4月1日，英諾賽科（蘇州）科技股份有限公司（以下簡稱“英諾賽科”或“公司”）釋出公告，宣佈與意法半導體簽署氮化鎵技術聯合開發協議。根據聯合開發協議，英諾賽科可使用意法半導體在中國以外地區的製造產能生產其氮化鎵晶圓，意法半導體也可利用英諾賽科在中國的製造產能生產其自有的氮化鎵晶圓。此次戰略合作標誌著全球GaN產業鏈進入深度整合新階段，雙方將透過技術協同、產能共享與場景創新，加速下一代GaN技術開發，為全球能源轉型與智慧化革命提供核心技術支撐。
同時，英諾賽科（02577.HK）也於近日釋出了2024年年報。年報顯示，英諾賽科2024年完成營業收入8.29億元，同比增長39.8%。利率持續大幅改善，毛損率由2023年的-61.6%縮減至2024年的-19.5%，提升42.1個百分點。全年交付晶片6.6億顆，出貨量呈幾何級數增長態勢。
報告期內，公司產品在消費電子應用領域佔比持續增長，收入同比增長48%。在新能源汽車、AI以及人形機器人領域取得重大突破：車規級晶片交付量同比增長986.7%，AI及資料中心晶片交付量同比增長669.8%。在人形機器人方面，推出150V/100V全系列氮化鎵產品，覆蓋關節及靈巧手電機驅動、智慧電源轉換及電池管等各類應用，其中100W關節電機驅動產品已經量產。
AI算力、人形機器人等多管齊下
氮化鎵技術實現全場景覆蓋
在半導體行業，產品質量和交付週期是影響企業競爭力的關鍵因素之一。作為行業“優等生”，英諾賽科實現了從設計、製造、封裝到測試的全產業鏈佈局，確保產品質量的穩定性和交付效率的提升。透過全產業鏈的自主掌控，保證產品的高質量輸出。
報告期內，英諾賽科擁有全球最大的氮化鎵功率半導體生產基地，產能達到每月13000片晶圓，良率超過95%，製造成本下降近40%。更低的生產成本和更高的產品競爭力，為企業帶來了更大的利潤空間。憑藉這一技術優勢，英諾賽科在市場競爭中牢牢佔據有利地位。
此外，英諾賽科是目前全球唯一具備全電壓譜系產品矩陣的矽基氮化鎵功率晶片企業，提供從15V到1200V的全電壓範圍氮化鎵器件，廣泛應用於消費電子、資料中心、汽車電子等多個領域。
從下游來看，2024年公司積極推進在新能源汽車、AI以及人形機器人領域的發展並取得重大突破。
在新能源汽車方面，公司已獲多個國內外主機廠客戶匯入，並深化與全球大型廠商的合作，開發車規級氮化鎵晶片，簡化功率器件拓撲設計、提升汽車整體能效、降低整車製造成本、延長續航里程，實現下一代電動汽車智慧化、輕量化發展。
在資料中心方面，公司已向全球多家廠商量產交付伺服器電源晶片，並推出了650V和100V的氮化鎵功率器件，可應用於資料中心的伺服器電源和主機板48V轉12V的高功率密度電源。大幅提升了資料中心供電鏈路的效率和功率密度，降低了AI計算的運營成本，並提高伺服器的可靠性及穩定性。
在人形機器人方面，公司推出了全系列的氮化鎵產品，主要包括150V和100V的氮化鎵功率器件。可廣泛應用於機器人的充電、電池電源管理、內部電源轉換模組以及關節的電機驅動。推動機器人設計向更高能效、更強穩定性和更優智慧化發展。公司積極佈局機器人應用，推出的相關產品已經在市場上獲得一定認可。
多元化的產品佈局，讓英諾賽科滿足不同客戶需求的同時，也為公司帶來了新的增長點與利潤來源。
全球氮化鎵功率半導體領航者
研發驅動多領域佈局再加速
隨著氮化鎵技術的不斷發展和應用市場的不斷擴大，氮化鎵功率半導體市場前景廣闊。據市場預測，氮化鎵功率半導體市場預計2028年達501億元。
得益於中國完整的供應鏈資源優勢，英諾賽科在製造自主可控、工程師團隊等方面，相較於競爭對手擁有更多便利，這也為公司在市場競爭中提供了先手。
以消費電子產品中的充電頭產品為例，公司作為晶片公司，與國內眾多知名品牌建立了密切的合作關係，在下游客戶的新產品開發、大規模出貨上，英諾賽科憑藉IDM模式的天然優勢，將採用Fabless的競爭對手遠遠甩在身後。
隨著智慧手機、平板電腦等裝置對高效能、低功耗功率半導體的需求不斷增加，氮化鎵功率半導體迎來更廣闊的市場空間。英諾賽科不斷滿足市場對高效能功率半導體的需求，市場份額進一步擴大。
除此之外，公司還與全球頂尖的半導體制造服務商、專門從事可再生能源技術的高科技公司等建立了深度合作關係，客戶身影不乏國內外知名廠商。
同時，英諾賽科重視產品研發，不斷加強研發創新。2024年，公司推出3.0高低壓工藝及車規/合封器件平臺，單位晶圓晶片（Chip/Wafer）產出量較上一代產品提升30%以上，晶片關鍵效能指標進一步提升。
為緊抓市場機遇，英諾賽科將繼續擴大8英寸晶圓產能，提升市場份額。透過不斷提升技術創新能力和市場競爭力，在半導體市場佔據更重要的地位，引領行業發展新航向。
破局IDM盈利困境
加速海外擴張
雖然IDM模式具有諸多優勢，但在初期也面臨著巨大的挑戰。由於需要在設計、製造、封裝等多個環節進行大量的資本投入，且在產能利用率較低的情況下，企業往往需要較長時間才能實現盈利。根據行業普遍規律，IDM模式企業通常需要8-10年時間才能實現盈虧平衡。
相比之下，英諾賽科在較短的時間內實現了業績的迅速增長。一方面，英諾賽科透過開展有效的經營管理，加強成本管控，減輕了費用壓力。公司不斷進行氮化鎵工藝技術迭代，突破技術瓶頸，有力降低了製造成本，提高了生產效率，提升產品的競爭力。另一方面，隨著氮化鎵應用市場的需求爆發，英諾賽科的銷售規模快速攀升。公司所處的氮化鎵應用領域，如消費電子、電動汽車等，正處於快速發展階段，對氮化鎵功率半導體的需求不斷增加。憑藉亮眼技術優勢和上乘產品質量，公司迅速佔領了市場份額，從收入端縮短了IDM模式到達盈虧平衡點的時間。
同時，英諾賽科積極開拓海外市場，深化客戶合作，抓住下游市場需求爆發機遇期。公司與全球主要矽MOS功率半導體企業密切協作，共同推進下游使用者轉向氮化鎵晶片，以滿足資料中心、汽車電子等行業功率電源轉型需求。報告期內，公司海外市場銷售收入為人民幣1.26億元，佔總收入的15.20%，同比增長118.1%，增長迅猛。
英諾賽科的表現之所以優於同行，不僅得益於公司在經營管理、應用市場以及客戶擴張等方面的優勢，更體現在IDM經營模式上的創新能力上，突破業界瓶頸，探索出一條新的成長路徑。
從技術方面上看，英諾賽科是全球首家實現8英寸矽基氮化鎵量產的企業，技術壁壘高。依託過往前瞻佈局核心技術和關鍵工藝，以及長期持續投入，已經建立全球領先的成熟工藝技術平臺。報告期內，公司基於已量產工藝平臺，繼續最佳化器件設計和生產工藝，減少工藝層數、降低原材料使用成本、提升機臺利用效率，進一步降低晶片生產成本，提高晶片價效比，擴大市場競爭力及領先優勢。
而在產品創新上，英諾賽科不斷推出具有競爭力的新產品，產品矩陣上實現多維度突破。報告期內，中低壓（15-200v）GPU終端供電等產品在汽車及AI領域獲大客戶匯入；高壓1200V大功率器件實現突破並完成客戶送樣；低壓GaN雙向導通產品銷量同比增長97%，高壓雙向導通產品開發成功，並完成客戶送樣。同時，推出氮化鎵合封產品，可應用於資料中心、電動汽車及機器人伺服電機電源等。
2025年，公司將繼續完善氮化鎵在消費電子領域的佈局，提高市場滲透率。在資料中心、汽車電子領域，推動新產品落地，完成客戶匯入和應用量產。積極深化與機器人、無人機等新應用領域客戶的技術合作。在產品方面，英諾賽科計劃持續投入研發，豐富現有產品組合，在2025年或迎來更大規模的成長。
展望未來，英諾賽科將繼續透過技術領導力與規模化製造能力，攜手多方戰略伙伴實現市場資源的共享與整合，成為全球氮化鎵功率器件解決方案的領跑者，用第三代半導體技術賦能全球綠色科技革命，助力全球能源轉型和可持續發展，推動半導體行業向更高效、更環保的方向變革，為人類創造更智慧、更低碳的未來。
（本文不構成任何投資建議，資訊披露內容以公司公告為準。投資者據此操作，風險自擔。）
文/十一