原創：譚小米
1/黃仁勳悲觀預測量子計算，大錯特錯！
1 月 7 日CES 2025。黃仁勳認為，量子計算真正應用要到數十年。其人對量子計算打擊性的悲觀預測，讓美股量子概念集體暴跌。超導量子計算Rigetti Computing 股票跌 45% ，量子計算公司 Quantum Computing 和 D-Wave Quantum 的股價則分別暴跌了 43% 和 36%。
D-Wave 公司 CEO 艾倫・巴拉茲認為，黃仁勳的觀點大錯特錯。
D-Wave 公司已經成功商業化其退火量子計算機，一些公司如萬事達卡和日本 NTT 等已經在使用 D-Wave 的量子計算機，並從中受益，這說明量子計算機的應用已經在當下成為現實,而不是需要等到數十年之後。
谷歌的量子晶片Willow 在計算時間上展現出極大優勢，能在不到 5 分鐘內完成一項標準計算任務，而當今世界上最快的超級計算機需要花費 “10 的 25 次方” 年才能完成。此外，中國科學技術大學潘建偉院士團隊釋出的 “祖沖之三號”，其量子位元數達 105 個，計算能力明顯提升，效能超越谷歌 72 位元 “懸鈴木” 處理器 6 個數量級。
當下量子晶片，的確製造工藝還不夠成熟，存在著諸多技術難題需要攻克。我認為，如果10年攻克不了量子晶片難題，所有量子專案就都放棄了，還用等到數十年嗎？數十年之後，這個時間太長、太可怕了！
在CES 2025 會上，黃仁勳釋出了世界上速度最快的晶片RTX 5090，920億個電晶體，速度是RTX 4090的兩倍。就兩倍，也沒有多大進步啊？
各位，看到黃仁勳在拿著的那個“大盾牌”嗎？那是巨型晶片系統 NVLink72 的模型。真正的產品由72塊Blackwell GPU構成，整體重量達到1.5噸，包含 144 個晶片、130 萬億個電晶體和 2592 個 CPU 核心，配備 14TB 的 576 個 HBM 記憶體晶片，AI 浮點運算效能高達 1.4 exaflops。
黃仁勳聲稱其算力超過世界上最大、最快的超級計算機。懂的人都知道，NVLink72 就是個系統整合產品，集的晶片越多，算力就越大唄！這種晶片叢集技術，華為早就有了。
講到這裡，有朋友會問，中國半導體晶片真的不怕制裁了嗎？我的回答是：感謝美國這幾年對中國的辛苦制裁，中國正在進行一場半導體技術革命，當下中國不僅完成傳統半導體全產業鏈國產化佈局，並且有可能在新型半導體領域超越美國。
2/可怕華為，半導體早就世界第一
各位，還記得幾年前，任正非說過華為已到了無人區這句話嗎？無人區不僅指華為5G，也指半導體。事實上，華為早在 1991 年就介入半導體研發了，那個時期主要聚焦於程控交換機晶片、光通訊晶片等。
黃仁勳曾多次接受媒體採訪時強調，華為在半導體晶片領域的強大競爭力。華為在晶片領域到底有多強大？一句話告訴你，你以為美國怕的是華為5G通訊技術嗎？美國怕的是華為半導體晶片。告訴各位，早在2020年華為設計的手機晶片和AI晶片，就做到了世界第一。
2020年10月22日。各位還記得華為 Mate 40 系列釋出會嗎，餘承東手持一顆小小的手機晶片麒麟9000，整個釋出會，餘承東共說了 14 次 “遙遙領先”。2019 年 華為釋出了基於自研達芬奇架構的AI晶片昇騰 910 ，支援雲邊端全棧全場景應用。也就是說，在2019年—2020年，華為設計出了世界上最強大的AI晶片和手機晶片和。當時手機晶片領先蘋果，AI晶片領先英偉達。
被美國製裁後，臺積電不敢給華為代工了，阿斯麥不敢賣給中國EUV光刻機。華為設計的晶片無法制造。如果不是美國卡住製造端，今天世界上AI算力王者不是英偉達，而是華為。
任正非多次宣稱華為的光量子晶片處於全球領先水平。他這樣評價過，摩爾定律已到達極限，西方標準已破破爛爛、縫縫補補，我們要做自己的新衣服，要有自己的標準。
任正非為什麼形容西方標準已破破爛爛、縫縫補補？指西方還在追求幾十年前的“摩爾定律”，力求在更小的晶片上排列更多上千億電晶體，來提高效能。這些在任正非看來，西方傳統半導體技術已黔驢技窮了。
2024 年 10 月 23 日，華為取得 “一種超導晶片” 專利，標誌著華為在光晶片和光量子晶片方面取得重大突破。
什麼是光量子晶片？光量子晶片指把光技術和量子技術結合在一起的一種雙重技術晶片。什麼是華為做新衣服？指華為利用新材料和新技術做的新型半導體晶片。
華為的5G基站使用了大量的光晶片，光通訊技術華為領先全球。同時華為也是量子通訊的重要推動者。6G時代，華為集光技術和量子技術於一體， 華為有可能大量使用光量子晶片，保持通訊技術世界第一。
華為的諾亞方舟實驗室，專注於光電子晶片、光量子晶片的研發。在2020年釋出業界首款 400G 和 800G 高速光模組，突破性效能世界領先。華為在武漢建立的晶片廠主要生產光通訊晶片和模組。
在光量子晶片領域，華為進行了深度研發、廣泛的佈局和千億高額投入。華為收購英國整合光子研究中心CIP Technologies和比利時矽光技術開發商Caliopa。據公開資訊，華為哈勃投資自成立至今已投了94個專案，多為半導體領域企業。
3/瘋狂的中國半導體革命，標誌性成果
儘管今天美國仍是第一、二代半導體領導者和控制者。各位相信嗎？第三、第四代半導體，中國成果顯著。不久的將來，中國有望成為第三代、第四代半導體的領導者；成為光晶片、超導量子晶片、光量子晶片的標準制定者。
第一代半導體的原材料是矽。第二半導體的原材料是砷化鎵化合物，兩代半導體基本上是美國和歐洲的成果。起源公司有美國的英特爾和德州儀器。緊隨美國發展起來的歐洲半導體有飛利浦、英飛凌、意法半導體等。
另外，其他國家和地區在第二代半導體領域也取得了顯著的進展。例如，日本在砷化鎵等化合物半導體材料的研發和生產方面也具有很高的水平，韓國的半導體企業在第二代半導體器件的製造和應用方面也崛起了。可以這麼說，美、歐、日、韓是第一、第二代半導體的天下。
第三代半導體以碳化矽（SiC）和氮化鎵（GaN）為代表。我國在碳基晶片領域取得了標誌性成果。2024年4月18日，我國宣佈研製出世界首顆氮化鎵量子光源晶片，這是晶片行業的一次革命性突破。
早在2020年，中科院上海微系統所就成功研發出8英寸石墨烯單晶圓，因石墨純度不夠，只能小批次生產。今年9月，我國五礦集團宣佈攻克了石墨高溫純化關鍵技術，成功開發出純度達到 99.99995% 以上的超高純石墨產品。標誌著我國碳基晶片，即將實現大規模量產了。
第四代半導體以氧化鎵材料為代表。我國在第四代半導體方面取得了諸多尖端成果。主要成果有大尺寸單晶生長。中國電科46 所成功製備出我國首顆 6 英寸氧化鎵單晶，達到國際最高水平。
浙大杭州科創中心首次採用新技術路線成功製備2 英寸的氧化鎵晶圓 。九峰山實驗室突破超寬禁帶半導體產業發展核心問題，實現氧化鎵材料器件首次在 6 和 8 寸中試線下線，實現氧化鎵和矽 / 碳化矽的異質整合，為氧化鎵器件量產提供工藝解決方案。
我國DSP晶片非常強大，就是號稱大腦的數字訊號處理器。我國電科集團的“魂芯二號 A ”與美國 ADI 公司主流同類產品 TS201 相比，效能達到其 6-8 倍。在雷達、衛星、戰鬥機、潛艇、電子對抗機產品上應用非常出色。
美國把中國雷達、北斗衛星技術歸類為最高級別“高風險”技術，我國在雷達晶片、北斗晶片、DSP晶片上使用了新型半導體新材料，效能超強。比如，我國電科集團在一種雷達晶片中添加了氮化鎵和鋁後，該晶片的雷達訊號效能是普通雷達的100 倍。
北斗晶片在太空工作，在太陽照射下的衛星表面溫度可高達100℃以上；背陰面的溫度可低至 -100℃以下。太空高輻射、極高溫、極低溫的工作環境，極易造成衛星、航天器元器件的損壞。
我國開發的碳化矽、碳奈米管、氮化鎵（GaN）等新型半導體材料，突破了抗輻射、耐極高溫、極低溫等的世界性技術難題。其中一種由中南大學範景蓮教授團隊研發的新型耐高溫材料，可承受 3000℃的高溫。中國科學技術大學俞書宏院士研究團隊研製石墨碳奈米纖維氣凝膠材料，可在零下 100 攝氏度到零上 500 攝氏度極端環境下正常工作。
總之，中國在美國360度無死角極端打壓下，國產晶片產業鏈全棧式國產化了。美國無需費心制裁了，再列實體名單，真就是個笑話了。
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