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據報道，三星電子將於 2028 年推出其下一代移動記憶體——用於最佳化裝置上的 AI 的新型低功耗寬 I/O (LPW) DRAM。
LPW DRAM 專門針對高效能和低功耗，作為“移動高頻寬儲存器（HBM）”而備受關注。三星電子計劃利用用於裝置人工智慧（AI）的下一代 LPW DRAM 鞏固其作為第一大移動記憶體市場領導者的地位。
三星電子DS部門CTO、半導體研究所所長宋在赫17日(當地時間)在美國舊金山舉辦的2025國際半導體會議(ISSCC)上發表主題演講時宣佈，“首款採用針對裝置上AI最佳化的LPW DRAM的移動產品將於2028年釋出”。這是三星電子首次披露LPW/LLW DRAM的具體上市日期。
LPW 被稱為 LLW 或“自定義記憶體”。由於它作為下一代儲存器正在興起並且相關標準正在制定，因此業界使用了各種名稱。然而，無論名稱如何，目標都是一樣的：增加輸入/輸出通道的數量並降低單個通道的速度，以降低功耗並提高效能。垂直引線鍵合（VWB）封裝技術也在這裡得到應用，該技術將電訊號的路徑從曲線轉換為直線。
三星電子也提高了LPW DRAM的目標效能。LPW DRAM 的輸入輸出速度預計比最新的移動記憶體 LPDDR5X 快 166%，超過每秒 200 千兆位元組（GB），而功耗則降低 54%，僅為每位 1.9 皮焦耳（pJ）。三星電子去年9月在臺灣舉辦的‘Semicon Taiwan’上宣佈LPW DRAM效能比LPDDR5X高出133％，在不到半年的時間內就提高了目標。
雖然宋總經理沒有透露哪些裝置將搭載LPW DRAM，但它很可能不僅用於智慧手機，還將被用於各種裝置上的AI裝置。它很有可能被安裝在需要極低功耗但又需要高AI計算需求的可穿戴裝置中。
宋執行長表示：“使用傳統方法很難找到同時實現效能和功耗的終極解決方案。”“我們將透過增加輸入/輸出端子和應用垂直引線接合來引領移動 AI 取得有意義的進展。”
SK 海力士開發了多種 LPDDR5 記憶體，這家韓國製造商還在技術上不斷突破，推出了世界上速度最快的 LPDDR5T RAM，速度可達 9.6Gbps。然而，該公司還致力於開發另一端的解決方案，其目標不僅是提供極快的速度，而且還注重效率。這就是為什麼該公司一直在開發 LPDDR5M 記憶體，這是一種新標準，其工作電壓低於 LPDDR5X，從而降低了功耗。
作為其為各種應用開發尖端解決方案的努力的一部分，爆料人@Jukanlosreve在韓國網站 Money Today 上發現了一篇關於 SK 海力士計劃進軍節能移動 DRAM 領域的報道。LPDDR5M 標準的工作電壓為 0.98V，低於 LPDDR5X 所需的 1.05V。這一差異使 LPDDR5M 記憶體能夠以更高的速度執行，同時效率提高 8%。
新型記憶體很可能用於具有裝置內建 AI 功能的智慧手機，這些手機能夠在本地執行密集操作，同時消耗更少的電量。該報告沒有提到 SK 海力士將首先滿足哪些客戶的需求，但我們不會驚訝地得知，中國 OEM 將會成群結隊地購買，因為他們已經採用了矽碳電池，由於容量增加，電池的執行時間更長。
然而，當蘋果釋出 C1（目前為iPhone 16e供電的定製 5G 調變解調器）時，其向大眾展示高效解決方案的意圖就已明確。iPhone 16e 在最新版本中放棄了高通的驍龍基帶晶片，宣稱其電池續航時間比任何其他 6.1 英寸 iPhone 都要長，這意味著採用 LPDDR5M RAM 來降低產品功耗可能符合蘋果的利益。
參考連結
https://www.sedaily.com/NewsView/2GP0NJ6DA1
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