍者。
Besi主營業務是Die attach，也就是固晶機，佔據市場主導份額，但該裝置主要是用在傳統封裝領域，因此Besi在過去幾年的業績並不算太好。而如今隨著AI景氣度的提升，Besi迎來新的發展契機。
今年4月，Besi執行長Richard Blickman表示，公司收到兩家領先儲存晶片廠商針對HBM4應用的混合鍵合訂單，以及一家亞洲領先晶圓代工廠關於邏輯晶片的追加訂單。當季訂單量達1.319億歐元，較上季度增長8.2%，彰顯出強勁的市場需求。
KBC證券分析師在一份報告中稱，Besi的新訂單“非常積極”，即使短期內可能有波動，也凸顯其長期增長潛力。
Besi在財報中也指出，儘管主流和中國封裝裝置市場面臨阻力，但公司受益於先進封裝產品組合的強勁增長，尤其在混合鍵合、光子學和其他AI應用領域。自2021年以來，其混合鍵合訂單總額超100個系統，凸顯該技術對3D AI相關組裝應用的重要性。
Besi的2025年第一季度報告證實了與HBM4相關的混合鍵合機訂單，標誌著從邏輯到記憶體應用的轉變。
實際上，混合鍵合已成為全球半導體裝置廠重點佈局方向，包括AMAT（應用材料）、ASMPT、Shibaura、TEL、SUSS等紛紛入局，國內大陸公司包括拓荊科技、華卓精科等。
值得關注的是，應用材料公司在2025年4月收購Besi 9%股份，成為其最大股東，積極佈局混合鍵合。雙方自2020年合作開發“全整合混合鍵合裝置”，結合應用材料的前端晶圓處理技術與Besi的後端高精度封裝能力，共建“卓越中心”加速技術商用。
此次股權合作被視為雙方技術協同的深化：
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技術互補性：應用材料公司貢獻其在晶圓加工、薄膜沉積及材料工程領域的核心能力，而Besi則提供高精度晶片貼裝與組裝裝置技術。
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量產突破：雙方聯合開發的混合鍵合系統已進入技術驗證階段，目標在未來2-3年內實現大批次生產，滿足資料中心、人工智慧及自動駕駛等高算力應用場景的需求。
應用材料公司副總裁兼異構整合與封裝事業部總經理Terry Lee表示，此次投資是戰略性長期投資，彰顯了對混合鍵合技術的重視，這一技術對於先進邏輯晶片和儲存晶片至關重要。Besi執行長Richard Blickman強調，應用材料的入股為混合鍵合技術注入強大動力，雙方深度整合將推動3D封裝技術發展。
隨著先進製程逼近物理極限，晶片製造商正轉向異構整合與3D封裝技術以提升效能。混合鍵合憑藉其高密度互連與低功耗優勢，被視為替代傳統微凸點技術的關鍵方案。據市場研究機構預測，到2028年，混合鍵合市場規模預計將突破50億美元，年複合增長率達35%。
在此趨勢下，Besi憑藉其領先的技術和市場地位，有望在這波HBM浪潮中充分受益，迎來業績的顯著提升。其在混合鍵合技術和HBM領域的持續佈局與創新，將助力公司在半導體裝置市場競爭中搶佔先機，推動行業邁向新的發展階段。
Besi的2025年第一季度業績也證明了公司在AI/HBM領域的成效。據悉，Besi2025年第一季度營收為1.441 億歐元，環比下降6.1%，主要原因是高階移動應用出貨量下降；同比下降1.5%，主要原因是移動和汽車應用出貨量下降。不過，混合鍵合及其他AI相關計算應用的強勁增長，有效抵消了部分業績壓力，成為重要支撐。
訂單層面更顯積極訊號：該季度訂單額達1.319億歐元，環比增長8.2%，主要得益於亞洲客戶在人工智慧相關資料中心應用領域的訂單增加；同比亦增長3.3%，核心驅動力來自混合鍵合及其他先進計算應用的訂單貢獻。
業績與訂單的分化趨勢，在公司戰略規劃中得到進一步印證。今年6月的2025年投資者日上，Besi上調了長期財務目標。公司總裁兼執行長Richard W. Blickman解釋，3月與主要客戶及利益相關者的戰略規劃審查顯示，到2030年人工智慧技術將在資料中心、邊緣計算及消費應用領域實現更廣泛部署。同時，隨著資料量激增與摩爾定律放緩，主流終端使用者市場將加速採用基於2.5D和3D晶片的晶圓級組裝結構，這將直接推動Besi在邏輯與記憶體應用領域的先進封裝解決方案需求增長。
基於此，Besi提高了長期收入預測，其中亞微米晶片貼裝系統及AI相關主流晶片貼裝系統的業績預期佔比顯著，成為支撐收入、毛利率及營業利潤率目標上調的核心板塊。
TCB裝置廠商，狂攬HBM紅利
受益於AI大模型、高效能計算和資料中心需求的爆發式增長，HBM作為下一代記憶體技術已從“技術先鋒”走向“市場核心”，市場規模正在加速放量中。
與此同時，HBM製造對後段工藝裝置提出了極高要求，尤其是晶片堆疊環節中的熱壓鍵合（TCB）技術，其精度和良率直接決定HBM晶片的封裝質量、產能與成本。可以說，TCB裝置是決定HBM“能量上限”的核心環節。
根據摩根士丹利與韓媒ETNews預測，全球用於HBM封裝的TCB裝置市場將從2024年的約4.6億美元，快速增長至2027年的15億美元以上，年均複合增長率超50%。
目前，該市場已形成“多強爭霸”的局面：
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韓美半導體（Hanmi Semiconductor）：長期為SK海力士供貨，2024年營業利潤同比增長639%，並獲Micron大單，預計將交付超過50臺裝置，單價達30億韓元；
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韓華SemiTech：韓華集團旗下裝置廠商，2024年向SK供貨12臺TCB裝置，總金額約4200億韓元，技術力不斷提升；
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ASMPT（新加坡）：其裝置已進入SK的HBM3E試產線，尤其在NCF路徑上具備高穩定性和較快節拍效率；
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K&S（庫力索法）：也來自新加坡，積極開發無助焊劑鍵合方案，並與美光展開合作；
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Shinkawa（日本新川）：TCB裝置先驅之一，曾為三星主要供貨商，現受制於本土半導體裝置投資放緩，份額被韓企和新加坡企業蠶食；
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SEMES（三星旗下裝置廠）：專為三星內供，近年來替代Shinkawa裝置成功自研新一代TCB機，可支援高層堆疊HBM4。
韓美半導體：從SK海力士到美光的客戶擴張
韓美半導體在HBM TCB鍵合機市場上擁有最高的市場佔有率。
韓媒指出，自 2017 年以來，韓美半導體一直與 SK 海力士合作開發用於 HBM 製造的 TC 鍵合機，隨著SK海力士事實上成為英偉達AI晶片HBM的獨家供應商，韓美半導體也鞏固了其在HBM TC鍵合機市場的地位，其2024年銷售額達5589億韓元，營業利潤達2554億韓元，創下成立以來最佳業績，銷售額較上年增長252%，營業利潤增長639%。
這一業績被認為對向全球半導體制造商供應用於HBM生產的TC鍵合機產生了積極影響，以響應全球對AI半導體的需求增長。
除了鞏固與SK的合作，韓美半導體也在致力於進一步增強其全球市場主導地位，開始將供應線擴大到 SK海力士以外的公司。2023年，韓美半導體成功將美光納入客戶名單，替代了原本使用日本新川（Shinkawa）裝置的供應鏈。
此外，韓美半導體在2024年4月從美光獲得了約50臺TCB鍵合機的訂單。這是繼2023年向美光供應數十臺TCB鍵合機之後再次獲得的大規模追加訂單。據悉，美光為避免其產能資訊外洩，將此次合同金額分拆為無需公開披露的小額訂單分別下單，且供應給美光的TCB鍵合機價格比SK海力士購買的同類裝置高出30%~40%。
價格差異源於兩家公司在技術路徑上的不同。美光采用的TC-NCF工藝相比SK海力士所採用的MR-MUF工藝有所不同，其裝置頭部結構更復雜，因此單臺裝置的價格也更高。
此外，韓美與三星之間的潛在合作似乎最近又被提上日程。儘管韓美與三星的關係在 2011 年涉及三星子公司 SEMES 的專利糾紛後惡化，但目前所有遺留問題都已得到解決。據 DealSite 報道，三星目前正在重新設計 HBM3E 以解決產量問題，並正在考慮將與Hanmi 合作作為其關鍵改進策略之一。
香港證券公司CLSA預測，“雖然韓美半導體目前74%的TC鍵合機銷售額來自SK海力士，但到2027年，這一比例將降至40%，客戶結構將進一步多元化”，並補充道，“目前看來，韓美半導體很可能將在HBM TCB鍵合機市場保持較高的市場份額。”
韓國業內人士表示：“韓美半導體目前已將其TCB鍵合機供貨至美光等多個客戶，擁有龐大的客戶基礎，其他廠商要在短期內追趕並不容易。”摩根大通釋出的報告也指出，未來至少三年內韓美半導體仍將主導該細分市場。
韓美半導體對此也表現出十足的自信。公司會長郭東元在韓華SemiTech傳出與SK海力士簽訂供貨合同後，曾公開表示：“後發廠商的技術雖有一定水準，但韓華SemiTech最終可能也僅拿到少量訂單，結果無疾而終。”
韓美半導體的TC鍵合機、FLTC鍵合機（無助焊劑型）和混合鍵合機將在HBM3E 12層的全球生產中發揮主導作用，目前HBM3E 12層正在應用於引領全球人工智慧市場的NVIDIA和Broadcom，以及即將推出的HBM4和HBM5。
據報道，韓美半導體在去年5月宣佈用於HBM4生產的專用裝置“TC Bonder 4”，這是一款針對HBM4特性大幅提升了精度與生產效率的高效能鍵合裝置。韓美半導體會長表示：“新推出的‘TC Bonder 4’是專為HBM4開發的裝置，即使在要求極高精度的16層以上堆疊工藝中，也能實現高生產效率和高品質。”
這也是首個針對HBM4推出TCB鍵合機的裝置廠商，儘管SK海力士開始轉向多供應商的模式，但在高層數堆疊上，恐怕依舊離不開韓美半導體。
為了讓TC Bonder 4能夠順利應對全球儲存器企業的HBM4量產計劃，韓美半導體已經建立了量產體制，透過此次HBM4專用裝置的供應，將在全球AI半導體市場保持領先地位。
據悉，今年7月，韓美半導體已開始生產“TC Bonder 4”裝置，計劃從今年下半年開始正式供應TC Bonder 4。全球HBM製造商計劃從今年下半年開始量產HBM4。三星電子和SK海力士計劃在年內實現HBM4的量產，而美光則計劃於2026年開始量產。
韓國美半導體表示：“我們已經建立了大規模生產系統，以確保TC Bonder 4能夠無縫應對全球儲存器企業HBM4量產計劃。”
除了與國際頭部大廠合作之外，韓美半導體也是不少中國儲存晶片及半導體封測廠商的裝置供應商。不過隨著韓美半導體對華斷供傳聞，可能會影響其在中國市場的業務，同時倒逼國內HBM生態鏈加速建立，涵蓋TCB裝置、COWOS封裝、HBM堆疊、芯粒設計、EDA協同等一整套本土化路徑。
韓華SemiTech，攪局者入場
與韓美半導體針鋒相對的，是同樣來自韓國、背靠韓華集團的韓華SemiTech（前身為“韓華精密機械”）。
韓華SemiTech受到高度關注的原因，在於其背後有韓華集團的強力支撐。集團會長金升淵的三子——金東善副社長目前負責集團未來戰略，其曾公開表示將繼續在該領域投資，以強化韓華SemiTech的競爭力。
儘管市場普遍預計韓美半導體的領先地位至少能維持三年，但韓華SemiTech如何攪動市場格局成為了焦點。
早在2020年，韓華就開始佈局HBM相關裝置，併成功與SK海力士簽下供貨合同。2024年，其累計向SK交付12臺TCB鍵合機，總金額達420億韓元。
而長期為SK海力士供貨的韓美半導體對此表示強烈不滿，認為韓華裝置存在專利侵權及技術洩漏問題，且價格比其原有裝置更高，缺乏合理依據。作為報復，韓美將對SK海力士提供的客戶服務從免費轉為收費，並將裝置供貨價格上調28%。
SK海力士回應稱，每家廠商合同條款根據附加選項不同而定，並非對韓華給予“溢價”。韓華方面也強調其裝置的自動化系統與維護便利性表現突出，能夠支援8–16層堆疊，完全匹配SK海力士的需求。
據悉，SK海力士給予韓華SemiTech裝置高評價的原因，正是其在自動化系統和維護便利性方面的表現。韓華SemiTech方面表示：“此次供貨的TCB鍵合機以‘減少人工操作’為目標，搭載了多種數字化解決方案與自動化系統，並採用了更適合工程師使用的軟體。”他們補充道：“裝置能夠輕鬆支援8層、12層乃至16層堆疊，最大限度地反映了SK海力士工程師的需求。我們正集中全公司力量，力爭擴大今年的供貨量。
今年5月，韓華Semitech進行業務重組成立了“先進封裝裝置開發中心”，以增強其開發下一代半導體裝置的能力。該公司計劃透過大幅增加相關技術人員配置，將其開發能力擴充套件到HBM生產的關鍵裝置TC鍵合機之外，以涵蓋混合鍵合裝置等下一代技術。
業界指出，此次重組正值該韓華鞏固與SK海力士聯盟之際，適逢SK海力士與韓美半導體之間的聯盟裂痕日益擴大之時。韓華Semitech與SK海力士的合作關係自去年首次向SK海力士交付TC債券以來一直在加強。得益於SK海力士近年來突飛猛進的行業成就，擴大與SK海力士的合作關係能為韓華帶來穩定的供應訂單以及行業地位。
值得關注的是，不只是TCB鍵合機這一類產品，韓國半導體裝置廠商正在藉由HBM的熱銷悄然崛起。
據TheElec對2024年第四季度韓國46家半導體裝置企業的業績分析，營業利潤率最高的六家公司分別是：韓美半導體、Techwing、Zeus、DIT與Oros Technology這些廠商中有四家聚焦於後處理裝置，深受HBM與先進封裝熱潮帶動。
韓美半導體上文已有介紹，透過長期以來向SK海力士獨家供應HBM用TC鍵合機，構建起強勢的技術壁壘，營收飆升。
緊隨其後的是Techwing，其核心產品為記憶體測試處理機，因其HBM測試裝置“Cube Prober”而成為業界焦點。為 SK Hynix、Kioxia 以及美光供應記憶體測試處理器。美光是其最大客戶，去年佔其收入的 45%。當前，該裝置已向三星出貨，並正在SK海力士進行質量驗證，未來潛力被普遍看好。
Zeus公司專注HBM TSV清洗裝置，2024年營收達4908億韓元，營業利潤492億韓元，利潤增長率接近600%。其後段處理裝置“Atom”與“Saturn”已被業界廣泛採用，並憑藉快速交付能力成功打入HBM產業鏈。此外，Zeus正在聯合美國Pulseforge開發基於光子技術的剝離裝置，並於Semicon Korea展會上首度公開新一代TBDB裝置，展示其持續創新能力。
DIT以雷射解決方案見長，2024年營收1167億韓元，營業利潤241億韓元，其中雷射退火裝置佔59%。雷射退火技術的突破不僅驗證了DIT的研發能力，也打開了HBM先進製程的大門。據悉，DIT公司與SK海力士自2019年開始聯合開發HBM用雷射退火技術，並於2023年下半年起正式匯入HBM3E量產線，成為其核心工藝之一。
Oros Technology去年營收為614億韓元，營業利潤61億韓元。雖然體量相對較小，但其焊盤覆蓋裝置在HBM後段製程中具備不可替代性，目前由其獨家供應。去年中，該公司成功進入日本鎧俠的供應鏈，並簽下與三星電子價值96億韓元的合同，客戶結構逐步多元化。由於日本半導體裝置自給率高、外部准入門檻高，因此Oros能打入Kioxia供應鏈被視為技術突破的象徵。
能看到，上述韓國半導體裝置企業均與HBM後處理及先進封裝緊密相關，在韓美半導體之外，Techwing、Zeus等企業憑藉獨門產品和工藝快速突圍，這也顯示出了韓國裝置產業由單一強者向多元格局轉變的趨勢。
ASMPT：新加坡廠商的技術突圍
在先進封裝領域，新加坡廠商ASMPT近年來也加快了在HBM裝置市場的滲透，憑藉在熱壓鍵合（TCB）裝置領域的技術領先優勢，成為HBM市場的重要參與者，尤其在AI算力升級背景下展現出強勁增長潛力。
作為HBM生產的核心裝置，ASMPT的TCB裝置已深度融入頭部廠商的技術迭代程序：2025年第一季度，其向SK海力士交付用於12層HBM3E的量產裝置，同時參與美光HBM4下一代鍵合技術開發，2025年訂單可見度已達12個月。
這一突破背後，與SK海力士的供應鏈策略調整密切相關——長期依賴韓國韓美半導體的SK 海力士，為降低供應鏈風險、提升競爭力，近年積極推進裝置供應商多元化，自去年起已在產線部署約30臺ASMPT裝置。而ASMPT裝置在16層 HBM3E 工藝模擬中的出色表現，更使其在與韓美半導體的競爭中佔據優勢，為SK海力士的技術過渡提供可靠支撐——2025年1月，SK海力士在“CES 2025”展示的16層HBM3E產品（HBM3E向HBM4過渡的關鍵版本），便採用了ASMPT裝置製造。
隨著HBM技術升級至12-16層堆疊，鍵合裝置面臨更高要求：需在保證芯粒對準精度±1.5μm以內的同時，將單位時間封裝效率（UPH）提升至120UPH以上，這對熱控、力控、運動系統提出全面升級需求。對此，ASMPT的TCB裝置在適配高堆疊需求的同時，成本顯著低於混合鍵合（HB）技術，形成差異化競爭力。
同時，ASMPT在混合鍵合領域的突破也在推進：2024年第三季度已向邏輯客戶交付首臺第二代混合鍵合工具，2024年第四季度斬獲領先HBM IDM大宗訂單，預計2025年第一季度完成發貨並確認收入，2025年中期還將向HBM客戶交付兩臺混合鍵合工具（訂單已於2024年鎖定）。
此外，為應對行業挑戰與地緣風險，ASMPT採取“西式化國產”策略：透過本土化研發與生產降低成本，分拆品牌“奧芯明”實現熱鍵合裝置國產化，成本競爭力提升30%，專為16層記憶體和AI晶片服務；2025年奧芯明臨港研發中心投產，進一步縮短交付週期，打破歐美壟斷。同時，其與全球頭部客戶深度合作鎖定長期訂單，即使傳統SMT業務短期承壓，TCB業務的持續增長與混合鍵合技術的突破，仍為中長期發展奠定堅實基礎。
從市場表現看，ASMPT自港股上市以來，股價呈現“震盪中醞釀轉折”的特徵：早期受半導體行業週期波動影響，股價階段性起伏；2024年成為關鍵轉折點，傳統SMT業務因需求疲軟持續拖累業績，導致股價多次下探，但AI浪潮推動先進封裝需求爆發，TCB訂單創紀錄增長成為核心支撐，驅動市場對其長期價值重估。
進入2025年，股價延續“分化修復”態勢：短期受SMT業務復甦緩慢及部分訂單延期擾動，仍面臨壓力；但中長期邏輯日益清晰——TCB裝置在HBM市場的技術壁壘、混合鍵合的突破進展，以及“奧芯明”產能落地，持續強化投資者對AI驅動增長的預期。
從ASMPT 2025年第一季度業績公告可以看到，儘管公司整體營收疲軟，但高產量製造中的HBM TCB及其TCB客戶基礎擴充套件成為公司亮點，公司的主流業務繼續受到汽車和工業終端市場需求疲軟的影響。
ASMPT在業績公告中表示，集團的先進封裝解決方案繼續成為人工智慧應用的重大受益者，並在熱壓縮鍵合(TCB)工具的帶領下表現出強勁表現。集團已完成了向領先儲存客戶交付批次TCB訂單的工作，而這些解決方案主要用於HBM3E 12H的高量產業務。
同時，集團已從多個客戶那裡獲得了更多的TCB訂單，其中包括另一家領先的高頻寬儲存器(HBM)客戶，並正專注於從這些HBM參與者那裡獲得重複訂單。這進一步夯實了其在TCB市場的領導地位。對於SMT而言，其系統級封裝(“SiP”)解決方案在本季度迎來了季節性強勁的訂單。
對於未來，ASMPT持續看好TCB領域增長機會：隨著HBM與邏輯晶片向更高精度遷移，TCB採納率正不斷上升。管理層預測，全球TCB市場規模到2027年將達10億美元，而公司在技術迭代與客戶繫結上的先發優勢，有望使其在這一賽道中持續領跑，在行業波動中凸顯獨特投資價值。
庫力索法：瞄準 HBM 高層堆疊需求
除了ASMPT外，同在新加坡的K&S（Kulicke&Soffa，庫力索法）也加入了這場新的競爭之中。其在半導體領域長期專注於傳統封裝方式，如金線鍵合（Wire Bonding），但近年來開始大力拓展先進封裝技術市場。
庫力索法表示，TC Bonding 是市場上最熱門的技術，TC Bonding的TAM（總可用市場）目前約為3億美金，增長率在20%-25%之間。除了邏輯大晶片，幾乎每一步都需要TC Bonding。相比於邏輯晶片（通常為單顆封裝），HBM可能涉及 8 層、12 層甚至 16 層 以上的堆疊，因此在 HBM 領域，TC Bonding 的需求量預計會遠超邏輯晶片，市場規模也將進一步擴大。
Yole在報告中指出，TCB裝置市場份額將從2024年的1.36億美金增長到2029年的2.7億美金，年化增長率會達到14.7%。有見及此，庫力索法針對終端需求，深耕TCB裝置。
據悉，自2014年推出公司的第一代TCB裝置APAMA以來，庫力索法持續在這個領域投入研發，迭代更新，並最終在2022年推出了名為APTURA的第三代TCB裝置，支援無助焊劑（Fluxless）TCB 及銅對銅鍵合，可滿足 HBM8 層、12 層乃至 16 層以上堆疊需求。
其中，Fluxless TCB是其技術亮點，透過甲酸蒸汽去除錫或銅表面氧化物，解決傳統助焊劑清洗難題，適配小於45微米的鍵合間距，且獲CE、CEMI S2認證，已有兩家客戶用於量產。該技術支援多種進料方式與工藝，能應對更大晶片尺寸，未來計劃開發支援90×120微米的裝置，並推出雙頭機型提升產能至1000UPH以上。
庫力索法認為，HBM對TCB的需求將遠超邏輯晶片，市場空間廣闊。其與UCLA CHIPS合作，探索chip-to-wafer混合鍵合替代方案，鞏固在先進封裝領域的地位，持續受益於HBM技術升級帶來的增長機遇。
今年3月，庫力索法釋出了兩項突破性技術：ATPremier MEM PLUS™垂直線焊解決方案與Asterion®-PW超聲波針焊系統。這兩項創新將重塑儲存器與功率半導體封裝技術，助力邊緣AI、高算力晶片及新能源市場的快速發展。
尤其是HBM，由於美國實施了HBM出口禁令，因此本土HBM突破勢在必行，庫力索法的裝置將有助於加速HBM的研發和產業化，縮小與國際巨頭的差距。
同樣，面對頻繁波動且疲軟的市場，Kulicke & Soffa 總裁兼執行長Fusen Chen表示：“近期，我們注意到東南亞部分市場訂單活動較為謹慎。儘管近期區域市場存在這種動態，但我們仍將繼續支援我們的全球客戶群，核心市場的利用率資料也呈現積極態勢，我們將繼續做好充分準備，透過垂直焊線、功率半導體、先進點膠和熱壓技術轉型來加速增長。”
SEMES：三星“自家供應”模式，
替代新川裝置成定局
作為HBM三巨頭之一，三星電子也悄然完成了TCB裝置供應鏈的“自我革命”。
過去，三星的TCB裝置主要採購自子公司SEMES與日本新川，但近年來採購重心逐步向SEMES傾斜，新川產品則被逐步替代。業內分析指出，新川裝置採用單電機驅動雙焊頭的設計，技術規格已顯落後，難以滿足8層以上HBM的堆疊需求。儘管雙方曾長期保持緊密合作，但當前三星的裝置供應結構已形成以SEMES為核心的格局。
目前，SEMES裝置已應用於三星包括HBM2E在內的多條產線，支撐其4層HBM產品的穩定供貨。儘管SEMES 2023年半導體裝置營收有所下滑，但業內預期，若其成為三星TCB裝置的獨家供應商，相關業務有望迎來強勢反彈。
此次供應鏈調整，既源於新川裝置效能逐步落後於競品，也與三星透過SEMES推進TCB鍵合機自研內化、強化盈利能力的戰略有關。隨著SEMES裝置技術水平提升，三星轉向“自家供應”模式，這也意味著，曾向SK海力士、美光供貨的韓美半導體，其裝置被三星引入的可能性進一步降低——韓美與SEMES曾有專利訴訟糾紛，若同時供貨可能引發技術洩露風險，因此韓美預計將繼續聚焦服務美光與SK海力士。
據半導體行業人士透露，三星已全面停用新川裝置：“過去三星在4層HBM堆疊工藝中使用新川TCB鍵合機，如今這部分也完全由SEMES接手。” 這一變化從新川財報中亦可見端倪——其來自三星的銷售資料已消失，被業內視作雙方合作實質終止的訊號。
儘管2024年SEMES的具體財報未公開，但從行業資料也能看到其已進入高增長通道。摩根士丹利指出，韓國本土裝置商2024年營收同比增長超600%。這與三星HBM產能擴張直接相關——三星計劃2025年下半年推出HBM4樣品，並大幅拉昇HBM3E出貨，其TCB裝置需求主要由SEMES承接。
2025年第一季度，韓國半導體裝置市場銷售額同比增長48%至76.9億美元，SEMES作為核心供應商深度受益。儘管具體營收資料未披露，但三星HBM3E量產及HBM4研發的裝置採購，預計推動SEMES半導體裝置收入佔比回升，HBM市場的爆發成為其業績反轉的核心驅動力。
寫在最後
HBM的爆發式增長，正重塑半導體裝置行業的競爭格局。從DISCO憑藉晶圓減薄、切割技術創下出貨新高，到BESI以混合鍵合裝置卡位HBM4機遇，再到韓美半導體、ASMPT等在TCB裝置領域的激烈角逐，後道裝置廠商成為這場技術浪潮的核心受益者。
這些企業的共同特徵在於，透過技術迭代響應HBM對高精度、高層堆疊的需求——無論是混合鍵合的銅對銅連線，還是TCB裝置的無助焊劑工藝，均指向更高效率與更低功耗的封裝目標。同時，頭部儲存廠商供應鏈的多元化（如SK海力士擴圍供應商）與自研內化（如三星倚重SEMES），進一步激活了裝置市場的創新活力。
隨著HBM向16層以上堆疊演進，裝置技術壁壘將持續提升，而抓住這一機遇的廠商，不僅正在改寫行業格局，更將為半導體產業鏈的高效能化升級提供關鍵支撐。
*免責宣告：本文由作者原創。文章內容系作者個人觀點，半導體行業觀察轉載僅為了傳達一種不同的觀點，不代表半導體行業觀察對該觀點贊同或支援，如果有任何異議，歡迎聯絡半導體行業觀察。
END
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