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來源：內容來自工商時報。
市場近期盛傳三星將押注資源發展2奈米，預計最快明年於美國德州廠率先匯入2納米制程，企圖彎道超車臺積電。半導體業界透露，三星目前以GAAFET打造之3奈米，約為目前競爭對手4奈米FinFET水準，研判2奈米效能恐怕不如臺積電最後也是最強一代之3奈米FinFET。尤其臺積電再針對3奈米發展更多家族成員，包括N3X、N3C、N3A等應用，未來仍會是主流客戶之首選。
盤點目前智慧手機旗艦晶片，皆使用臺積電第二代3奈米（N3E），僅有三星Exynos 2500為自家3奈米GAAFET；各家業者今年預計迭代進入第三代3奈米（N3P），據供應鏈透露，臺積電去年底N3P已進入量產階段，估今年整體產能將成長超過6成。
供應鏈表示，包括再生晶圓、鑽石碟、特用化學品用量顯著提升。
三星積極追趕，2納米制程預計最快將於今年底量產，並計劃明年首季率先在美國德州Taylor廠匯入2奈米；看似彎道超車臺積電2奈米落地美國時間，不過半導體業者指出，臺積電嚴守最先進製程於臺灣發展，未來在海外廠會以臺灣母廠（Mother Fab）為目標。
IC設計業者透露，在整體晶片表現上，臺積電製程仍能達到更佳效果，如同樣以Arm Cortex-X925超大核心設計之天璣9400，頻率可達3.62GHz，優於Exynos 2500 3.3GHz之表現，在發表時間也領先約3季，三星代工明顯已無法滿足國際晶片大廠最先進之需求。
供應鏈透露，為滿足客戶美國製造需求，臺積電亞利桑那州二廠進入加速階段，預計明年第三季進行機臺Move-in，未來也將攜手臺灣供應鏈大打國際杯，推動整體產業升級。
臺積電今年擬增9座新廠，3奈米產能有望增六成
今年五月，臺積電副總經理張宗生在技術論壇上表示，隨著全球AI應用與高效能運算（HPC）需求快速擴張，臺積電持續加快製程升級與全球建廠腳步，今年預計新增9座廠區，包括8座晶圓廠與1座先進封裝廠，3奈米今年產能將大幅提升，成長有望超過6成。
張宗生指出，目前3奈米家族製程已進入第三年量產，包括N3E、N3P、N3X多樣技術版本，能滿足客戶多樣化產品需求，預期2025年3奈米整體產能將成長超過60％。他也提到，儘管3納米制程複雜度高於前代，但良率表現仍維持與5奈米相當水準，甚至已具備車用晶片的品質要求，且相關產品今年已開始出貨。
2奈米技術則採用新一代奈米片電晶體架構，製程更為精細，但初期良率已超越預期。臺積表示，將於2025年下半年大規模量產，並在臺灣新竹與高雄建置專屬產線。
隨著AI晶片規模持續擴大，張宗生強調，其AI晶片出貨量自2021年至2025年預估將成長12倍，大面積晶片出貨量也將成長8倍。為應對爆發式需求，臺積正積極擴充全球產能，2025年預計將新增9座廠區，包括8座晶圓廠與1座先進封裝廠。
全球製造方面，張宗生指出，美國亞利桑那州廠區已於2024年底量產4納米制程，日本熊本廠也於今年初加入生產行列，良率表現與臺灣接近。此外，德國德勒斯登的特殊製程廠正加速建置，配合歐洲夥伴打造韌性供應鏈。
封裝領域方面，張宗生表示，臺積電3D Fabric平臺整合SYC與COAS技術，在複雜性大幅提升的同時仍維持高良率表現。自2022年至2026年，SYC與COAS產能分別成長逾100%與80%。位於臺中、嘉義、竹南與龍潭的新封裝廠將支援大量AI與HPC應用需求，並規劃設立海外封裝基地。
同時，臺積電也大幅匯入AI與大資料強化自動化製程管理，透過早期異常偵測、智慧排程與製程引數最佳化，有效縮短生產週期逾三成，機臺效能與初期良率更趨近模廠水準。
*免責宣告：本文由作者原創。文章內容系作者個人觀點，半導體行業觀察轉載僅為了傳達一種不同的觀點，不代表半導體行業觀察對該觀點贊同或支援，如果有任何異議，歡迎聯絡半導體行業觀察。
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今天是《半導體行業觀察》為您分享的第4075期內容，歡迎關注。
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