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在半導體先進封裝技術加速迭代的背景下，國產 D2W 混合鍵合裝置首次被 Yole Group《High-End Performance Packaging 2025》報告收錄。
圖源：Yole《Lithography and Bonding Equipment 2022 – Focus More Than Moore》
Yole 報告收錄，億級市場空間
混合鍵合技術是從焊料凸塊轉向銅 – 銅直接鍵合的先進互連工藝，透過無凸點鍵合實現奈米級精度互聯，解決傳統微凸點技術在高密度封裝中的瓶頸問題。
根據Yole公開資料顯示，2020 全球混合鍵合裝置市場規模達3.2億美元，預計2027年CoW(D2W)/WoW(W2W)市場規模將分別攀升至2.3億/5.1億美元，CAGR高達69%/16%，凸顯該領域強勁增長潛力。
打破壟斷，國產D2W裝置首次入選
圖源：Yole《High-End Performance Packaging 2025》
混合鍵合裝置供應商
在混合鍵合裝置領域，長期由EVG、Besi等國際巨頭主導市場格局。Yole Group最新報告首次收錄 2023 年釋出 D2W（晶片到晶圓）混合鍵合裝置的艾科瑞思(ACCURACY)，使其成為該報告中首個被收錄的中國 D2W 裝置供應商；2024 年釋出 W2W（晶圓到晶圓）混合鍵合裝置的拓荊科技(Piotech)亦被同步收錄。這一進展反應中國半導體裝置產業在高階封裝領域實現技術突破，具備與國際廠商同臺競技的實力。
國際巨頭加速佈局 中國裝置迎頭趕上
隨著 AI 算力需求爆發對高密度封裝的需求增加，混合鍵合在 HBM、3D IC 等高階封裝場景的滲透率持續提升。以HBM市場應用為例，據國泰證券引用Yole 資料，2028 年混合鍵合在HBM 市場滲透率將從 2025 年的 1% 躍升至 36%。
圖源：Yole,國泰證券
國際巨頭混合鍵合領域佈局：
三星：2025 年 2 月與長江儲存簽署混合鍵合專利許可協議，計劃在 2025 年下半年量產下一代 V10 NAND 快閃記憶體，採用長江儲存的 W2W 混合鍵合技術實現 420-430 層堆疊，規避專利風險並提升可靠性。
美光：2025 年 4 月成立專門的 HBM 業務部門，加速推進 HBM4 量產計劃，預計 2026 年推出採用混合鍵合技術的 HBM4 產品，並在 2027-2028 年量產 HBM4E，頻寬較 HBM3E 提高 60% 以上。
SK 海力士：計劃 2026 年將混合鍵合技術引入 HBM4 生產流程，針對 20 層以上的 HBM5，已明確採用混合鍵合技術，並聯合裝置廠商開發適配 400 層以上 NAND 產品的鍵合方案。
臺積電與英特爾：臺積電 N2 節點支援 12 層 HBM4 整合，N2P 節點互連密度達 1000 萬 /mm²，將配套混合鍵合封裝；英特爾在 CoW 領域實現 3μm 間距突破，計劃在 A20 工藝應用；
裝置廠商：應用材料於 2025 年 4 月收購混合鍵合D2W領頭羊 Besi 9% 股份，旨在強化在混合鍵合裝置領域的合作。
在此背景下，中國封裝裝置企業的技術突破為全球半導體封裝產業鏈提供了多元化的裝置選項，推動行業在高密度互連領域的技術競爭向更開放的格局演進。
資訊來源：企業公開資訊
[1] Yole Group. Lithography and bonding equipment: More than Moore manufacturers’ appetite is growing
[2] 國泰君安證券。薄膜沉積拓展加速，混合鍵合開啟廣闊空間 —— 拓荊科技深度報告 [R]. 上海：國泰君安證券，2024.
[3]Yole Intelligence. Status of High-End Performance Packaging (2.5D & 3D) – Technology and Market Trends[R]. Advanced Packaging Summit, 2023.
[4] Yole Group. High – End Performance Packaging 2025: Market and Technology Report
*免責宣告：本文由作者原創。文章內容系作者個人觀點，半導體行業觀察轉載僅為了傳達一種不同的觀點，不代表半導體行業觀察對該觀點贊同或支援，如果有任何異議，歡迎聯絡半導體行業觀察。
END
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