1.4nm，巔峰之爭

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在日前英特爾推出了A14工藝之後，兩大晶圓廠巨頭正式入局這個巔峰之爭。從目前的資料看來，總體而言，他們在架構、EUV光刻和電晶體設計上展開了激烈競爭。

首先看臺積電，據該公司執行副總裁兼聯席營運長Yuh-Jier Mii （米玉傑）博士介紹，當前的發展方向是從FinFET到Nanosheet。除了這些技術之外，垂直堆疊的NFET和PFET器件（稱為CFET）也可能是實現器件微縮的候選方案。除了CFET之外，溝道材料方面也取得了突破，可以進一步實現尺寸微縮和降低功耗。上圖總結了這些進展。

米博士報告稱，臺積電一直在積極構建矽基CFET器件，以實現更高水平的微縮。臺積電在2023年IEDM上展示了其首款柵極間距為48奈米的CFET電晶體。今年在IEDM上，臺積電展示了最小的CFET反相器。下圖展示了該器件在高達1.2V電壓下均衡的效能特徵。

他解釋說，此次演示在 CFET 技術發展中取得了重要的里程碑，將有助於推動未來的技術擴充套件。

Mii博士報告稱，二維溝道材料電晶體的研究也取得了重大進展。臺積電首次展示了類似N2技術的堆疊奈米片架構中單層溝道的電效能。此外，他們還開發了一種採用匹配良好的N溝道和P溝道器件、工作電壓為1V的反相器。下圖總結了這項工作。

展望未來，臺積電還計劃繼續開發新的互連技術，以提高互連效能。對於銅互連，我們計劃採用新的通孔方案來降低通孔電阻和耦合電容。此外，我們還在開發一種新的銅阻擋層，以降低銅線電阻。

除了銅之外，目前正在研究具有氣隙的新型金屬材料，以進一步降低電阻和耦合電容。插層石墨烯是另一種前景廣闊的新型金屬材料，未來有望顯著降低互連延遲。下圖總結了這項工作。

英特爾的Turbo Cell

英特爾將推出的 14A 工藝節點（計劃於 2027 年進行風險生產）的效能指標，宣稱其功耗將降低高達 35%。英特爾還展示了其全新的 Turbo Cell 技術，這是一種可定製的設計方法，旨在提供最高的 CPU 頻率並提升 GPU 中關鍵速度路徑的效能。

14A 和 14A-E 節點是繼 18A 節點之後的新一代節點。英特爾表示，14A 節點的效能功耗比將比 18A 節點提升 15% 至 20%，這可以透過更高的時鐘速度或在相同效能下降低 25% 至 35% 的功耗來實現，具體取決於晶片自身的調校。這一改進很大程度上歸功於英特爾全新的直接接觸式背面供電網路，該公司將其命名為 PowerDirect。

英特爾還加入了其他新功能來改進節點，例如更寬的閾值電壓（Vt）範圍，從而實現更廣泛的電壓/頻率曲線。

14A 節點的電晶體密度也比 18A 節點提高了 1.3 倍。英特爾還針對 14A 改進了其RibbonFET 電晶體，現在稱為“RibbonFET 2”。英特爾尚未透露新一代 RibbonFET 的細節，但其總體設計透過利用完全被柵極包圍的四層堆疊奈米片（上圖為 nmos 和 pmos 電晶體的橫截面圖），提高了電晶體密度並實現了更快的電晶體切換速度。

英特爾全新的 Turbo Cells 功能非常出色，但也略顯複雜。Turbo Cells 用途廣泛，但英特爾特別強調，它們將用於 CPU 和 GPU 的關鍵路徑，通常被稱為“加速路徑”。這是有原因的。

處理器內的時序路徑是指訊號在正常執行期間透過導線和邏輯閘傳輸的路徑。然而，這些訊號的延遲可能會中斷處理器的時鐘時序。關鍵路徑是指總延遲最長的路徑。

由於處理器基於時鐘訊號執行，因此最慢的關鍵路徑決定了整個晶片的最高頻率極限，從而成為整體效能的瓶頸（不同時鐘域之間存在差異，但總體原則相同）。晶片設計人員通常會在晶片的這些區域使用更高速的電晶體，但這會降低電晶體密度並增加功耗，因為速度更快的電晶體洩漏更大，從而消耗更多功率。全新的 Turbo Cells 為晶片架構師提供了更精細的工具來緩解關鍵路徑問題。

Turbo Cells 旨在透過增加短庫的電晶體驅動電流來提高效能，當它們用於建立雙高庫（兩個標準行的高度）時，同時保持高密度排列以實現最佳面積效率。

上圖展示了四種不同的 nmos 和 pmos 奈米帶/奈米片（粉色和綠色）排列方式，它們具有不同的寬度和配置，可針對不同場景最佳化驅動電流。奈米帶的寬度可以調整，也可以單獨合併，形成非常寬的奈米帶，以實現最大的驅動電流輸出。各種選項為設計人員提供了強大的工具包，可用於定製實現。

英特爾表示，Turbo Cells 最終可用於將速度更快、功耗更低的單元與同一設計模組內的節能單元混合，從而為任何給定的用例建立功率、效能和麵積 (PPA) 的適當平衡。

關鍵路徑是最終的瓶頸；可以將其視為鏈條中最薄弱的環節。英特爾的全新 Turbo Cells 旨在透過加速這些路徑來提升處理器的整體效能，但又不會像解決關鍵路徑問題那樣做出妥協。我們得等到 2027 年才能看到其最終效果。

High NA EUV，如何抉擇？

作為下一代製造競爭的核心，何時使用High NA EUV光刻機也是一個關注點。

在半導體新元素的採用方面，臺積電多年來一直是先驅，並經常引領潮流。但現在，該公司似乎將放棄在其 A14 工藝中使用高數值孔徑 EUV 光刻裝置，而是採用更傳統的 0.33 數值孔徑 EUV 技術。這一訊息是在數值孔徑技術研討會上透露的，臺積電高階副總裁Kevin Zhangh在會上宣佈了這一進展。由此可以肯定地說，英特爾代工廠和幾家 DRAM 製造商現在在“技術”上比臺積電更具優勢。

“臺積電將不會使High NA EUV光刻技術來對A14晶片進行圖案化，該晶片的生產計劃於2028年開始。從2奈米到A14，我們不必使用高NA，但我們可以在處理步驟方面繼續保持類似的複雜性。每一代技術，我們都儘量減少掩模數量的增加。這對於提供經濟高效的解決方案至關重要。”臺積電的 Kevin Zhang表示。

據相關報道，臺積電認為高數值孔徑 (NA) 對 A14 工藝無關緊要的主要原因是，使用相關的光刻工具，這家臺灣巨頭的成本可能會比傳統的 EUV 方法高出 2.5 倍，這最終將使 A14 節點的生產成本大大提高，這意味著其在消費產品中的應用將變得困難。這家臺灣巨頭依賴於晶片設計和產能，但這並不意味著該公司不會在未來的工藝中採用高數值孔徑 EUV，因為它計劃將其用於 A14P 節點。

High NA推高成本的另一個原因是，臺積電的A14晶片單層設計需要多個光罩，而使用最新的光刻工具只會抬高成本，卻得不到太多好處。相反，透過專注於0.33 NA EUV，臺積電可以使用多重曝光技術來保持相同的設計複雜度，而無需High NA EUV的極高精度，最終降低生產成本。

但臺積電在後來的回應中指出：“臺積電會仔細評估諸如新型電晶體結構和新工具等技術創新，並在將其投入量產之前考量其成熟度、成本以及對客戶的效益。臺積電計劃首先引入高數值孔徑EUV光刻機用於研發，以開發客戶所需的相關基礎設施和圖案化解決方案，從而推動創新。”

英特爾在本週的英特爾 Foundry Direct 2025大會上解釋了其High NA EUV 戰略背後的原理。儘管成本效益方面一直存在質疑，但英特爾仍堅持在其即將推出的 14A 工藝中使用新的高 NA EUV 晶片製造裝置。不過，英特爾尚未完全承諾在生產中使用這款新裝置，但它在 14A 節點上有一個使用標準Low NA EUV 的替代生產流程作為備用方案。

英特爾已在其俄勒岡州工廠安裝了第二臺高數值孔徑 EUV 光刻機，該公司表示該技術進展順利。然而，由於仍在持續開發中，這臺價值約 4 億美元的 ASML Twinscan NXE:5000 高數值孔徑 EUV 光刻機尚未投入生產環境，因此英特爾不會承擔任何風險。

英特爾代工技術與製造執行副總裁、營運長兼總經理 Naga Chandrasekaran 博士表示：“首先，英特爾仍然可以選擇在我們的 14A 技術上採用Low NA 或High NA 解決方案，並且其設計規則相容，不會對客戶產生任何影響，具體取決於我們選擇的路徑。其次，High NA EUV 的效能符合預期，我們會在合適的時機推出它。”

“我們已經掌握了18A和14A的資料，這些資料顯示了我們基於低淨空比的解決方案和基於高淨空比的解決方案之間的收益率平價。因此，我們將繼續在技術方面取得進展，並確保我們擁有合適的選擇，以確保我們交付給客戶的解決方案在我們做出的決策中具有最低的風險和最佳的回報，”Naga解釋道。

英特爾將僅在 14A 節點的少數幾個層上使用High NA EUV（具體數量尚不清楚），而其他不同解析度的機器將用於其他層。這意味著兩臺機器之間的選擇只會影響製造流程的某些部分，但英特爾表示，使用低 NA EUV（詳見下文）機器進行三重圖案化，而不是使用High NA EUV 機器，可以產生相同的結果。

由於這兩種技術都相容設計規則，因此無論英特爾對最終制造流程做出何種決定（無論是否採用HighNA EUV），英特爾的客戶都不必改變他們的設計，這有助於消除客戶對英特爾採用尚未證實的生產技術的擔憂。

此外，英特爾聲稱兩種生產流程的良率相同，這意味著即使高數值孔徑 EUV 開發遇到障礙，或者英特爾出於經濟原因選擇不部署該技術，也不會對產品上市時間造成嚴重影響。採用多重曝光通常會降低良率，但英特爾聲稱的良率持平，體現了現代多重曝光技術的進步，尤其是在套刻技術領域。

關於高數值孔徑 EUV 的公眾討論大多集中在成本上。業內人士普遍認為，高數值孔徑 EUV 的成本效益不如低數值孔徑 EUV 的多重圖案化技術，但將機器投入生產仍面臨諸多技術障礙。大多數挑戰都集中在實現高數值孔徑 EUV 所需的一系列互補技術上，例如光刻膠、光掩模和計算光刻技術等，這些技術必須針對新機器進行最佳化。

然而，英特爾率先採用了 ASML 的機器，以在競爭中佔據優勢，並且在開發階段已使用高數值孔徑光刻技術生產了 3 萬片晶圓。正如一位代表在活動後期解釋的那樣，由於減少了大約 40 個工藝步驟，英特爾仍然實現了顯著的成本節約。

最後，我想談談高數值孔徑 EUV。我們為什麼要這麼做？原因很簡單，成本更低。中間這張圖顯示的是用單次高數值孔徑 EUV 生成的圖案，其間距與我們 14A 所需的間距相當。右側顯示的是用傳統方法生成的非常相似的圖案，我們使用了三次 EUV 曝光（三重圖案化），總共經過了大約 40 個工藝步驟來生成該圖案。

“所以，總的來說，我們看到了更短、更簡單的流程，這是我們在 14A 中使用高數值孔徑 (High-NA) 的應用型別，與多溝道 0.33 NA EUV（低數值孔徑）相比，這降低了成本。此外，這提供了減少金屬層數量並獲得額外效能增強的選項。”

英特爾並未說明其比較是否基於全光罩尺寸的印刷。高數值孔徑 (High-NA) 機器一次只能印刷半個光罩，需要兩次印刷才能製作出一個光罩大小的處理器，並依靠拼接將兩次印刷合二為一，形成一個完整的單元。相比之下，等於或小於半個光罩尺寸的晶片，使用高數值孔徑 EUV 機器只需印刷一次即可。相比之下，低數值孔徑 EUV 機器只需一次印刷即可處理一個全光罩大小的晶片。

英特爾在 10nm 節點上遭遇了諸多失敗，最終導致其失去了對臺積電的晶片製造領先優勢，而英特爾將 10nm 問題歸咎於同時在新的製造技術和工藝上投入了太多資金。

決定開發替代的Low NA生產流程是為了防止重複過去的錯誤，而且英特爾過去也透過開發替代解決方案來降低其他型別進步的風險。

例如，該公司在18A節點開發了全新的背面供電系統，這在業界尚屬首創；同時，該公司還開發了環柵電晶體（GAA），這在英特爾歷史上尚屬首創。為了確保有備用方案，該公司對其18A工藝採取了更為穩健的去風險策略，其中包括開發一個內部試驗的、不帶背面供電的工藝節點。然而，由於GAA和背面供電的開發進展順利，英特爾最終推進了18A節點的完整版本。

英特爾的競爭對手臺積電已確認，不會在其競爭的A14節點上使用高NA技術，並且尚未透露何時將新的高NA EUV裝置投入量產。英特爾最初計劃在其18A工藝中使用高NA技術，該工藝在14A節點之前推出。英特爾後來改變了這些計劃，稱該工藝節點的開發速度出乎意料地快，這意味著裝置無法及時準備就緒。

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