閃迪正在研發顛覆性記憶體？

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來源：內容編譯自eenewseurope，謝謝。

有跡象表明，Sandisk Corp. 正在尋求在一位管理英特爾基於 3D XPoint 的 Optane 記憶體業務的高管的指導下建立一種非易失性相變記憶體。

2025 年 2 月，Sandisk 從資料儲存公司西部資料分拆出來，當時該公司表示，它打算提供快閃記憶體產品，同時致力於開發新興的顛覆性記憶體技術。

在2月11日分拆前不久舉行的Sandisk投資者日上，即將上任的記憶體技術高階副總裁Alper Ilkbahar描述了他稱之為3D矩陣記憶體的技術，認為這是公司未來的發展方向。在2022年2月加入西部資料/Sandisk之前，Ilkbahar自2016年9月起在英特爾工作；最初擔任資料中心記憶體總經理，並從2020年10月起擔任傲騰記憶體業務經理。

Ilkbahar 在演講中表示，Sandisk 自 2017 年以來一直致力於 3D 矩陣儲存器技術的研究，並透過與比利時魯汶 IMEC 的合作進入了“產品化階段”，該專案於 2024 年啟動，名為“Project Neo”。雙方將繼續合作，以彌合“實驗室到晶圓廠的差距”，Ilkbahar 表示，這在使用“新材料組合”時尤為必要。

伊爾克巴哈爾在演講中並未透露3D矩陣儲存器的材料配置或執行原理。他甚至沒有說明這是一種非易失性儲存器，但考慮到他本人在英特爾的經歷，以及他披露該技術正被美國政府用作非易失性戰略抗輻射儲存器開發合同的基礎，相變技術顯然是一項頗具競爭力的技術。

此外，Ilkbahar 在會議上引用的兩張圖表顯示，3D Matrix Memory 與英特爾的 3D XPoint 記憶體有著驚人的相似之處，後者是非易失性的，普遍被認為是基於硫族化物相變技術。

層XYX交叉點儲存器堆疊是其一個相似之處。另一個相似之處是儲存器單元中高度受限或截斷的圓頂狀陰影，這可能是熱驅動相變器件的一個特徵，儘管影像解析度較低，因此無法得出結論。磁阻隨機存取儲存器 (MRAM) 也用於抗輻射儲存器，但橫截面圖看起來並不像 MRAM 器件。綜合考慮這些因素，可以推斷 3D 矩陣儲存器是 PCM 和 3D XPoint 發展路線的延續。

傲騰

3D XPoint 技術由英特爾和美光公司於 2006 年開始聯合開發，並於 2015 年正式釋出。它是英特爾傲騰記憶體業務的基礎，該業務在經歷多年的財務虧損和市場採用有限後，於 2022 年 7 月正式停止。

根據英特爾2021年第四季度的財務報告，傲騰業務在2020年的銷售額為3.92億美元，但虧損5.76億美元。從2017年到2022年的產品生命週期來看（不包括多年的研發成本），傲騰業務可能給英特爾造成了超過10億美元的損失。2020年10月，英特爾宣佈以90億美元的價格將其非易失性儲存器和固態硬碟(SSD)業務出售給SK海力士，但傲騰業務被明確排除在外。

伊爾克巴哈爾在 Sandisk 的演示中表示：“作為 3D XPoint 記憶體的發明者，我們非常自豪地向大家展示一種全新、創新、可擴充套件的 3D 架構，旨在提供類似 DRAM 的效能，容量提高 4 倍，而位成本降低一半。”

Ilkbahar 沒有詳細說明他提到的 3D XPoint。他繼續說道：“這項技術的核心是我們擁有一個新穎的儲存單元，它使我們能夠擴充套件到密集陣列架構。在產品層面，我們打算將記憶體連線到行業標準的連線點，例如 CXL 匯流排。”

Ilkbahar 向觀眾展示了與 IMEC 合作的開發平臺，這是一個 4Gbit 和 8Gbit 記憶體平臺，並計劃向商業客戶提供 32Gbit 和 64Gbit 記憶體樣品。不過，他並未透露這些開發的具體時間表。

ANGSTRM專案

3D矩陣儲存器是一種相變儲存器，這一點得到了以下事實的支援：2023年，西部資料/Sandisk公司贏得了美國空軍研究實驗室3500萬美元的資助，用於在ANGSTRM專案下開發先進的下一代戰略抗輻射儲存器。ANGSTRM專案為期54個月，預計於2028年11月完成。西部資料/Sandisk公司是十家申請公司中唯一的贏家。

ANGSTRM 專案負責開發一種戰略性抗輻射非易失性儲存器，要求單片儲存器容量為 4Gbit 至 16Gbit，讀/寫次數為 10^9 至 10^12，資料儲存時間為 10 至 15 年。

PCM 被普遍認為是新興非易失性儲存器技術中抗輻射效能最佳的技術之一，因為它的工作原理基於材料相變，而非更容易受到影響的電荷儲存。MRAM 也適用於抗輻射應用，尤其是在太空環境中，因為它本身就具有抗電離輻射和其他太空相關危害的能力。

問題

英特爾放棄了銷售傲騰，原因是虧損，這可能與製造成本和良率低下有關，也可能與3D-NAND和堆疊DRAM等競爭技術在高頻寬記憶體（HBM）方面的改進有關。儘管2020年8月曾預覽過四層的第二代元件，但3D XPoint仍難以超越雙層配置。

如果 3D 矩陣儲存器的非易失性儲存器單元基於相變材料，則需要回答許多問題：