臺積電先進封裝奠基人:餘振華退休

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來源:內容來自Digitimes
臺積電研究發展副總經理暨卓越科技院士餘振華,於2025年7月8日正式退休。
而臺積「研發六騎士」的美談並未熄滅,這位真正尚在近期,仍於臺積電任職的「最終騎士」餘振華,也被半導體業界高度評價,十足地推動臺積電站上晶圓代工產業頂峰。
業界人稱道格(英文名)的餘振華,自1994年加入臺積電,從銅製程的重大突破,到領軍開發CoWoS、InFO等劃時代先進封裝技術,為臺灣半導體技術創下無數里程碑,對臺積電登上全球晶圓代工龍頭地位貢獻深遠。
業界認為,餘振華對臺積電先進封裝與異質系統整合製程居功厥偉,尤其是目前AI最夯的CoWoS封裝技術更由他一手推動,餘振華退休後,他的工作交由另一位副總徐國晉負責。
半導體業界近期傳出餘振華將從臺積電退休。
臺積證實,餘振華退休,臺積電感謝餘振華多年來對公司的貢獻,並預祝他退休生活愉快。
餘振華成就臺積電先進封裝
1955年出生於基隆的餘振華,1977年自清大物理系畢業,1979年取得材料工程碩士學位,並於1987年獲美國喬治亞理工學院材料工程博士學位,畢業後進入當時全球最先進的美國AT&T貝爾實驗室,參與單晶片電漿輔助薄膜蒸鍍與低功率元件等製程技術的研發,開啟其半導體研究生涯。
餘振華1994年返臺,加入臺積研發部門,負責關鍵製程模組開發。並在1997年著手推動銅導線製程,領軍建立全臺首座銅製程實驗室,自主研發出0.18微米先進銅製程,成功實現150奈米到130納米制程世代轉換,更確立了銅導線取代鋁的業界趨勢。
餘振華多年來聚焦IC後段製程技術與材料創新,累積取得超過190項美國與173項臺灣專利,涵蓋低介電材料、封裝整合技術與先進製程等多個關鍵領域。
除了技術貢獻,餘振華也是推動臺灣產業鏈整合的關鍵人物,其力拱的3D晶片整合與矽穿孔(TSV)技術,帶動上下游廠商投入3D晶片裝置研發,進一步強化臺灣先進封裝產業聚落。
餘振華歷任臺積電先進晶圓製程資深處長、先進封裝技術處副總經理,也是臺積電唯一的「卓越科技院士」,長期致力於半導體封裝與異質整合系統的研發,橫跨從晶圓製程、材料科學到封裝設計等多領域,其於產學界享有崇高聲望。
他曾任IEEE IITC聯合主席,併為國際構裝暨電路板研討會(IMPACT)指導委員,也是美國國家工程學院(NAE)院士,曾獲頒張忠謀博士創新獎。
徐國晉是誰?
徐國晉先生於1986年畢業於國立臺灣大學物理系,並於1994年取得國立交通大學科技管理碩士學位。
工作方面,曾擔任臺積電美國的8吋廠WaferTech總經理,2015年辭職後加入美光;他在半導體業界累計超過30多年經歷,美光肯定他歷任多項製造工程與管理等高階職務,以技術轉移與最佳化、改善良率、提升新廠區產能見長,前年10月升任臺灣美光董事長,更凸顯他在美光與臺灣長期合作關係中,扮演著至關重要的角色。不過,他還是揮別美光,回任臺積電掌管先進封測研發。
根據臺積電官網介紹,徐國晉先生為臺積公司Integrated Interconnect & Packaging副總經理,負責開發臺積公司之三維積體電路(3D IC)及先進封裝等系統整合技術。
在加入臺積公司之前,徐國晉先生擔任臺灣美光董事長,負責美光在臺灣的整體生產營運。徐國晉先生亦曾擔任臺積公司首座美國晶圓廠TSMC Washington的總經理,成功提升效能達到公司的平均水準。他在半導體業擁有超過30年的豐富經驗,在技術移轉與最佳化、良率改善、以及提升新廠產能等方面都具備優良的紀錄。
在去年九月的一場演講中,徐國晉表示,其實整個半導體產業在歷經長時間的發展之後,現在是由不同的原件的設計,要逐步聚焦到互補金氧半導體(CMOS) 元件的技術的開發跟這個應用上,而節能就是CMOS 很重要的一個優勢。
而當CMOS 成為整個商業應用的主流之後,整個產業的發展,不管在產品設計或製程的研發上就有了很大的突飛猛進提升,也讓產業分工,上下游的銜接也更加的明確。相對在矽光子元件上,目前還是在一個比較初期的百花齊放階段,未來將隨著AI 時代的大量演算應用,資料大量傳輸,使得耗能就變成一個很重要的議題。這時,矽光的匯入就變成了對資料中心跟AI 產業一個很重要的趨勢。
徐國晉指出,過去臺灣已經有很好的半導體產業的基礎,自然臺灣也一定有相對的優勢進入與擴充套件矽光子這一個領域。現階段,希望透過這個矽光子產業聯盟的成立,大家可以一起來推動相關技術的規格的決議、整合上相關的合作,加速臺灣矽光子服務的發展。未來隨著研發製造能量的放大,臺灣有機會成為AI 科技產業一個重要的基地。
成就臺積電背後的六個男人
在臺積電三十多年的發展史上,逆風翻盤的技術戰役不算少數,其中最為關鍵的一戰當屬2003年那場以自主技術擊敗 IBM,一舉揚名全球的 0.130 微米“銅製程”一役,直接將臺積電推向世界的顛峰。
《透視臺積電: 打造全球第一晶圓帝國》一書顯示,1999年臺積電營收只比聯電多15%,2005年,臺積電營收已經是聯電的2.91倍,究其獲利能力比聯電技高一籌的原因之一就是,臺積電在研發方面,0.11~0.13微米高階製程比重高,平均售價高,遭受價格競爭壓力較成熟製程—(0.18~0.25微米)小。據瞭解,0.13微米於2000年開始生產,在各家公司業績都受到“網路泡沫”影響而直線下降的時,臺積電靠0.13微米支撐住業績,大幅提升市佔率。
而幫臺積電打贏這場戰役,並因此被人稱為“臺積電研發六騎士”的林本堅、楊光磊、蔣尚義、孫元成、梁孟松、餘振華一行人,每個人都在臺積電發展歷程留下了濃墨重彩、且不可或缺的關鍵幾筆。
2003年臺積電舊照 圖源:今週刊
從左往右:林本堅、楊光磊、蔣尚義、孫元成、梁孟松、餘振華
總體來看,六騎士技能各有千秋,其中林本堅是光學領域的國際大師;梁孟松是半導體制程技術專才;孫元成和楊光磊則是整體邏輯製程的整合專家,並負責良率的提升;餘振華是銅製程及低介電材料的先驅;蔣尚義為總領導者。或許正是六騎士在不同領域各司其職,才讓臺積電從製程微縮到先進封裝都獨佔鰲頭。
在摩爾定律提出的近60年裡,有過多次的瓶頸時期,鋁製程是一個,光刻機的193nm波長也是一個,而這一次由臺積電林本堅提出“浸潤式微影技術”(以水為介,將193nm波長的光直接縮短至134nm),不僅讓臺積電一口氣跳躍成長三個技術世代,成為世界的領先者,更讓全球半導體制程得以往下推進約14 年時光,對全球半導體產業的先進製程貢獻極大。
圖源:網路
林本堅於2000年加入臺積電,在加入臺積電之前,林本堅於IBM 華生實驗室工作22 年,創造出包括1 微米、0.75 微米、0.5 微米在內多項光刻技術,1975年他做出當時光刻技術最短波長的光線,並將其命名為“深紫外線”(DeepUV),至今仍被廣泛應用,是光刻顯影技術的主流。
在加入臺積電後,林本堅於2002年開始推動浸潤式微影技術,這對於當時專注於研發乾式微影技術,併為此已經投入數十億美元進行研發的眾多半導體裝置廠商來說,無疑是一記重磅炸彈。在林本堅的堅持下,2004年臺積電與ASML成功完成開發全球第一臺浸潤式微影機臺。
這一場漂亮的翻身仗,不僅讓臺積電首次主導了業界規格,也讓ASML一躍成為如今的光刻機龍頭。或許也正是因為這樣的“過命交情”,目前臺積電擁有全球數量最多、最先進的EUV光刻機,這也為其定增擴產如虎添翼。此後,林本堅還不斷突破半導體微影技術限制,讓微影技術從28nm的極限成功駛向20nm,並引領著浸潤式進入10nm,甚至7nm、5nm製程世代!
如果說林本堅是光學高手,那麼梁孟松就是在半導體先進製程模組開發的一流高手,師承Fin FET和UTB-SOI技術發明人胡正明。梁孟松於1992年7月加入臺積電,2009年2月自研發處長職位離職後,在臺積電任職的17年間,負責或參與臺積電每一世代製程的最先進技術,在2003年那場0.13微米戰役中,負責先進模組的梁孟松名列第二,功勞僅次於當時的資深研發副總蔣尚義。
圖源:網路
或許人們開始更多地瞭解梁孟松是從2011年臺積電的洩密訴訟開始,作為臺積電近五百個專利的發明人,同時也是“新制程裝置遴選委員會”的一員,梁孟松對臺積電的重要性不言而喻,曾有人表示,梁孟松對於臺積電先進製程掌握的廣度與深度,以及從研發到製造整合的熟悉度,在公司少人能及。《天下雜誌》對梁孟松的評價則是,“以一人的去留,能左右兩地半導體業的消長。”足以說明梁孟松對臺積電的重要性。
蔣尚義作為0.13微米戰役中的總領導者,於1997 年加入臺積電,2013 年退休,期間參與了 CMOS、NMOS、Bipolar、DMOS、SOS、SOI、GaAs 雷射、LED、電子束光刻、矽基太陽能電池等專案;在臺積電負責佈局 0.25um、 0.18um、0.15um、0.13um、90nm、65nm、40nm、28nm、20nm 甚至到 6nm FinFET 等關鍵節點之研發。
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在臺積電間,蔣尚義將研發團隊從 400 人擴編到 7600 人規模,培養成世界級的研發團隊,研發經費也從數十億元擴大到百億元,堪稱是臺積電很重要的靈魂人物。張忠謀曾稱讚蔣尚義,認可他是將臺積電水平“從二軍拉到一軍”的重要推手。2009年,重返臺積電後,蔣尚義專注於電晶體和先進封裝專案。2011 年臺積電第三季法說會上,張忠謀正式宣佈臺積電進軍封裝領域,現如今先進封裝已經成為臺積電的一大工作重點,並將其 2.5D 和 3D 封裝產品合併為一個品牌,那就是“3D Fabric”,其竹南打造全球首座全自動化 3D Fabric先進封裝廠也將預計今年下半年開始生產。
而對於臺積電先進封裝所取得的成就,餘振華就是其中的重大功臣,目前擔任臺積電Pathfinding for System Integration副總經理,也是六騎士中唯一一個還在臺積電任職的。
圖源:網路
餘振華於1994年加入臺積電研發部門之製程模組開發單位,負責開發關鍵技術,從1997年起開始臺積電銅製程研發工作,建立臺灣第一座銅製程實驗室。在0.13微米戰役中,餘振華負責的業務轉為銅導線與低介電物質,歸類於“後段”製程,曾一度被人忽視,直到摩爾定律開始逐漸放緩,人們才開始意識到封裝對於降低成本的重要性。
2009年,在臺積電開始開發“先進封裝技術”後,張忠謀撥了 400 個研發工程師給餘振華,而餘振華也在兩、三年後順利開發出 CoWoS 技術,並對其進行進一步的結構簡化。憑藉著餘振華研發的CoWoS,InFO-PoP及TSV技術,臺積電成為iPhone 7的獨家晶片供貨商。到了2016年,越來越多的高效能晶片開始匯入CoWoS技術,CoWoS迎來了勝利的曙光。不得不說,餘振華的新技術將積體電路與封裝結合起來,在全球開啟3D-IC的時代,也使臺積電能進入系統整合的新境界。
而楊光磊和孫元成兩人作為整體邏輯製程的整合專家,楊光磊從1998年4月至2018年6月在臺積電位於臺灣及美國的公司先後擔任包括研發處長在內的多個不同職位,並於2018年6月退休。
圖源:網路
孫元成則於1997年加入臺積電,任先進模組技術發展處處長,之後轉任邏輯技術發展處處長,2000年被升任協理、資深處長,2006年擢升為研究發展副總經理,在2019年從臺積電技術長及副總經理退休,目前擔任陽明交大創新研究院總院長。
圖源:經濟日報
在臺積電任職期間,孫元成先後主導先進製程技術藍圖,改造研發流程和基礎架構,並自主開發新技術,同時與工廠和相關團隊全力合作,將一代又一代的新技術移轉至工廠量產,協助了臺積電從以往的技術追隨者,到現在的先進半導體技術的領頭者。
此外,孫元成團隊還制定節能CMOS SOC系統晶片技術,包含高速、共享邏輯、和低耗漏電電晶體IC平臺以滿足在不同市場和產品上的需求,其倡導之低耗電CMOS平臺亦被國際技術藍圖委員會採用來制定技術規格需求之藍圖,開啟手機與行動運算應用商機。
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