臺積電先進工藝，限制赴美？

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來源：內容來自聯合報，謝謝。

據臺媒報道，臺灣當局立已三讀透過“產業創新條例修正案”，為避免關鍵技術外流，新規定投資於特定國家或地區、特定產業或技術或達“一定金額”以上須事前申請，經濟部將配合修正子法，據瞭解，一定金額擬由目前十五億元提高至卅億元，朝寬鬆方向鬆綁；全案仍待協商。

此外，針對臺積電宣佈擴大赴美投資一千億美元，外界擔憂是否技術外流，行政院長卓榮泰表示將適用“N-1”。依目前規定，一般對外投資，半導體並無明文要“N-1”，但三讀透過產創條例第廿二條，已明訂若“影響安全”、或“對經濟發展不利影響”，可不予核准對外投資。官員表示，可藉由此條文做為臺積電赴美審查依據，落實“N-1”。也就是說，將藉由第廿二條要求臺積電赴美投資落實“N-1”。

官員表示，根據新法，未來海外投資達“一定金額”以上、或是投資特定國家及地區、特定產業或技術，上述任何一項都要先申請，經過審查後才能放行。產創條例廿二條子法“公司海外投資處理辦法”，目前僅規定公司從事海外投資之金額逾臺幣十五億元者，應於事前申請。未來，子法將修正一定金額以上，並增訂特定國家及地區、特定產業及技術等。

據瞭解，經濟部初步構想是提高至臺幣卅億元。據分析，當初明定十五億元審查門檻，是依據央行規定法人每年結匯上限五千萬美元而訂定，而今央行已經提高至一億美元，經濟部擬參考央行結匯規定，修正“一定金額”以上為臺幣卅億元，這對產業界來說將更寬鬆。

至於特定國家及地區，經濟部規劃是指遭聯合國制裁的國家或地區，例如參照戰略性高科技貨品輸出管制地區，主要是國際間管制戰略性高科技貨品出口國家，包括伊朗、伊拉克、北韓、蘇丹、敘利亞、雙俄等。

針對特定產業和技術條件，經濟部初步想法，擬以國科會公佈的國家核心關鍵技術為參考標準，截至目前，國科會公告過兩波共卅二項國家核心關鍵技術，包括十四奈米以下製程的IC製造技術及其關鍵氣體、化學品及裝置、以及“毫米波氮化鎵（GaN）功率放大器單晶微波積體電路之晶片設計技術”、“高頻功率放大器之氮化鎵半導體制造技術”等。

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