WKC4359是一款理想二極體控制器，用於驅動一個外部N溝道MOSFET以取代肖特基二極體。該器件可控制MOSFET兩端的正向電壓降，以確保無振盪的平滑電流傳輸，即使在輕負載條件下也不例外。如果電源發生故障或短路，則快速關斷可最大限度地抑制反向電流瞬變。這款晶片還提供了一種停機模式，可將靜態電流最低減小至10μA。

美國從2018年開始封鎖中國晶片供應，號稱要用技術卡住中國的“脖子”，讓中國的科技產業停滯甚至崩潰。面對這樣的壓力和挑戰，中國的科技企業堅定的走自研之路。微科科技早在2017年便前瞻性地佈局晶片自研。歷經多年的技術攻關，WKC4359晶片的成功問世，正是微科科技自立自強、堅持自主研發的有力證明，也彰顯了中國在關鍵技術領域實現自主可控的決心。

WKC4359完全由國內正向研發設計、製造、封裝、測試、量產，針對該晶片的智慧財產權保護申請相關專利3篇（含版圖佈局保護），晶片使用者手冊、設計手冊、電路資料、版圖資料、產品的封裝、測試資料完整，量產程式方案完備。

當在大電流二極體應用中使用時，WKC4359可降低功耗、熱耗散、電壓損耗和PC板佔用面積。憑藉其寬輸入電壓範圍、反向輸入電壓承受能力和高額定溫度，WKC4359可滿足電信應用的苛刻要求。另外，WKC4359還能容易地在具有冗餘電源的系統中對電源進行“或”操作。在輸入電壓為負壓時，WKC4359可關斷外部N溝道MOSFET，阻斷輸入和輸出之間的連線。

理想二極體晶片是一種模擬理想二極體特性的半導體器件，通常由理想二極體控制器（IC）和低內阻 MOSFET 組合構成。它能夠在正向偏置時提供極低電阻，實現超低正向壓降，而在反向偏置時提供高電阻，快速關斷 MOSFET，實現反向截止，從而達到理想二極體的效果，減少傳統二極體在導通和截止狀態下的能量損耗。

以北京微科WKC4359控制器實現的理想二極體為例，在同等流過10A電流，兩端壓降控制在30mV左右，而肖特基二極體兩端壓降分別在400mV～900mV附近。兩者的紅外熱成像照片對比如下：

理想二極體在多個行業，尤其是在電源管理和電子裝置保護方面具有廣泛的應用價值：

北京微科WKC4359透過創新設計，成功取代了傳統的功率肖特基二極體，從而顯著降低了功率耗散，WKC4359的低停機電流僅為10μA，提高了能源利用效率。同時，其平滑的切換效能，避免了振盪現象，保證了系統的穩定執行。它能夠精確控制單個功率MOSFET，簡化了電路設計。

目前業界能支援正負電壓輸入的控制器晶片主要集中在Ti、Linear等的極少數幾款國外型號。WKC4359在設計上電荷泵升壓內建，晶片管腳數量更少，外圍電路更簡單；所採用的製造工藝上相對SOI（一般情況下，正負壓產品為降低的設計與製造難度會採用這種較為昂貴的工藝）成本更低，更可靠，體積更小；該晶片支援的±100V電壓範圍遠超國外競品的±65V；在敏感度試驗上，可以透過CS106、CS114 曲線五、CS115、CS116的測試。

憑藉這些優越特性，WKC4359 適用於多種關鍵應用場景，包括冗餘電源管理、電源保持、電信基礎設施、計算機系統/伺服器以及太陽能系統等。無論是在資料中心、電信裝置，還是工業自動化和可再生能源系統中，WKC4359 都能提供高效、穩定的電源管理解決方案，為裝置執行提供強有力的保障。

北京微科可以提供包括裸芯資訊相關的一切技術支援，這對小型化、合封類產品十分有益。WKC4359作為完全國內設計、製造、封測的自主可控國產化晶片，完全符合國產化晶片的使用要求。

WKC4359的誕生，不僅標誌著北京微科在晶片領域的重大突破，更彰顯了中國晶片產業在自主創新道路上的堅定步伐。相信在未來，這款晶片將在眾多領域發揮重要作用，助力中國科技產業邁向新的高峰。