鉛筆道作者 | 海有夢
2016年，一場的3億美元跨國併購案震動業界，主角之一是屹唐半導體。
這是中國企業首次完整地將半導體裝置領域的國際老牌企業收入囊中。
9年後，屹唐半導體IPO之路邁出重要一步：3月12日，其科創板IPO稽核狀態已更新為“註冊生效”。
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2016年的矽谷，一場震動半導體界的3億併購案悄然落定。北京亦莊國投透過新成立的屹唐半導體，以破局之姿將美國上市公司Mattson Technology收入囊中。
這場收購的操盤手，正是半導體行業傳奇人物陸郝安博士。這位曾在美國應用材料、英特爾深耕二十餘年的技術“大佬”，彼時剛卸任SEMI全球副總裁，轉身便以CEO身份帶領屹唐完成了中國半導體裝置史上罕見的“蛇吞象”式收購。
陸郝安1977年考入中國科學技術大學物理系，之後在弗吉尼亞大學獲得固態物理學博士學位。早年參與英特爾大連晶片廠建設，主導亞洲首個晶片廠裝置供應鏈；執掌SEMI中國期間，將SEMICON China打造成全球最大半導體產業平臺。
但真正讓他燃起野心的，是2016年那場併購，收購Mattson不僅讓中國首次擁有覆蓋邏輯晶片、儲存晶片全流程的幹法裝置技術，更借陸郝安搭建的中美德研發網路，將矽谷的精密工藝與“中國速度”嫁接。
僅一年便讓屹唐營收突破2.5億美元，裝置進入入臺積電、三星的尖端產線。
如今，屹唐半導體已發展成為一家總部位於北京經濟技術開發區，以中國、美國、德國三地作為研發、製造基地，面向全球經營的半導體裝置公司，在國際舞臺上逐漸站穩了腳跟。
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屹唐半導體手握三把“利刃”，成功切割技術壁壘。他們的幹法去膠裝置、快速熱處理裝置和幹法刻蝕裝置，共同構成了其產品矩陣的核心。
幹法去膠裝置是屹唐的“王牌產品”。其作用是在光刻工藝後精準剝離光刻膠殘留，避免化學汙染影響晶片效能，直接關乎晶片良率。
而快速熱處理裝置，它主要負責晶圓退火與氧化。在先進製程中，熱應力常常導致晶圓變形，這是行業長期面臨的難題。
但屹唐的快速熱處理裝置透過毫秒級溫控技術，比如晶圓雙面輻射加熱，實現了納米級均勻性，成功攻克了這一難題。
從營收結構來看，屹唐半導體的收入主要來源於專用裝置、備品備件、服務以及特許權使用費。
2021年至2024年，其專用裝置和備品備件銷售收入佔比合計超過90%，是經營業績的主要來源。以2024年1 – 6月為例，專用裝置收入為157333.26萬元，佔比75.29%；備品備件收入為46838.22萬元，佔比22.41%。
到了2024年前三季度，隨著AI晶片需求爆發，這兩項裝置裝機量突破4600臺。
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屹唐半導體的客戶名單，是全球半導體產業的“頂級俱樂部”。
在國際客戶陣營中，臺積電、三星電子、美光科技這三大巨頭都是屹唐的“常客”。
屹唐半導體的幹法去膠裝置和快速熱處理裝置已深度融入臺積電5nm邏輯晶片生產線，在三星的DRAM和3D快閃記憶體產線中也佔據著關鍵位置。
美光科技作為全球儲存晶片龍頭，在其10奈米級DRAM晶片製造過程中，大量採用屹唐的裝置。
此外，英特爾、SK海力士等國際大廠也在屹唐的服務版圖之內。近年來，屹唐甚至將業務拓展到格羅方德等國際特色工藝代工廠，實現了對邏輯晶片、DRAM和3D NAND三大晶片品類的全覆蓋。
資料顯示，2021年至2024年上半年，其前五大客戶的銷售收入合計分別為207170.76萬元、240560.72萬元、200,061.10萬元和138869.19萬元，佔同期營業收入的比例分別為63.93%、50.51%、50.89%和66.45%，客戶集中度較高。
財務方面，2021年至2024年上半年，屹唐半導體分別實現營業收入32.41億元、47.63億元、39.31億元和20.9億元，歸母淨利潤分別為1.81億元、3.83億元、3.1億元和2.48億元。
根據Gartner 2023年統計資料，其幹法去膠裝置以全球第二的市佔率穩居行業頭部（2020年該項列位全球第一）；快速熱處理裝置同樣以13.05%的全球市場份額位列第二，在幹法刻蝕裝置領域則成功躋身全球前十。
值得一提的是，當全球晶片製造商還在為先進製程裝置“卡脖子”問題焦慮時，屹唐半導體已經悄然佈局，進入5奈米邏輯晶片、128層3D快閃記憶體等前沿產品的產線。
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Gartner資料顯示，全球半導體裝置市場近年來呈現出“高增長與強波動”並存的特徵。2020年市場規模為712億美元，2023年突破1000億美元，2024年預計達1240億美元，年複合增長率8.2%。
而中國市場的增速更為顯著，2023年規模達347億美元，佔全球34.7%，成為全球最大的單一市場。
然而，半導體裝置製造業也面臨著諸多痛點。從技術層面來看，半導體行業遵循“一代技術、一代工藝、一代裝置”的產業規律，裝置成為延續“摩爾定律”的瓶頸與關鍵。
晶片製造工藝極為複雜，難度極大，裝置不僅要實現精細加工，對均勻性、穩定性、重複性、可靠性、潔淨性等方面的要求也極高。
以等離子體刻蝕為例，要刻出極細孔，其直徑準確度、均勻性和重複性精度要求達到頭髮絲的幾萬到10萬分之一，這無疑給技術研發帶來了巨大挑戰。
在市場格局方面，半導體裝置市場高度壟斷。全球半導體裝置供應商TOP10市佔率從2014年的78.6%上升到2018年的81.0%，主要被日本和美國企業主導。
中國裝置企業在這樣的壟斷市場中競爭，進入難度極大。一旦國外裝置商斷供，國內產業將面臨巨大隱患。並且，中國半導體裝置雖然需求大，但自給率低。
例如2018年中國半導體裝置需求市場規模達128.2億美元，同比增長47.1%，可國產裝置自給率僅12%。此外，半導體裝置研發週期長且耗資巨大。
像中微公司每年投入3億研發，卻僅是美國對手的1/20，存在嚴重的不對稱競爭，僅靠企業自身投入資本金遠遠不夠。
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在競爭對手方面，屹唐半導體面臨著來自國際巨頭與國內領軍企業兩大陣營的挑戰。
在國際市場，美國應用材料（Applied Materials）是屹唐的強勁對手。該巨頭在快速熱處理裝置領域以69.66%的全球市佔率構築起壟斷性壁壘，同時在幹法去膠裝置領域也佔據榜首位置。
而泛林半導體（Lam Research）與東京電子（Tokyo Electron）組成的刻蝕裝置聯盟，以83.95%的合計市場份額形成雙寡頭格局。
這三家美日企業憑藉數十年的技術積澱和專利壁壘，主導著全球半導體裝置產業鏈。
在國內市場，競爭同樣激烈。
北方華創透過等離子刻蝕與薄膜沉積裝置的協同發展，在28nm及以上成熟製程領域與屹唐形成直接競爭；中微半導體則依託介質刻蝕裝置的技術突破，在5nm以下先進製程領域建立先發優勢；盛美上海憑藉清洗裝置與立式爐管裝置的組合拳，正在向屹唐的幹法去膠裝置市場發起衝擊。
此外，國際二線廠商如韓國細美事（SEMES）、美國科磊（KLA）在特定工藝環節的專精化佈局，以及本土新銳企業如拓荊科技在薄膜沉積領域的快速崛起，都在不斷加劇細分市場的競爭烈度。
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