公眾號記得加星標⭐️，第一時間看推送不會錯過。
在人工智慧與大資料技術驅動儲存需求指數級增長的產業變革期，新存科技於近日重磅推出新一代記憶體級儲存晶片NM111。這款採用全自主智慧財產權三維整合技術的突破性產品，憑藉64Gb超大容量、低延遲及高耐久性等核心指標，達到國際領先水平，為我國構建自主可控的儲存產業生態注入強勁動能。
作為國內首款具備記憶體級效能的新型儲存晶片，NM111透過先進的三維垂直堆疊架構與奈米級互聯技術，實現64Gb超大容量，儲存密度較傳統DRAM提升數倍。該晶片支援記憶體語義訪問，支援隨機讀寫操作，讀取延時低至百納秒，頻寬高達3.2Gbps，可廣泛應用於伺服器記憶體擴充套件、資料庫快取等場景。其突破性的非易失特性更可實現斷電資料保護，在元資料儲存等關鍵領域將系統性能提升至全新維度。
新存科技於2024年9月和2025年初分別釋出首款64Gb國內最大容量三維新型儲存級晶片NM101，和128Gb的升級產品NM102。此次釋出的NM111屬於全新持久記憶體晶片系列，在效能和可靠性方面實現全面提升。基於公司在設計、材料、工藝、器件、測試等多方面的持續創新，NM111耐久度較前作提升超10倍，抗干擾能力大幅增強，可滿足客戶各種記憶體應用場景的需求。
NM111採用創新的架構設計，憑藉大容量、低延遲、高壽命等優勢，為AI大模型推理提供多維度的最佳化方向，大幅提升計算與儲存的融合效率，更好地服務於大算力資料中心和雲服務基礎設施。搭配合作夥伴的系統解決方案，NM111可使資料儲存在相同投入下存得更多、存得更快、存得更久。終端客戶的測試結果顯示，配合先進的系統介面協議，該晶片賦能高效能模組，可支援超大容量記憶體空間，為系統解決方案提供無限可能。
新存科技在大容量新型儲存晶片領域堅持自主研發、持續更新迭代，未來還將推出更多系列的晶片產品。公司將與上下游合作伙伴深度合作，在新型儲存晶片藍海中共同發掘更多應用場景，擴大應用範圍，攜手推進新型儲存器生態的蓬勃發展。
*免責宣告：本文由作者原創。文章內容系作者個人觀點，半導體行業觀察轉載僅為了傳達一種不同的觀點，不代表半導體行業觀察對該觀點贊同或支援，如果有任何異議，歡迎聯絡半導體行業觀察。
END
今天是《半導體行業觀察》為您分享的第4082期內容，歡迎關注。
推薦閱讀
加星標⭐️第一時間看推送，小號防走丟
求點贊
求分享
求推薦