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臺積電在晶片製造市場的份額一直在增加，公司的資本支出（CapEx）也在增加，自 2015 年以來增長了五倍。該公司計劃在 2025 年投資 380 億美元至 420 億美元用於產能擴張，希望在 2025 年建成八個半導體制造工廠和一個先進的封裝工廠。
臺積電高階副總裁兼副聯席營運長侯志強博士在最近舉行的2025北美技術研討會上表示：“從2017年到2020年，我們平均每年新建三座晶圓廠。從2021年到2024年，我們每年新建晶圓廠的數量增加到五座。今年，我們將每年新建晶圓廠的數量增加到九座，以支援我們強勁的增長勢頭和您的業務發展。在這九座晶圓廠中，有八座是晶圓廠，還有一座是先進的封裝廠。”
臺積電的新產能計劃規模龐大。今年晚些時候，該公司計劃在臺灣的Fab 20和Fab 22工廠開始量產採用其N2（2奈米級）工藝技術的晶片。從2026年底開始，同樣的生產設施將用於生產採用臺積電N2P和A16（1.6奈米級）工藝技術的晶片。
臺積電正在加緊其位於亞利桑那州的Fab 21工廠一期建設，並即將開始為其配備N3晶片的Fab 21工廠二期配備裝置，目前該工廠的建設已經完成。臺積電還於2025年4月開始建造配備A16/N2晶片的Fab 21工廠三期。
此外，該公司正在日本建設Fab 23二期工程，在德國建設Fab 24一期工程。
最後，臺積電即將在臺灣臺中市開始建設其 Fab 25 工廠。該工廠預計將於 2028 年投入使用，用於 A16/N2 後製程工藝。因此，它很可能成為生產 A14 （1.4 奈米級）及更先進製程晶片的工廠之一。
說實話，臺積電統計新生產設施的方式有點複雜。該公司統計的是今年所有正在建設或即將建設的設施。而且，它不考慮晶圓廠是即將開工、剛剛開工，還是即將開始量產。根據臺積電的統計，它們都是“新”設施。即使使用這種方法，我們也只能統計出七座新晶圓廠和一座先進封裝設施。
臺積電將在美國生產 30% 的 2nm 及更先進晶片
臺積電管理層在此前的財報電話會議上透露，該公司計劃將其30%的N2（2奈米級）產量在美國生產，並將其位於亞利桑那州鳳凰城附近的Fab 21工廠打造成為一個獨立的半導體制造叢集。這家全球最大的晶片代工廠還表示，有意加快建設新的Fab 21模組，以生產N3（3奈米級）、N2和A16（1.6奈米級）節點的晶片。
臺積電執行長兼董事長魏哲家在事先準備好的發言稿中表示：“專案竣工後，我們約30%的2奈米及以上工藝產能將位於亞利桑那州，從而在美國打造一個獨立的尖端半導體制造叢集。這還將創造更大的規模經濟效益，並有助於在美國構建更完善的半導體供應鏈生態系統。”
為了在亞利桑那州生產30%的N2和A16晶片，臺積電將增建兩個Fab 21模組。目前，該公司已確認計劃在臺灣新竹和高雄科學園區建設至少三個可生產N2和A16晶片的晶圓廠模組，並將投入更多模組，因此臺灣仍將生產臺積電先進晶片的大部分份額。然而，臺積電30%的N2和A16晶片在美國生產無疑意義重大。
臺積電位於亞利桑那州的Fab 21工廠1號模組目前正在為其美國客戶量產採用N4和N5工藝的晶片。該公司位於亞利桑那州的第二座製造工廠——可支援N3工藝的Fab 21工廠2號模組已經完工，公司正努力提前開始裝置安裝，力爭將該工廠的晶片量產時間從最初模糊的2028年計劃提前至少幾個季度。
Fab 21 的 3 號和 4 號模組（該公司將使用 N2 和 A16 節點的設施）預計將於今年晚些時候開工建設（前提是獲得所有必要的許可）。臺積電尚未公佈這些 Fab 21 模組的建設時間表，但如果臺積電按時採購所有必要的裝置，那麼可以合理地預期其中至少一個模組將在 2029 年初投入使用。
臺積電的 Fab 21 模組 5 和模組 6 將使用 A16 以外的工藝技術（例如 A14 甚至更先進），但它們的建設時間表和產量提升將取決於未來客戶的需求。
TSMS 對 Fab 21 的宏偉計劃是將其發展成為一個 GigaFab 叢集，生產能力至少為每月 100,000 片晶圓，但具體何時實現還有待觀察。
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