◎ 馮妍 科技日報記者 王春
復旦大學在積體電路領域獲關鍵突破！由該校周鵬/劉春森團隊研製的“破曉”皮秒快閃記憶體器件，擦寫速度快至400皮秒，相當於每秒可執行25億次操作，是人類目前掌握的最快半導體電荷儲存器件。北京時間4月16日，相關研究成果發表於國際期刊《自然》。
電荷儲存器是資訊科技蓬勃發展的根基。個人電腦中的“記憶體”和“硬碟”，是電荷儲存器的兩種典型代表。然而，斷電後，“記憶體”——靜態隨機儲存器“SRAM”和動態隨機儲存器“DRAM”，儲存的資料會丟失，這種“易失性”特性限制了其在低功耗條件下的應用。相比之下，“硬碟”——以快閃記憶體為代表的非易失性儲存器，在斷電後不會丟失資料，但由於其電場輔助程式設計速度遠低於電晶體開關速度，它難以滿足需要對大量資料極高速存取的場合，例如AI計算等場景。
因此，針對當下AI計算所需的算力與能效要求，儲存技術亟須突破，而破局點在於解決積體電路領域最為關鍵的基礎科學問題：超越資訊的非易失存取速度極限，也就是斷電不丟失，存取還要快。
透過突破基礎理論的瓶頸，研究團隊發現一種電荷儲存的“超注入”機制。據此，研究團隊重新定義了現有的儲存技術邊界，併成功研製“破曉”皮秒快閃記憶體器件，其效能超越同技術節點下世界最快的易失性儲存SRAM技術。劉春森透露，目前相關產品正在嘗試小規模量產。
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海報製作：楊凱 宋慈
編輯：宋慈