HighNAEUV光刻機，重要里程碑

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英特爾週一表示，阿斯麥控股首批兩臺尖端光刻機正在其工廠“生產”，早期資料表明它們比早期型號更可靠。

在加利福尼亞州聖何塞舉行的一次會議上，英特爾高階首席工程師史蒂夫卡森表示，英特爾利用 ASML 的高數值孔徑 (NA) 光刻機在一個季度內生產了 30,000 個晶圓，即可以生產數千個計算晶片的大型矽片。

去年，英特爾成為全球首家接收這些機器的晶片製造商，這些機器預計將生產比 ASML 早期機器更小、更快的計算晶片。此舉是英特爾的戰略轉變，該公司在採用上一代極紫外 (EUV) 光刻機方面落後於競爭對手。

英特爾花了七年時間才將這些早期的機器投入全面生產，這導致它失去了對臺灣半導體制造公司的領先地位。在生產的初始階段，英特爾對之前的 EUV 型號的可靠性提出了質疑。

不過，卡森表示，在初步測試中，ASML 的新型高數值孔徑機器的可靠性大約是上一代機器的兩倍。

“我們以穩定的速度生產晶圓，這對平臺來說是一個巨大的好處，”卡森說。

新的 ASML 機器使用光束將特徵列印到晶片上，也可以使用更少的曝光完成與早期機器相同的工作，從而節省時間和金錢。

卡森表示，英特爾工廠的早期結果顯示，高數值孔徑機器僅用一次曝光和“個位數”的處理步驟就能完成早期機器需要三次曝光和大約 40 個處理步驟才能完成的工作。

英特爾表示，計劃利用High NA機器幫助開發所謂的18A製造技術，該技術計劃於今年晚些時候與新一代PC晶片一起進行量產。

該公司表示計劃利用其下一代製造技術 14A 全面投入高數值孔徑機器的生產，但尚未透露該技術的量產日期。

Imec 展示了採用High NA EUV 單一圖案化技術獲得的 20nm 間距金屬線的電氣產量

本週，在 SPIE 先進光刻 + 圖案化技術大會上，世界領先的奈米電子和數字技術研究與創新中心 imec 展示了在單次曝光high NA EUV 光刻後圖案化的 20nm 間距金屬線結構上獲得的首個電氣測試 (e-test) 結果。對蛇形和叉形金屬化結構的測量均顯示出良好的電氣產量，表明隨機缺陷數量較少。e-test 結果證實了High NAEUV 光刻掃描器及其周圍生態系統能夠在如此小的尺寸下圖案化線條/空間。

2024 年 8 月，imec 首次展示了在單個High NAEUV 光刻曝光步驟中圖案化的行業相關邏輯和 DRAM 結構。作為下一個關鍵步驟，imec 表明，使用金屬氧化物 (MOR) 負性光刻膠進行單次High NA EUV 圖案化後獲得的 20nm 間距的金屬化線結構表現出 90% 以上的良率。該效能指標是在兩種不同的測試結構（即蛇形（或蜿蜒）結構和叉叉結構）上獲得的，旨在揭示有關隨機缺陷的資訊。

imec 研發高階副總裁Steven Scheer表示：“這是首次透過單次High NAEUV 圖案化獲得 20nm 間距金屬線的電氣產量演示。這些結果代表了對High NAEUV 光刻及其周邊生態系統功能的初步驗證，包括先進的抗蝕劑和底層、光掩模、計量技術、（變形）成像策略、光學鄰近校正 (OPC) 以及整合圖案化和蝕刻技術。我們將繼續與我們的圖案化生態系統合作，推動進一步提高產量，並將這些技術轉讓給我們的製造合作伙伴。”

imec-ASML High NAEUV 生態系統包括領先的晶片製造商、材料和光刻膠供應商、掩模供應商和計量專家等合作伙伴，他們共同致力於開發和最佳化High NAEUV 光刻技術，用於 2 奈米以下節點的下一代半導體制造。

“電子測試是High NAEUV 驗證的關鍵步驟，” imec 先進圖案化部門總監Philippe Leray補充道。“這些電子測試結果也為我們指明瞭前進的方向。與電子束檢查相結合，金屬化蛇形和叉形結構的電導率測量可以提供有關導致產量降低的隨機缺陷（即斷裂和橋接）的資訊。這些見解支援我們的生態系統合作伙伴制定緩解隨機缺陷的策略。我們正在進行的工作之一是最佳化光刻膠效能，以降低劑量與產量，同時儘量減少對隨機故障的影響，我們正在與光刻膠界密切合作，共同努力。”

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