西湖大學團隊開發新型碳化矽超透鏡,有望解決高功率雷射領域熱管理難題

西湖大學仇旻教授課題組成功開發出一種新型的同質碳化矽(4H-SiC)超透鏡,為解決高功率雷射加工中的熱漂移問題提供了全新的解決方案。
與傳統商用物鏡相比,該超透鏡不僅能夠實現衍射極限的聚焦,還能在長時間高功率雷射輻照下保持效能穩定,幾乎不受熱吸收的影響。
4H-SiC 材料因其優異的特性備受關注:在光學方面,具有高透過率和高折射率;在熱管理方面,具有高熱導率;在機械效能方面,具備高硬度和抗劃傷能力。這些特性使其成為高效能光學器件和高功率器件的理想材料。
新型超透鏡利用 4H-SiC 材料的高熱導率和低損耗特性,有效抑制了熱漂移效應,擺脫了對複雜冷卻系統的依賴。
這一技術突破不僅為高功率雷射系統提供了關鍵支援,還為精密儀器製造、極地探險、航空航天等多個領域帶來了新的可能性。尤其是在對加工精度和表面質量要求極高的領域,4H-SiC 超透鏡可以發揮重要作用,為高功率雷射應用提供更加高效、緊湊的解決方案。
日前,相關論文以《4H-SiC 超透鏡:抑制高功率雷射輻照的熱漂移效應》(4H-SiC Metalens: Mitigating Thermal Drift Effect in High-Power Laser Irradiation)為題發表在 Advanced Materials 上 [1]。
浙江大學-西湖大學聯合培養博士研究生陳博取和孫瀟雨是共同第一作者,西湖大學仇旻教授、季華實驗室潘美妍副研究員、慕德微納(杭州)科技有限公司杜凱凱博士、西湖大學光電研究院趙鼎研究員擔任共同通訊作者。
圖丨相關論文(來源:Advanced Materials
解決高功率雷射熱漂移問題的新思路
在一次偶然的機會中,研究人員注意到企業生產中普遍存在一個棘手的問題:在產線連續執行的高功率雷射精密切割過程中,物鏡由於持續的熱積累會導致內部光學元件發生形變,最終影響加工形貌和一致性。
這是因為當高強度雷射照射在光學器件上時,材料會吸收部分光能並轉化為熱量。對於像氧化矽(石英)和氟化鈣(螢石)這類熱導率較低的材料,熱量難以及時有效地傳導,進而導致器件區域性過熱。
為了解決這一問題,課題組將透明的 4H-SiC 材料製備成一種特殊的超透鏡。該器件厚度比一元硬幣還薄,表面佈滿了數以億計直徑約 200-400 奈米、深度約 1 微米的奈米柱。
“得益於碳化矽材料的高折射率,我們透過調控奈米柱的尺寸,可以操控光的波前相位,從而實現與商用透鏡相當的聚焦功能。結合材料本身優異的熱導率,在更輕薄的器件中實現了更出色的散熱效能。”陳博取介紹道。
圖丨 4H-SiC 超透鏡(左)與 SEM 表徵圖(右)(來源:陳博取)
實驗驗證優異的熱穩定效能
在實驗中,研究人員模擬真實的工業場景,用高功率雷射同時照射日本 Mitutoyo(三豐)公司的顯微鏡物鏡(業界領先的商用物鏡)和團隊研發的 4H-SiC 超透鏡。
結果顯示,在 15 瓦、1030 奈米脈衝雷射連續照射 1 小時的條件下,4H-SiC 超透鏡的溫度僅上升了 3.2℃,焦點偏移量僅為傳統物鏡的十分之一。
傳統的散熱方法通常是在物鏡外部加裝水冷環,透過迴圈流動的冷卻水將器件吸收的熱量帶走。這種方案不僅複雜且成本高昂,還會顯著增加能耗和碳排放,並需要額外的系統來維持水冷裝置的執行。
與之相比,該團隊提出的解決方案無需任何散熱元件,只需將超透鏡安裝在鏡架上,利用高效的固體傳熱迅速匯出熱量。這樣不僅可以持續穩定地工作,還大大簡化了使用和維護要求。
圖丨 4H-SiC 超透鏡(左)與傳統物鏡(右)的熱漂移效應示意圖(來源:Advanced Materials
克服加工難題,邁向批次生產
碳化矽作為一種高硬度材料,莫氏硬度僅次於金剛石,加工難度極大。雖然它已在新能源汽車的高功率晶片中得到應用,但二維的電晶體與三維結構的微納光學器件具有顯著區別。
“我們需要在半個硬幣大小的區域內加工出幾億個百奈米級的小柱子。這些奈米柱不僅要又細又深,形貌一致,而且排布精度要求極高,增加了加工的難度。”陳博取說道。
圖丨仇旻課題組合影(來源:陳博取)
值得一提的是,該團隊採用了相容批次生產的微納加工工藝。仇旻課題組在微納光電子學領域 20 多年的技術積累,為此次研究奠定了堅實的基礎。
在探索加工工藝的過程中,研究人員充分考慮了科研成果的落地應用和市場需求,因此器件的幅面必須足夠大,才能實現傳統物鏡的完全替代。基於此前的技術積累,他們對這種加工工藝進行了改進,併發布了用於增強現實眼鏡的產品(DeepTech 此前報道:“戴著不重、點亮不燙”:西湖大學團隊釋出超輕薄 AR 眼鏡)。
目前,研究人員已製作出多種面向不同需求的碳化矽超透鏡,並制定了詳細方案致力於向低成本和高產量方向發展。據介紹,這種獨特的加工工藝已經應用於幾家合作企業。此外,該團隊還與多所院校合作,共同推動該技術的持續發展。
參考資料:
1.Chen,B. et al. 4H-SiC Metalens: Mitigating Thermal Drift Effect in High-Power Laser Irradiation. Advanced Materials 2024, 2412414.
https://doi.org/10.1002/adma.202412414
運營/排版:何晨龍


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