作者丨鉛筆道 愛羽
2016年5月，一場“蛇吞象”的畫面正在進行。一個成立時間不過半年的年輕公司，竟然想透過 19.18 億元，收購一家美國擁有28年曆史的半導體裝置公司（MTI）。
這家公司就是：屹唐半導體。2015年12月，它由北京亦莊國投發起成立，初始定位為半導體裝置技術開發與製造，但缺乏核心技術。亦莊國投的收購陽謀是：用資金換技術。
完成這場交易的關鍵人物是陸郝安。從物理學博士到英特爾技術骨幹，再到執掌國產裝置龍頭，他的職業生涯恰似中國半導體產業發展的縮影。
2016年，他臨危受命，操盤屹唐收購美國MTI，並非簡單“買技術”，而是將MTI的技術與中國市場做結合，實現彎道超車。
9年後的今天，彎道超車的局面正在發生。
2025年7月8日，屹唐半導體以770億元市值登陸科創板，是今年以來北京地區最大的IPO（募資額），也是亦莊國資孵化的最大規模科技IPO。
屹唐半導體的主要業務是：積體電路製造裝置。其中，收入佔比最高的產品是：幹法去膠裝置。2023年全球市場份額達34.60%，位居全球第二。
我們來看看：這家超級獨角獸背後，揭示了哪些國家級機會？
– 01 –
陸郝安是怎麼成為國內半導體的產業推手的？且看他的成長故事。
1977年，陸郝安考入中國科學技術大學，攻讀物理學本科。
1982年畢業後，他透過CUSPEA專案（中美聯合培養物理類研究生計劃）赴美深造，在弗吉尼亞大學獲得固態物理學博士學位。
1990年代，他在美國西北大學和北卡羅來納州立大學擔任科學研究員，專注於電子與光學薄膜領域。
4年後，他加入應用材料公司（全球最大半導體裝置商），從高階工藝工程師晉升至專案主管，首次接觸晶片製造核心工藝，意識到裝置決定技術的天花板。
隨後，他加入英特爾。1997年調入矽谷技術製造工程部，參與晶片量產研發，6年一線經驗，讓他掌握“從實驗室到量產”的全流程。
2003年，他調任中國，主導兩項關鍵任務：
大連晶片廠建設：負責亞洲首家12英寸廠（Fab 68）的裝置供應鏈管理，推動本土化採購；
政府事務開拓：任英特爾中國公共事務總監4年，協調政府關係與教育專案，奠定產業政策理解力。
2009年，他出任SEMI中國區（國際半導體裝置與材料協會）總裁。
他與屹唐半導體的故事，開始於7年後的2015年。
當年12月，北京亦莊國投成立“屹唐半導體”，初始定位為半導體裝置技術開發與製造，但缺乏核心技術。
於是次年，亦莊國投收購美國Mattson Technology，陸郝安臨危受命出任CEO。MTI成立於1989年，擁有幹法去膠、快速熱處理等核心技術，客戶包括臺積電、三星等巨頭。
這正好填補的屹唐半導體的弱項。
幹法去膠和快速熱處理，是半導體晶片製造中的關鍵工藝裝置技術。
前者像“洗玻璃”一樣，能去除晶片製造中殘留的光刻膠（一種用於圖案化的光敏材料）。
後者像“微波爐加熱”一樣，能在幾秒內將晶圓加熱到1000℃以上，用於啟用摻雜原子或修復晶格損傷。
2018年，屹唐北京亦莊工廠投產，首臺國產化幹法去膠裝置下線。它將MTI裝置製程能力從65nm提升至5nm，快速熱處理裝置全球市佔率達13.05%（第二）。同時，產品打入臺積電5nm產線、三星DRAM生產線，國內12英寸晶圓廠覆蓋率從15%躍升至60%。
2018年，屹唐半導體營收突破2.52億美元，扭虧為盈。2020年，屹唐連獲三輪融資，引入紅杉中國、IDG資本、深創投等機構，估值飆升至200億元，成為妥妥的超級獨角獸。
近三年，屹唐半導體的業績呈現"V型"反轉：2022年營收47.6億元、淨利3.8億元開局穩健，但2023年受行業週期影響營收下滑17%至39.3億元。
隨著國產替代加速，2024年公司再次復甦，營收增長18%達46.3億元，淨利潤更同比飆升75%至5.4億元。
– 02 –
從以上故事，相信你也看到了：屹唐半導體是典型的國家隊。實控人為北京經開區管委會，亦莊國投持股45.05%。
這也側面說明了，屹唐半導體要解決的，其實是一個國產替代的問題。
刻蝕裝置是晶片製造的核心裝備之一，其精度直接決定電晶體結構的奈米級成型質量。
目前，屹唐的幹法刻蝕裝置雖已進入三星、長江儲存的供應鏈，其裝置可用於65nm到5nm邏輯晶片製造。
相比之下，泛林半導體的等離子刻蝕機已全面覆蓋3奈米工藝，其極紫外（EUV）相容刻蝕技術更是領先。
更嚴峻的是，國際巨頭正透過“技術迭代+生態繫結”鞏固壟斷地位。
應用材料（AMAT）與泛林聯合推出的“原子層刻蝕”方案，可將誤差控制在0.1奈米以內，而屹唐的毫秒級溫控技術尚無法實現同等級別的均勻性。
臺積電等頭部晶圓廠更傾向於採用“裝置全家桶”——刻蝕、沉積、檢測裝置來自同一供應商以確保相容性，這使得屹唐這類單一產品線企業難以打入先進製程產線。
面對懸殊的差距，屹唐的研發策略並非硬碰硬，而是依託其2016年收購美國MTI的技術遺產，走出一條“嫁接式創新”路徑。
比如，借鑑MTI在快速熱處理裝置上的雙晶圓傳輸技術，開發可同步處理兩片晶圓的刻蝕腔體，將生產效率提升40%，成本降低30%。
這種差異化路線，在部分產品上實現了彎道超車。在3D NAND快閃記憶體領域，屹唐的高深寬比刻蝕裝置憑藉側壁保護技術，良率比泛林同類產品高出5%，打入美光科技128層堆疊產線。
– 03 –
屹唐也揭示了半導體國產化的結構性機會。
據Gartner資料，2025年中國大陸半導體裝置市場規模將突破500億美元，但部分環節國產化率不足20%，尤其在刻蝕、薄膜沉積等關鍵環節仍依賴進口。
晶片製造各環節的國產化程度統計
一個關鍵的核心原因是：刻蝕機和薄膜沉積裝置需要實現原子級精度控制。
例如，5nm刻蝕機的等離子體能量波動需控制在0.1%以內，而國產裝置在均勻性和穩定性上仍落後國際巨頭2-3代。
薄膜沉積裝置中，原子層沉積（ALD）技術對膜厚控制要求達0.1nm（相當於1個原子層），而國產裝置在7nm以下節點的臺階覆蓋率不足90%，遠低於應用材料（AMAT）的99.5%。
此外，在核心零部件，國內廠商很依賴進口。
刻蝕機的射頻電源被美國MKS壟斷）、真空泵被德國普發主導，薄膜沉積裝置的氣體分配系統被日本Horiba控制，部分關鍵部件國產化率不足10%。
這些大背景下，就給了國產企業幾大機會。
首先是核心零部件的“國產替代視窗期”。2024年，國內部分企業被列入實體清單後，刻蝕機中超50%的進口零部件面臨斷供，比如射頻電源、真空泵等。
美國出口管制，將倒逼中國加速供應鏈自主化。
其次是差異化技術路線的“換道超車”。
與國際巨頭在矽基先進製程“硬碰硬”不同，中國企業正透過細分領域的技術彎道超車。
比如在第三代半導體裝置上，中微半導體聯合寧德時代開發的車規級碳化矽刻蝕機，良率突破92%。
比如在先進封裝裝置上，屹唐半導體將美國MTI的退火技術與刻蝕工藝結合，推出“刻蝕-退火”一體化裝置，獲長電科技小批次訂單。
總而言之，中國半導體裝置的競爭是馬拉松長跑，而非衝刺。長跑並不是中國企業的挑戰，而是機會。
本文內容僅供參考，不構成任何投資建議。封面圖由AI創作。
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